Матюшенко Евгений Вадимович
| Дата рождения: | 07.07.1995 |
| Вуз (дата окончания): | НГТУ (2019) |
| 2019 | |
| Форма обучения: | очная |
| 03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
| Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
| Тема диссертации: | Неравновесные процессы в структурах на основе эпитаксиальных пленок PbSnTe: моделирование и эксперимент |
| Научный руководитель: |
д.ф.-м.н., с.н.с. Климов Александр Эдуардович |
| Лаборатория: | Лаборатория №3 |
| E-mail: |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
| Название | Первая страница |
|---|---|
| А.Э. Климов, А.Н. Акимов, И.О. Ахундов, В.А. Голяшов, Д.В. Горшков, Д.В. Ищенко, Е.В. Матюшенко, И.Г. Неизвестный, Г.Ю. Сидоров, С.П. Супрун, А.С. Тарасов, О.Е. Терещенко, В.С. Эпов., Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами, ФТП, 54 (10), 2020, 1122. |  |