СОТРУДНИКИ
![]() |
Якимов Андрей Иннокентьевич главный научный сотрудник, тел. +7 (383) 333-28-32 РИНЦ Author ID: 22332 РИНЦ SPIN-код: 5969-1822 ORCID: 0000-0002-6141-427X Web of Science ResearcherID: P-2805-2016 Scopus Author ID: 7004269195 Профиль в ResearchGate |
Научная деятельность:
Разработка методов управления функциональными характеристиками компонент нанофотоники на основе кремниевых наноструктур, сопряженных с метаматериалами.
Образование:
- 1986 г. - окончил Новосибирский государственный университет по специальности "физика".
- 1991 г. - защитил кандидатскую диссертацию "Прыжковая проводимость и электронные корреляции в кремнии с примесями, дающими глубокие уровни".
- 2001 г. - защитил докторскую диссертацию "Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии".
Трудовая деятельность:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Академии наук СССР, Новосибирск:
- 1986-1988гг. – стажер-исследователь,
- 1988-1991г.гг. – младший научный сотрудник,
- 1991-1994г.гг. – научный сотрудник,
- 1994-2002г.гг. – старший научный сотрудник,
- 2002 - 2020 гг. – ведущий научный сотрудник.
- 2020 – н.в. — главный научный сотрудник.
Педагогическая деательность:
Научный руководитель дипломных работ магистрантов и бакалавров, кандидатских диссертаций аспирантов и соискателей.
Премии и награды:
Заслуженный ветеран СО РАН, награжден памятными знаками "За труд на благо города" в честь 120-летия и 130-летия со дня основания г. Новосибирска, медалями в честь 80-летия Новосибирской области и 300-летия основания Российской академии наук, лауреат премии Администрации Новосибирской области за выдающиеся научные достижения.
Избранные публикации:
С 1986 по 2024 гг. опубликовано более 190 научных работ. Среди них:
- A. I. Yakimov, V. A. Markov, A. V. Dvurechenskii, O. P. Pchelyakov. Coulomb staircase in Si/Ge structure. Philosophical Magazine B 65, 701 (1992).
- A. I. Yakimov, T. Wright, C. J. Adkins, A. V. Dvurechenskii. Magnetic correlations on the insulating side of the metal-insulator transition in amorphous SiMn. Physical Review B 51, 16549-16552 (1995).
- A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, Yu. Proskuryakov, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov, S. A. Teys, A. K. Gutakovskii. Normal-incidence infrared photoconductivity in Si p-i-n diode with embedded Ge self-assembled quantum dots. Applied Physics Letters 75, 1413 (1999).
- A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, V. V. Kirienko, Yu. I. Yakovlev, A. I. Nikiforov, C. J. Adkins. Long-range Coulomb interaction in arrays of self-assembled quantum dots. Physical Review B 61, 10868 (2000).
- A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, V. V. Kirienko, A. I. Nikiforov. Ge/Si quantum-dot metal-oxide-semiconductor field-effect transistor. Applied Physics Letters 80, 4783 (2002).
- A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, V. V. Ulyanov, A. G. Milekhin, A. O. Govorov, S. Schulze, D. R. T. Zahn. Stark effect in type-II Ge/Si quantum dots. Physical Review B 67, 125318 (2003).
- A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. V. Nenashev, A. I. Nikiforov. Evidence for two-dimensional correlated hopping in arrays of Ge/Si quantum dots. Physical Review B 68, 205310 (2003).
- A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii. Asymmetry of single-particle hole states in a strained Ge/Si double quantum dots. Physical Review B 78, 165310 (2008).
- A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii. Calculating the energy spectrum and electronic structure of two holes in a pair of strained Ge/Si quantum dots. Physical Review B 81, 115434 (2010).
- A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, and J.-M. Hartmann. Photovoltaic Ge/SiGe quantum dot mid-infrared photodetector enhanced by surface plasmons. Optics Express 25, 25602 (2017).
- A. Yakimov, V. Kirienko, A. Bloshkin, A. Dvurechenskii, D. Utkin. Quantum dot based mid-infrared photodetector enhanced by a hybrid metal-dielectric optical antenna. Journal of Physics D: Applied Physics 53, 335105 (2020).
- A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin. Near-infrared photoresponse in Ge/Si quantum dots enhanced by photon-trapping hole arrays. Nanomaterials 11, 2302 (2021).
- А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин. Обнаружение «медленного» света в спектрах фототока в слоях квантовых точек Ge/Si, сопряженных с фотонным кристаллом. Письма в ЖЭТФ 118, 240 (2023).