
Залялов Тимур Маратович
Дата рождения: | 08.02.1997 |
Вуз (дата окончания): | НГУ (2021) |
2021 | |
Форма обучения: | очная |
03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
Тема диссертации: | Оптимизация параметров синтеза и перепрограммирования элементов сегнетоэлектрической памяти на основе тонких легированных плёнок оксида гафния |
Научный руководитель: |
к. ф.-м. н. Исламов Дамир Ревинирович |
Лаборатория: | Лаборатория №10 физических основ материаловедения кремния |
E-mail: |
Публикации:
Труды конференций:
Название | Обложка | Первая страница |
---|---|---|
Залялов Т. М., Исламов Д. Р. Эволюция окна памяти и концентрации ловушек при циклировании структур на основе Hf0,5Zr0,5O2:La с различным содержанием La: wake up в деталях // Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (Школа молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», 7–9 дек. 2021). – ФГБУН Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Новосибирск | ||
Timur M. Zalyalov, Damir R. Islamov The Influence of the Dopant Concentration on the Ferroelectric Properties and the Trap Density in Hf0.5Zr0.5O2:La Films During Endurance Cycling // International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), Conference Proceeding. 2022 | ||
Залялов Т. М., Исламов Д. Р. Влияние содержания примеси на сегнетоэлектрические свойства и концентрацию ловушек в Hf0,5Zr0,5O2:La при циклировании // Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2022» – Нижний Новгород, 2022. | ||
Залялов Т. М., Исламов Д. Р. Влияние материала электродов МСМ структур на сегнетоэлектрические свойства пленок Hf0.5Zr0.5O2 // Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (Школа молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», 12–13 дек. 2022). – ФГБУН Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Новосибирск. |