КОНТАКТЫ
Руководитель: |
д.ф.-м.н. Наумова Ольга Викторовна |
Адрес: |
г. Новосибирск, ул. Пирогова, 30 |
ПАТЕНТЫ
- И. П. Михайловский, М. А. Демьяненко, Т. А. Гаврилова, Б. И. Фомин, В. Н. Овсюк, «Способ изготовлений диэлектрического слоя» Неохлаждаемый болометр по решению РОСПАТЕНТА о выдаче патента на изобретение от 15.01.2013 по заявке №2011151923/28. Приоритет от 19.12.2011
- Настаушев Ю.В. Наумова О.В. Девятова С.Ф. Попов В.П. Способ изготовления наносенсора. Патент на изобретение РФ № 2359359, приоритет от 15.11.2007, Б.И. № 11, 2009
- Ю.В. Настаушев, O.В.Наумова, Ф.Н.Дульцев. Способ создания диэлектрического слоя. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2274926, 2006, Б.И. № 11.
- Ю.В. Настаушев; О.В. Наумова; В.П. Попов. Полевой нанотранзистор Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2250535, 2005, Б.И. № 4
- Фомин Б.И. Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния, Авт.свид.№1387797 от 08.12.87
РАЗРАБОТКИ
Низкотемпературная (не выше 300С) золь-гель технология получения пленок окисла ванадия с температурным коэффициентом сопротивления около 1,5%. Технололия успешно использована при изготовлении микроболометрических матриц ИК – диапазона форматом 120х160 пикселей.
Технология микроболометрических матрицы форматом 160х120 и 320х240 пикселей. Размер пикселя 51 мкм. ФПУ с такими матрицами позволяет получать тепловое изображение с разрешением менее 0,1 градуса. В настоящее время ведется разработка технологии с целью получения матриц большего формата и размером пикселя 25 мкм и 17 мкм.
a
b(a) - Фрагмент микроболометрической матрицы форматом 320х240 пикселей и (b) - тепловое изображение человека, полученное с помощью данной матрицы.
-
Низкотемпературная технология изготовления высокочувствительных полупроводниковых нанопроволочных химических и биологических сенсоров. Чувствительность сенсоров может достигать 10-14 - 10-15 моль/литр.
(a) - изображение отдельного КНИ-нанопроволочного транзистора в качестве высокочувствительного элемента химических и биологических сенсоров, (b) - изменения сток-затворных характеристик сенсора с ростом содержания молекул BSA в растворе от фемто-моля и выше и (c) - yстановленная чувствительность к различным типам частиц (совместно с ИБМХ РАМН)
ПРОЕКТЫ
Участие в проектах:
Программы РАН и интеграционные СО РАН
- Интеграционный проект «Биоаналитические платформы на основе электрофизических и электрокинетических сенсорных устройств» 2012-2014 гг.
- Интеграционный проект по Программе фундаментальных исследований Президиума РАН “Разработка электронного нанопроволочного биосенсора для анализа РНК-маркеров немелкоклеточного рака легкого”, 2014 г.
- Проект СО РАН «Уникальные устройства и стенды для развития исследовательской инфраструктуры СО РАН, обеспечивающей возможность проведения нестандартных исследований в области химии и биологии» (по заказу Президиума СО РАН) Координатор проекта - академик Пармон В.Н., Институт катализа СО РАН Соисполнители проекта: ИФП СО РАН, руководитель – к.ф.-м.н. Д.Г. Есаев “Разработка и изготовление системы регистрации тепловых полей (на основе матричных микроболометрических ИК приемников) с температурным и пространственным разрешением для изучения неравновесных химических процессов в условиях импульсного СВЧ”, 2013 г.
Госконтракты:
- Договор с ФГУП «Российский Федеральный Ядерный центр – Всероссийский ВНИИ экспериментальной физики» (ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ») от 01.02.2013 № 767-13 на выполнение составной части НИР «Разработка и изготовление экспериментального образца малогабаритного фотоприемного устройства инфракрасного диапазона 8-14 мкм», шифр «Болометр-13», 2013 г.
- Договор с ФГУП «Российский Федеральный Ядерный центр – Всероссийский ВНИИ экспериментальной физики» (ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ) от 15.02.2012 № 718-12 на выполнение составной части НИР «Изготовление экспериментального образца фотоприемного устройства инфракрасного диапазона 8-14 мкм», шифр «Болометр-12», 2012 г.
- Госконтракт №02.740.11.0791 от 24.04.2010г. «Методы формирования высокочувствительных нанопроволочных систем, предназначенных для детектирования белковых маркеров гепатита В и раковых заболеваний (альфа-фетопротеин) с уровнем чувствительности от 10-14 М и ниже по модельному белку BSA» 2010-2012 гг.
- Договор от 01.04.2008 № 569-08 на поставку научно-технической продукции, «Линейчатый микроболометрический приемник ИК излучения», шифр – Квант-Э Заказчик – Филиал ОАО «НПП КП «Квант» - ОКБ «Квант-Электроника», 2008 г.
- Договор от 18.04.2008 № 576-08 на поставку научно-технической продукции, «Болометрическое фоточувствительное устройство», шифр – Сапфир-БМ Заказчик – ОАО «Московский завод «Сапфир», 2008
- Госконтракт №02.513.11.3057 от 22 марта 2007 г «Наноструктурированные слои кремния на изоляторе», 2007 г.
- Государственный контракт от 20.06.2006 № 473-06 на основании решения УРБВТ и СП МО РФ. ОКР «Разработка неохлаждаемого фотоприемного устройства форматом 320х240 на основе матричного микроболометрического приемника излучения», шифр - Модуль-МБ2-Н, 2006-2009 гг.
- Государственный контракт с Управлением развития базовых военных технологий и специальных проектов МО РФ (УРБВТ и СП) от 10.04.2001 № 4274. ОКР «Разработка неохлаждаемых фотоприемных устройств на основе матричных микроболометрических приемников», шифр – Летник. 2001-2005 гг.
ОБОРУДОВАНИЕ
Лаборатория оснащена технологическим и измерительным оборудованием, позволяющим разрабатывать, изготавливать и исследовать структуры и приборы на кремниевых пластинах диаметром 76 и 100 мм. Основное оборудование:
Установки контактной и проекционной фотолитографии
Системы и приспособления для жидкостной химической обработки пластин кремния
Установки нанесения, тепловой обработки и удаления фоторезиста
Диффузионные печи, печи термического отжига и печи синтеза пленок в реакторе пониженного давления
Установки магнетронного и термического напыления пленок алюминия, индия, титана и других пленок
Установки с емкостной и индуктивно-связанной плазмой для плазмохимического и реактивно-ионного травления и осаждения различных пленок
Микротоковый источник ионов с энергией однозарядных ионов от 10 до 400 кэВ ( до 800 кэВ при облучении двухзарядными ионами) с возможностью облучения в диапазоне температур 77 – 1000 К)
Комплекс измерительного оборудования для контроля технологии и электрических параметров полупроводниковых структур и приборов