
Воронковский Виталий Александрович
Дата рождения: | 23.08.1993 |
Вуз: | Новосибирский государственный технический университет |
2015 | |
Форма обучения: | очная |
03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
Тема диссертации: | Исследование механизмов резистивного переключения в мемристорах на основе оксидов гафния и циркония |
Научный руководитель: |
д.ф.-м.н., г.н.с. Гриценко Владимир Алексеевич с.н.с., к.х.н. Алиев Владимир Шакирович |
Лаборатория: | Лаб. №5 |
E-mail: |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
Труды конференций:
Личное участие в конференциях:
Документы, удостоверяющие исключительное право на научные результаты:
- [1] Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта : пат. 2611580 Рос. Федерация : МПК7 H 01 L 27/115 / Гриценко В.А., Алиев В.Ш., Исламов Д.Р., Воронковский В.А. ; заявитель и патентообладатель Ин-т физики полу
Участие в грантах:
- Грант РНФ №14-19-00192
- Грант РНФ №16-19-00002
- Грант РФФИ №16-32-00719
- Грант РФФИ №16-32-00119
Отчёты о выполнении НИР:
1-й семестр:
Отработана технология роста слоев мемристора состава TaN/HfOx/Ni после внесения модификаций в установку ионно-лучевого распыления-осаждения, используемую для роста; получены вольт-амперные характеристики мемристоров, изготовленных по отработанной технологии; разработаны фотошаблоны, которые будут использоваться для роста структур с помощью фотолитографии; представлена зависимость вольт-амперных характеристик мемристора от температуры в диапазоне от 24 ˚C до 125 ˚C в низкоомном и высокоомном состояниях.2-й семестр:
Получены зависимости вольт-амперных характеристик мемристора в низко- и высокоомном состояниях от температуры в диапазонах температур [4.2K; 300K] и [300K;425K]; представлена зависимость электрофизических параметров мемристора, таких как напряжения формовки, установки и сброса, а также соотношения величин тока, проходящих через мемристор в состоянии до формовки, низко- и высокоомном состояниях, от содержания кислорода в пленках нестехиометричного оксида гафния.3-й семестр:
Представлены результаты изучения ВАХ мемристоров на основе аморфных плёнок HfOx, выращенных методом ионно-лучевого распыления-осаждения при различных парциальных давлениях кислорода в ростовой камере. Показано, что эффект резистивного переключения состояний мемристора наблюдается лишь в узком диапазоне давлений кислорода, соответствующем коэффициенту х, отражающему отношение концентраций атомов металла и кислорода, близком к 1.8. Приведено сравнение электрофизических характеристик мемристоров с различными коэффициентами х. Представлена зависимость ВАХ мемристоров от температуры в широком диапазоне температур, выдвинута гипотеза о характере проводимости мемристора в низкоомном состоянии в области низких температур. Приведены предварительные результаты изучения электрофизических свойств мемристоров на основе TaOx, приведены их ВАХ.4-й семестр:
Представлены результаты изучения ВАХ мемристоров на основе аморфных плёнок TaOx, выращенных методом ионно-лучевого распыления-осаждения при различных парциальных давлениях кислорода в ростовой камере. Показано, что проводимость образцов TaN/TaOx/Ni до формовки при комнатной температуре быстро возрастает с увеличением концентрации вакансий кислорода в пленке оксида на 10 порядков. Обсуждена модель фонон-ассистированного туннелирования между ловушками в пленках диэлектриков. Показано, что ВАХ пленок TaOx с различным содержанием кислорода хорошо описываются этой моделью с учетом того, что ловушками в них являются вакансии кислорода. Образцы с большим содержанием кислорода в TaOx продемонстрировали резистивное переключение состояний. Показаны предварительные результаты измерений ВАХ TaOx мемристоров в низкоомном состоянии от температуры. Технология изготовления мемристоров с пленками HfOx, нанесенными методом атомно-слоевого роста, требует доработки, поскольку получаемое соотношение токов в низко- и высокоомном состояниях оказалось малым.