Суханов Максим Андреевич
| Дата рождения: | 07.04.1996 |
| Вуз (дата окончания): | НГУ (2020) |
| 2020 | |
| Форма обучения: | очная |
| 03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
| Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
| Тема диссертации: | Молекулярно-лучевая эпитаксия и электронный транспорт в AlInSb/InSb гетероструктурах для ИК фотоприемников |
| Научный руководитель: |
д.ф.-м.н., в.н.с. Журавлев Константин Сергеевич |
| Лаборатория: | Лаборатория №37 |
| E-mail: |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
| Название | Первая страница |
|---|---|
| Суханов М.А., Бакаров А.К., Протасов Д.Ю., Журавлёв К.С. AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии// Письма в ЖТФ. 2020. Т. 46, №. 4. С. 3–6 | |
| Суханов М.А., Бакаров А.К., Журавлёв К.С. AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов// Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47, №. 3. С. 37–39 |
Личное участие в конференциях:
| Название | Обложка тезисов | Обложка программы | Время выступления | Первая страница |
|---|---|---|---|---|
| М.А. Суханов, А.К. Бакаров, К.С. Журавлёв, Д.Ю. Протасов. , Темновые токи в фотоприемных структурах на основе соединений InSb, InAlSb выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, XIV Российская конференция по физике полупроводников , Новосибирск, 9 - 13 сентября 2019, стендовый доклад | ||||
| Суханов М.А, Темновые токи в фотоприемных структурах на основе соединений InAlSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 25–29 ноября 2019 г, устный доклад | ||||
| Суханов М. А., Темновые токи в фотоприемных структурах на основе InSb, InAlSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, МНСК-2020, Новосибирск, 10–13 апреля 2020 г, устный доклад | ||||
| Суханов М.А., Темновые токи в фотоприемных InAlSb/InSb гетероструктурах, Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 23–27 ноября 2020 года, стендовый доклад | ||||
| М.А. Суханов, А.К. Бакаров, К.С. Журавлев, AlSb/InAs гетероструктуры для СВЧ транзисторов, Мокеровские чтения, Москва, НИЯУ МИФИ, 19–20 мая 2021 года, устный доклад |
Участие в грантах:
- Грант № 18-52-00008, Графеноподобные GaN/AlN наноструктуры, Отчет: 25.04.2020.
- Грант № 20-02-00309. Синтез и транспортные свойства высокоподвижных полупроводниковых гетероструктур с контролируемым экранированием рассеивателей. Заявка 2020: Поддержана.