СОТРУДНИКИ

Шварц Наталия Львовна

старший научный сотрудник
к.ф.-м.н.

тел. 333-14-75
Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

519 ЛТК

Область научных интересов:

Монте-Карло моделирование, механизмы формирования наноструктур (нитевидные нанокристаллы, нанокластеры), эпитаксиальный рост полупроводниковых слоёв, морфология поверхностей полупроводников при эпитаксии и отжиге.

Образование:

  • 1973г. - окончила НГУ по специальности физика, прикладная математика,
  • 1991 г. - защитила диссертацию к.ф.-м.н.
  • 1999 г. присвоено звание старший научный сотрудник.

Трудовая деятельность:

основное место работы - Институт физики полупроводников.

  • 1973-1974 стажер исследователь НГУ,
  • 1974-1978 аспирантура НГУ
  • 1979- по настоящее время - ИФП СО РАН
  • с 1987 г. - научный сотрудник,
  • с 1998 г. – старший научный сотрудник.

Педагогическая деательность:

  • С 1996 по настоящее время доцент кафедры ППМЭ РЭФ НГТУ,
  • 1993-2011- Высший колледж информатики НГУ,
  • 1996-2000 – СУНЦ НГУ,
  • 2005-2010 ФИТ НГУ

2010 г. присвоено звание доцента
С 2012- по н/вр. – руководитель филиала кафедры ППМЭ НГТУ в ИФП СО РАН.

Читает лекции по спецкурсу «Элементы и приборы наноэлектроники » и ведет семинары по спецкурсу «Семинары по специальности» на кафедре ППиМЭ НГТУ.

Руководство студентами и аспирантами.

Под руководством Н.Л.Шварц защищена 1 кандидатская диссертация, 9 магистерских диссертаций и 14 диплома бакалавра.

Премии и награды:

  • 2006 г. награждена Почетной грамотой Российской академии наук и Профсоюза работников Российской академии наук
  • За многолетнюю и плодотворную работу отмечена благодарностью Президиума СО РАН.

Избранные публикации:

Опубликовано более 90 научных работ, среди них:

  1. A.A. Spirina, N.L. Shwartz, Monte Carlo simulation of planar GaAs nanowire growth, Journal of Crystal Growth, Vol. 632, p. 127631, 2024. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127631
  2. G. Tsamo, A.G. Nastovjak, N.L. Shwartz, P.E. Hoggan, C. Robert-Goumet, A. Pimpinelli, M. Petit, A. Ranguis, E. Gardes, M. Sall, L. Bideux, G. Monier. Growth Mechanisms of GaN/GaAs Nanostructures by Droplet Epitaxy Explained by Complementary Experiments and Simulations. The Journal of Physical Chemistry C, 2024, Vol. 128, No. 12 p. 5168-5178. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c07945
  3. S.V. Mantsurova, N.L. Shwartz, Effect of silicon surface orientation on the Au droplet motion, Surfaces and Interfaces, Volume 41, 2023, 103193, ISSN 2468-0230, https://doi.org/10.1016/j.surfin.2023.103193.
  4. A.G. Nastovjak, D.V. Shterental, N.L. Shwartz. Simulation of GaAs nanowire annealing. Computational Materials Science 228 (2023) 112310. https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2023.112310.
  5. D M Kazantsev, I O Akhundov, A S Kozhuhov, V S Khoroshilov, N L Shwartz, V L Alperovich and A V Latyshev., Kinetically driven thermal roughening of semiconductor surfaces: experiment on GaAs and Monte Carlo simulation. Phys. Scr. 98, 035702, 2023. DOI 10.1088/1402-4896/acb6bc
  6. Nastovjak A. G., Shterental, D. V., Shwartz N. L. Monte Carlo Simulation of Alternate Pulsed Epitaxial Growth of GaAs Nanowires. Physica status solidi (b), 2022, 259, 2100641. https://doi.org/10.1002/pssb.202100641
  7. A.A. Spirina, N.L. Shwartz, Time evolution of GaAs(111) surface morphology and desorption rate during Langmuir evaporation: Monte Carlo simulation, , Materials Science in Semiconductor Processing, 2021, V.124, P. 106025. doi.org/10.1016/j.mssp.2021.106025.
  8. A.A. Spirina, V.L. Alperovich, N.L. Shwartz, Langmuir evaporation of GaAs(111)A and GaAs(111)B: Monte Carlo simulation, Applied Surface Science 540 148281 (2021)
  9. A. G. Nastovjak and N. L. Shwartz Examination of the crystallization process at the liquid-crystal interface during nanowire growth. Nanotechnology, 31 (2020) 354005.
  10. A. Spirina, N. Shwartz, Metal droplet formation and motion during the III-V semiconductor evaporation, Materials Science in Semiconductor Processing, 100, 319-325 (2019).
  11. N.L. Shwartz, M.A. Vasilenko, A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny. Concentric GaAs nanorings formation by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation. Computational Materials Science 141C pp. 91-100. (2018)
  12. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Anisotropy in Ostwald ripening and step-terraced surface formation on GaAs(001): experiment and Monte Carlo simulation, Appl. Surf. Sci., 2015, v. 359, p. 372-379.
  13. M. A. Vasilenko, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz. Formation of GaAs nanostructures by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation. Comput. Mater. Sci. 102 (2015) 286-292
  14. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov, A.V. Latyshev. Monte Carlo simulation of GaAs(001) surface smoothing in equilibrium conditions. Applied Surface Science, 333 (2015) 141–146.
  15. E. A. Mikhantiev, I. G. Neizvestny, S. V. Usenkov, N. L. Shwartz. Silicon monoxide role in silicon nanocluster formation during Si-rich oxide layer annealing – Monte Carlo simulation. Computational Materials Science, 90, 99 – 105, 2014.
  16. A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz. Peculiarities of axial and radial Ge–Si heterojunction formation in nanowires: Monte Carlo simulation. Pure Appl. Chem., v. 84, n. 12, p. 2619-2628 (2012).
  17. A.G.Nastovjak, I.G.Neizvestny, N.L.Shwartz. Possibilities of Monte Carlo Simulation for Examination of Nanowhisker Growth. Pure Appl. Chem., 2010, Vol. 82, No. 11, pp. 2017-2025.
  18. А.В. Зверев, К.Ю. Зинченко, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая. Монте-Карло моделирование процессов роста наноструктур с алгоритмом планирования событий на шкале времени. Российские нанотехнологии, 2009, Т. 4, № 3–4, С. 85-93.
  19. I.G.Neizvestny, N.L.Shwartz, Z.Sh.Yanovitskaya, A.V.Zverev. Monte Carlo simulation of porous layers sintering. Key Engineering Materials. (2007) V. 352, pp. 5- 8.
  20. I.G.Neizvestny, K.N.Romanyuk, N.L.Shwartz, S.A.Teys, Z.S.Yanovitskaya, A.V.Zverev.. Edge-dimer row – the reason of three-bilayer steps and islands stability on Si(111) - 7x7. Surf. Sci. (2006) V.600, p.3079-3086
  21. I.G.Neizvestny, N.L.Shwartz, Z.S.Yanovitskaya, A.V.Zverev. Simulation of surface relief effect on ALD process. Computational Material Science (2006) V.36, p.36-41.
  22. А. Зверев, И.; Неизвестный, Н. Шварц, З. Яновицкая. Влияние моновакансий на ширину террас при сублимации с поверхности (111) алмазоподобного кристалла. ФТП, 2003, 37, 674-680.
  23. I.G.Neizvestny, N.L.Shwartz, Z.S.Yanovitskaya, A.V.Zverev. A. V. Monte Carlo simulation of steps behavior on Si(111) surface during sublimation. Thin Solid Films, 2000, 380, 61-63.

ИЗБРАННЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

  1. A.А.Spirina, N.L.Shwartz, Monte Carlo simulation of planar GaAs nanowire growth, Journal of Crystal Growth, Vol. 632, p. 127631, 2024. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127631

  2. А. Г. Настовьяк, Н. Л. Шварц. Модификация формы вертикальных нанопроволок в процессе отжига, 2024, Автометрия, Vol. 60, No. 2, p. 56-65. DOI: 10.15372/AUT20240207

  3. G. Tsamo, A.G. Nastovjak, N.L. Shwartz, P.E. Hoggan, C. Robert-Goumet, A. Pimpinelli, M. Petit, A. Ranguis, E. Gardes, M. Sall, L. Bideux, G. Monier. Growth Mechanisms of GaN/GaAs Nanostructures by Droplet Epitaxy Explained by Complementary Experiments and Simulations. The Journal of Physical Chemistry C, 2024, Vol. 128, No. 12 p. 5168-5178. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c07945

  4. S.V. Mantsurova, N.L. Shwartz, Effect of silicon surface orientation on the Au droplet motion, Surfaces and Interfaces, Volume 41, 2023, 103193, ISSN 2468-0230, https://doi.org/10.1016/j.surfin.2023.103193. (WoS, Scopus)

  5. A.G. Nastovjak, D.V. Shterental, N.L. Shwartz. Simulation of GaAs nanowire annealing. Computational Materials Science 228 (2023) 112310. https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2023.112310. (WoS, Scopus)

  6. A.G. Nastovjak, D.V. Shterental, N.L. Shwartz, Monte Carlo Simulation of Alternate Pulsed Epitaxial Growth of GaAs Nanowires, 2022, physica status solidi (b) , No. n/a, p. 2100641.

  7. A.A. Spirina, N.L. Shwartz, Time evolution of GaAs(111) surface morphology and desorption rate during Langmuir evaporation: Monte Carlo simulation, Materials Science in Semiconductor Processing, 2021, V.124, P. 106025.

  8. A.A. Spirina, V.L. Alperovich, N.L. Shwartz, Langmuir evaporation of GaAs(111)A and GaAs(111)B: Monte Carlo simulation, Applied Surface Science 540 (2021) 148281 (Scopus; Web of Science).

  9. A.G. Nastovjak, N.L. Shwartz, E.A. Emelyanov, M.O. Petrushkov, A.V. Vasev, M.A. Putyato, V.V. Preobrazhenskii. Reasons of crystallite formation during the self-catalyzed GaAs nanowire growth. Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 14, pp. 1850–1853 DOI: 10.1134/S1063782620140213 (ВАК, Scopus; Web of Science).

  10. A. G. Nastovjak and N. L. Shwartz Examination of the crystallization process at the liquid-crystal interface during nanowire growth. Nanotechnology, 31 (2020) 354005 (Scopus; Web of Science).

  11. Емельянов Е.А., Настовьяк А.Г., Петрушков М.О., Есин М.Ю., Гаврилова Т.А., Путято М.А., Шварц Н.Л., Швец В.А., Васев А.В., Семягин Б. Р., Преображенский В. В.  Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)B и (100). Письма в ЖТФ, 2020, т. 46, №4, стр. 11-14 (ВАК, РИНЦ, WoS, Scopus).

  12. А. Г. Настовьяк, А. Г. Усенкова, Н. Л. Шварц, И. Г. Неизвестный. Роль реадсорбции в формировании вертикальных нанопроволок AIIIBV при самокаталитическом росте. Микроэлектроника, 2020, T. 49, № 3, стр. 179-185 (ВАК, РИНЦ, Scopus)

  13. Spirina A. A., Shwartz N. L. Influence of gallium and arsenic deposition rates on the GaAs planar nanowire morphology. Journal of Physics: Conference Series, 1482, p 12007, 2020.

  14. Спирина А. А., Шварц Н. Л. Влияние температуры на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование). Физика и техника полупроводников, т. 54, №2, с. 160-164, 2020. DOI: 10.21883/FTP.2020.02.48911.9270

  15. A. G. Nastovjak, A. G. Usenkova, N. L. Shwartz, and I. G. Neizvestny. Examination of self-catalyzed III–V Nanowire growth by Monte Carlo simulation. Semiconductors, 2019, v. 53, No. 16, pp. 62-65.

  16. Spirina A. A., Neizvestny I. G., Shwartz N. L. Initial stages of planar GaAs nanowire growth – Monte Carlo simulation. Semiconductors, v. 53, №16, p. 81-84, 2019. Doi 10.1134/S1063782619120297

  17. A. Spirina, N. Shwartz, Metal droplet formation and motion during the III-V semiconductor evaporation, Materials Science in Semiconductor Processing, 100, 319-325 (2019).

  18. А.А. Spirina, A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Monte Carlo simulation of Ga droplet movement during the GaAs Langmuir evaporation. Semiconductors (ФТП) 2018, 52, № 16, 2133-2137.

  19. Spirina, A. A.; Nastovjak, A. G. & Shwartz, N. L. Influence of GaAs substrate properties on the congruent evaporation temperature. Journal of Physics: Conference Series, 2018, 993, 012011.

  20. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev. Thermal Smoothing and Roughening of GaAs Surfaces: Experiment and Monte Carlo Simulation, Semiconductors (FTP), 2018, v. 52, p. 618-621.

  21. A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz. Concentric GaAs nanorings growth modelling. ФТП, 2018, 52, в.3, 520. Semiconductors, 2018, 52, 639-644.

  22. N.L. Shwartz, M.A. Vasilenko, A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny. Concentric GaAs nanorings formation by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation. Computational Materials Science 141C (2018) pp. 91-100.

  23. Suprunets A.G., Vasilenko M.A., Shwartz N.L. Self-catalyzed GaAs and InAs nanowires growth (Monte Carlo simulation), Journal of Physics: Conference Series. 2016. V. 690. p. 012011.

  24. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Anisotropy in Ostwald ripening and step-terraced surface formation on GaAs(001): experiment and Monte Carlo simulation, Appl. Surf. Sci., 2015, v. 359, p. 372-379.

  25. M.A. Vasilenko, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Formation of GaAs nanostructures by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation. Comput. Mater. Sci. 102 (2015) 286-292.

  26. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov, A.V. Latyshev. Monte Carlo simulation of GaAs(0 0 1) surface smoothing in equilibrium conditions. Applied Surface Science, 333 (2015) 141–146.

  27. М.В. Князева А.Г. Настовьяк, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц. Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост. ФТП, 2015, 49, 63-70.

  28. Карпов А.Н., Зверев А.В., Настовьяк А.Г., Усенков С.В., Шварц Н.Л. Решеточная модель Монте-Карло для изучения процессов формирования наноструктур. Вычислительные методы и программирование, 2014, т. 15, вып. 3, стр. 388-399.

  29. E.A. Mikhant’ev, I.G. Neizvestny, S.V. Usenkov, N.L. Shwartz. Monte Carlo Simulation of the Effect of Silicon Monoxide on Silicon-Nanocluster Formation. Semiconductors, 2014, V. 48, No. 7, pp. 891-898.

  30. E.A. Mikhantiev, I.G. Neizvestny, S.V. Usenkov, N.L. Shwartz. Silicon monoxide role in silicon nanocluster formation during Si-rich oxide layer annealing – Monte Carlo simulation. Computational Materials Science, 90, 99 – 105, 2014.

  31. Е.А. Михантьев, И.Г. Неизвестный, С.В. Усенков, Н.Л. Шварц. Влияние монооксида кремния на процесс формирования кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло) ФТП, 2014, том 48, вып. 7, стр. 917-925.

  32. A.G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, and N. L. Shwartz. Peculiarities of axial and radial Ge–Si heterojunction formation in nanowires: Monte Carlo simulation. Pure Appl. Chem., v. 84, n. 12, p. 2619-2628 (2012).

  33. А.Г. Настовьяк, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц. Моделирование роста нитевидных нанокристаллов кремния с гетеропереходами Ge-Si. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2011, № 9, С. 1–9.

  34. Е.А. Михантьев, И.Г. Неизвестный, С.В. Усенков, Н.Л. Шварц. Изучение процесса формирования нанокластеров кремния при отжиге SiOx слоёв с помощью моделирования. Автометрия, 2011,Т.47, №5, С.88-97.

  35. A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Effect of growth conditions and catalyst material on nanowhisker morphology: Monte Carlo simulation. Solid State Phenomena, 2010, Vols. 156-158, p. 235-240.

  36. A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Possibilities of Monte Carlo Simulation for Examination of Nanowhisker Growth. Pure Appl. Chem., 2010, Vol. 82, No. 11, pp. 2017-2025.

ОБОРУДОВАНИЕ

Программное обеспечение:

Все исследования выполняются с помощью программного обеспечения SilSim3D, разработанного членами Группы 2 под руководством Зверева Алексея Викторовича. В настоящее время главным программистом является Усенков Станислав Валерьевич, инженером-программистом — Шипулин Павел Вадимович.

Ранее в программных разработках участвовали студенты Новосибирского Государственного Университета и Новосибирского Государственного Технического Университета: Михантьев Евгений Анатольевич, Иван Мжельский, Алексей Ларченко, Борис Слуцкий, Денис Шамирян, Илья Рыженков, Михаил Катков, Спартак Щелоков, Алексей Чемакин.

Программное обеспечение построено таким образом, чтобы моделировать все стадии технологических процессов выращивания тонких слоев и создания наноструктур:

  1. Создание подложки с заданной кристаллографической ориентацией, химическим составом (до 7-ми компонент) и морфологией приповерхностного слоя (сингулярные и вицинальные поверхности, случайная и заданная шероховатость, пористость с различной морфологией пор и т.п.). Химический состав задается через межатомные взаимодействия компонент.

  2. Проведение технологического процесса, любого из набора: MBE, CVD, ALD или отжиг – при заданной температуре и скорости осаждения каждого из компонент.

  3. Анализ морфологии полученного слоя, включая пространственное распределение компонент по глубине слоя, распределение поверхностных и объемных островков или полостей по размерам, измерения шероховатости поверхности, аналогично различным экспериментальным методикам с атомным разрешением СТМ, АСМ, ТМВР.

Моделирование проводится на мощностях локальной вычислительной сети Группы 2, состоящей из персональных компьютеров сотрудников и нескольких вычислительных серверов, установленных в телекоммуникационную стойку.

ЗАЩИЩЁННЫЕ ДИССЕРТАЦИИ

соискателями учёной степени кандидата наук:

2010

Настовьяк Алла Георгиевна
Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование)
Научный руководитель – к.ф.-м.н. Шварц Н.Л.

2007

Зверев Алексей Викторович
Моделирование роста атомно-тонких пленок на подложках со сложной морфологией
Научный руководитель - д.ф-м.н. Яновицкая З.Ш.

2006

Брунёв Дмитрий Владиславович
Морфология эпитаксиальных слоев при неизотропной атомной диффузии (моделирование)
Научный руководитель - д.ф-м.н. Яновицкая З.Ш.

соискателями учёной степени доктора наук:

2003

Яновицкая Зоя Шмеровна
Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование)
Научный руководитель - член-корр. РАН Неизвестный И.Г.

АСПИРАНТЫ И СОИСКАТЕЛИ

  1. Спирина Анна Александровна, аспирант, "Изучение процесса формирования планарных и непланарных нанопроволок по механизму пар-жидкость-кристалл методом Монте-Карло моделирования", рук. с.н.с. к.ф.-м.н. Шварц Н.Л.

  2. Ипатов Дмитрий Евгеньевич, аспирант, "Разработка методов обработки и характеризации видеосигналов, получаемых с ИК камер с дифференцированием падающего излучения в пространстве и времени", рук. с.н.с. к.ф.-м.н. Шварц Н.Л., сорук. к.ф.-м.н. А.В. Зверев

  1. Руководитель
  2. Контакты
  3. Отчёты по грантам
  4. Сотрудники

Подкатегории

Отчёты по грантам