Воронковский Виталий Александрович

Дата рождения: 23.08.1993
Вуз: Новосибирский государственный технический университет
Год поступления в аспирантуру: 2015
Форма обучения: очная
Направление подготовки: 03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность: 01.04.10 - "Физика полупроводников"
Тема диссертации: Исследование механизмов резистивного переключения в мемристорах на основе оксидов гафния и циркония
Научный руководитель: д.ф.-м.н., г.н.с. Гриценко Владимир Алексеевич
с.н.с., к.х.н. Алиев Владимир Шакирович
Лаборатория: Лаб. №5
E-mail:

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

НазваниеПервая страница
Influence of HfOx composition on hafnium oxide-based memristor electrical characteristics / V.A. Voronkovskii, V.S. Aliev, A.K. Gerasimova, D.R. Islamov // Materials Research Express. – 2018. – Vol. 5, No 1. – P. 016402.
Charge transport and the nature of traps in oxygen deficient tantalum oxide / V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, V.A. Voronkovskii, A.A. Gismatulin, V.N. Kruchinin, V.S. Aliev, V.A. Pustovarov, I.P. Prosvirin, Y. Rozin // ACS applied materials & interfaces. – 2018. – Vol. 10, No 4. – P. 3769-3775.
Electronic structure and charge transport in nonstoichiometric tantalum oxide / T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, A.A. Gismatulin, V.A. Voronkovskii, A.K. Gerasimova, V.S. Aliev, I.A. Prosvirin // Nanotechnology. – 2018. – Vol. 29. – No. 26. – P. 264001
Conduction mechanisms of TaN/HfOx/Ni memristors / V.A. Voronkovskii, V.S. Aliev, A.K. Gerasimova, D.R. Islamov // Materials Research Express. – 2019. – Vol. 6. – P. 076411.

Труды конференций:

НазваниеОбложкаПервая страница
Мемристоры на основе пленок нестехиометричного оксида гафния / В.Ш. Алиев, И.А. Бадмаева, С.Г. Бортников, В.А. Воронковский, А.К. Герасимова // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы : сб. трудов 18-й Междунар. конф. (Ульяновск, 24-26 июня 2015г.). - Ульяновск, 2015.- С.185-186.
Исследование пленок оксида гафния с обратимым резистивным переключением / С.Г. Бортников, В.Ш. Алиев, В.А. Воронковский, И.А. Бадмаева // Проблемы устойчивого развития региона : сб. матер. 8 шк.-семинара молодых ученых (Улан-Удэ, 23 – 27 июня 2016 г.). - Улан-Удэ, 2016. - С.238-241.
Исследование электрофизических свойств мемристоров со структурой TaN/HfOx/Ni / В.Ш. Алиев, В.А.Воронковский, И.А. Бадмаева, С.Г. Бортников, А.К. Герасимова // Эволюция дефектных структур в конденсированных средах (ЭДС – 2016) : cб. тезисов XIV Междунар. шк.-семинара (Белокуриха, 12 – 17 cентября 2016 г.) .- Барнаул: Изд-во АлтГТУ, 2016. - С.88.
Влияние атомной структуры и состава плёнок HfOx(x<2) на параметры резистивной памяти на их основе / А.К. Герасимова, В.Ш. Алиев, В.А. Воронковский, В.Н. Кручинин, В.А. Гриценко // Конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Кремний 2016) : сб. трудов XI конф. и X шк. молодых учёных и специалистов (Новосибирск, 12-15 сентября 2016 г.). - Новосибирск, 2016. - С. 57.
О влиянии состава плёнок оксида гафния на электрофизические свойства мемристоров TaN/HfOx/Ni / В.А. Воронковский, В.Ш. Алиев, А.К. Герасимова, Д.Р. Исламов // XIII Российская конф. по физике полупроводников : сб. тезисов (Екатеринбург, 2-6 октября 2017 г.). - Екатеринбург, 2017. - С.388.

Личное участие в конференциях:

НазваниеОбложка тезисовОбложка программыВремя выступленияПервая страница
Бортников С.Г. (м.н.с.), Алиев В.Ш. (к.х.н., с.н.с.), Воронковский В.А., Бадмаева И.А., Герасимова А.К., Исследование электрофизических свойств мемристоров со структурой TaN/HfOx/Ni, Эволюция дефектных структур в конденсированных средах (ЭДС–2016), г. Барнаул – г. Белокуриха, 12 – 17 сентября 2016 года, устный доклад
В.А. Воронковский, В.Ш. Алиев, А.К. Герасимова, Д.Р. Исламов, О влиянии состава плёнок оксида гафния на электрофизические свойства мемристоров TaN/HfOx/Ni , XIII Российская конф. по физике полупроводников, Екатеринбург, 2-6 октября 2017 г., стендовый доклад

Документы, удостоверяющие исключительное право на научные результаты:

  1. [1] Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта : пат. 2611580 Рос. Федерация : МПК7 H 01 L 27/115 / Гриценко В.А., Алиев В.Ш., Исламов Д.Р., Воронковский В.А. ; заявитель и патентообладатель Ин-т физики полу

Участие в грантах:

  1. Грант РНФ №14-19-00192
  2. Грант РНФ №16-19-00002
  3. Грант РФФИ №16-32-00719
  4. Грант РФФИ №16-32-00119

Отчёты о выполнении НИР:

1-й семестр:

Отработана технология роста слоев мемристора состава TaN/HfOx/Ni после внесения модификаций в установку ионно-лучевого распыления-осаждения, используемую для роста; получены вольт-амперные характеристики мемристоров, изготовленных по отработанной технологии; разработаны фотошаблоны, которые будут использоваться для роста структур с помощью фотолитографии; представлена зависимость вольт-амперных характеристик мемристора от температуры в диапазоне от 24 ˚C до 125 ˚C в низкоомном и высокоомном состояниях.

2-й семестр:

Получены зависимости вольт-амперных характеристик мемристора в низко- и высокоомном состояниях от температуры в диапазонах температур [4.2K; 300K] и [300K;425K]; представлена зависимость электрофизических параметров мемристора, таких как напряжения формовки, установки и сброса, а также соотношения величин тока, проходящих через мемристор в состоянии до формовки, низко- и высокоомном состояниях, от содержания кислорода в пленках нестехиометричного оксида гафния.

3-й семестр:

Представлены результаты изучения ВАХ мемристоров на основе аморфных плёнок HfOx, выращенных методом ионно-лучевого распыления-осаждения при различных парциальных давлениях кислорода в ростовой камере. Показано, что эффект резистивного переключения состояний мемристора наблюдается лишь в узком диапазоне давлений кислорода, соответствующем коэффициенту х, отражающему отношение концентраций атомов металла и кислорода, близком к 1.8. Приведено сравнение электрофизических характеристик мемристоров с различными коэффициентами х. Представлена зависимость ВАХ мемристоров от температуры в широком диапазоне температур, выдвинута гипотеза о характере проводимости мемристора в низкоомном состоянии в области низких температур. Приведены предварительные результаты изучения электрофизических свойств мемристоров на основе TaOx, приведены их ВАХ.

4-й семестр:

Представлены результаты изучения ВАХ мемристоров на основе аморфных плёнок TaOx, выращенных методом ионно-лучевого распыления-осаждения при различных парциальных давлениях кислорода в ростовой камере. Показано, что проводимость образцов TaN/TaOx/Ni до формовки при комнатной температуре быстро возрастает с увеличением концентрации вакансий кислорода в пленке оксида на 10 порядков. Обсуждена модель фонон-ассистированного туннелирования между ловушками в пленках диэлектриков. Показано, что ВАХ пленок TaOx с различным содержанием кислорода хорошо описываются этой моделью с учетом того, что ловушками в них являются вакансии кислорода. Образцы с большим содержанием кислорода в TaOx продемонстрировали резистивное переключение состояний. Показаны предварительные результаты измерений ВАХ TaOx мемристоров в низкоомном состоянии от температуры. Технология изготовления мемристоров с пленками HfOx, нанесенными методом атомно-слоевого роста, требует доработки, поскольку получаемое соотношение токов в низко- и высокоомном состояниях оказалось малым.

Аннотация выпускной квалификационной работы: