Залялов Тимур Маратович

Дата рождения:	08.02.1997
Вуз (дата окончания):	НГУ (2021)
Год поступления в аспирантуру:	2021
Форма обучения:	очная
Направление подготовки:	03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность:	1.3.11 - "Физика полупроводников"
Тема диссертации:	Оптимизация параметров синтеза и перепрограммирования элементов сегнетоэлектрической памяти на основе тонких легированных плёнок оксида гафния
Научный руководитель:	к. ф.-м. н. Исламов Дамир Ревинирович
Лаборатория:	Лаборатория №10 физических основ материаловедения кремния
E-mail:	timzisp.nsc.ru

Публикации:

Труды конференций:

Название	Обложка	Первая страница
Залялов Т. М., Исламов Д. Р. Эволюция окна памяти и концентрации ловушек при циклировании структур на основе Hf0,5Zr0,5O2:La с различным содержанием La: wake up в деталях // Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (Школа молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», 7–9 дек. 2021). – ФГБУН Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Новосибирск
Timur M. Zalyalov, Damir R. Islamov The Influence of the Dopant Concentration on the Ferroelectric Properties and the Trap Density in Hf0.5Zr0.5O2:La Films During Endurance Cycling // International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), Conference Proceeding. 2022
Залялов Т. М., Исламов Д. Р. Влияние содержания примеси на сегнетоэлектрические свойства и концентрацию ловушек в Hf0,5Zr0,5O2:La при циклировании // Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2022» – Нижний Новгород, 2022.
Залялов Т. М., Исламов Д. Р. Влияние материала электродов МСМ структур на сегнетоэлектрические свойства пленок Hf0.5Zr0.5O2 // Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (Школа молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», 12–13 дек. 2022). – ФГБУН Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Новосибирск.