Капогузов Кирилл Евгеньевич
| Дата рождения: | 21.02.1998 |
| Вуз (дата окончания): | НГУ (2022) |
| 2022 | |
| Форма обучения: | очная |
| 03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
| Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
| Тема диссертации: | Исследование резистивных переключений в одиночных нанокристаллах диоксида ванадия c фазовым переходом полупроводник-металл |
| Научный руководитель: |
к.ф.-м.н. Мутилин Сергей Владимирович |
| Лаборатория: | Лаборатория №7 |
| E-mail: |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
| Название | Первая страница |
|---|---|
| Sergey Vladimirovich Mutilin, Kirill Evgenievich Kapoguzov, Victor Prinz, Lyubov Vladimirovna Yakovkina, Effect of SiO2 buffer layer on phase transition properties of VO2 films fabricated by low-pressure chemical vapor deposition, Journal of Vacuum Science and Technology A, Volume 40, Issue 6, 063404 (2022) |
Личное участие в конференциях:
| Название | Обложка тезисов | Обложка программы | Время выступления | Первая страница |
|---|---|---|---|---|
| С.В. Мутилин, В.Я. Принц, Л.В. Яковкина, К.Е. Капогузов, А.К. Гутаковский, А.И. Комонов, Резистивный переключатель на основе нанокристалла VO2, синтезированного методом CVD на вершине острой кремниевой иглы, Шестой семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы «Кузнецовские чтения-2022», Новосибирск, 11-13 июля 2022, устный доклад | ||||
| Капогузов К.Е., Тумашев В.С., Яковкина Л.В., Кичай В.Н., Мутилин С.В. , Многоуровневые резистивные переключатели на основе диоксида ванадия с фазовым переходом полупроводник-металл , Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», Новосибирск, 29-30 ноября, 2023, , стендовый доклад | ||||
| Милюшин Д.М., Капогузов К. Е., Яковкина Л.В., Кичай В.Н., Мутилин С.В, Резистивные переключения в микроструктурах на основе диоксида ванадия с фазовым переходом полупроводник-металл, Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», Новосибирск, 29-30 ноября, 2023, стендовый доклад |