Исхакзай Рамин Мохаммад Ханифович
| Дата рождения: | 05.03.1995. |
| Вуз (дата окончания): | НГТУ (2018) |
| 2018 | |
| Форма обучения: | очная |
| 03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
| Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
| Тема диссертации: | Влияние вакансий кислорода на проводимость пленок SiO2 и high-k диэлектриков |
| Научный руководитель: |
с.н.с., к.х.н. Алиев Владимир Шакирович д.ф.-м.н., г.н.с. Гриценко Владимир Алексеевич |
| Лаборатория: | Лаб. №5 |
| E-mail: |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
| Название | Первая страница |
|---|---|
| Voronkovskii, V. A., Perevalov, T. V., Iskhakzay, R. M. H., Aliev, V. S., Gritsenko, V. A., & Prosvirin, I. P. Phonon-assisted electron tunneling between traps in silicon oxide films treated in hydrogen plasma. Journal of Non-Crystalline Solids, 546, 2020,120256. | |
| В.Н. Кручинин, Т.В. Перевалов, В.Ш. Алиев, Р.М.Х. Исхакзай, Е.В. Спесивцев, В.А. Гриценко, В.А. Пустоваров, «Оптические свойства тонких пленок SiOx (x<2), полученных обработкой термического оксида кремния в водородной плазме», Оптика и Спектроскопия, т.128, вып. 10, 2020, с. 1467-1472. | |
| Т.В. Перевалов, Р.М.Х. Исхакзай, В.Ш. Алиев, В.А. Гриценко, И.П. Просвирин, Атомная и электронная структура пленок SiOx, полученных с помощью водородной плазмы электрон-циклотронного резонанса, ЖЭТФ, том 158, вып. 6(12), 2020, стр. 1083 - 1088. |
Труды конференций:
| Название | Обложка | Первая страница |
|---|---|---|
| Iskhakzay R. M. Kh. Investigation of Hf(Zr)O2 Film Ferroelectric Properties Grown by Atomic Layer Deposition Method/ R.M.Kh. Iskhakzay, V.Sh. Aliev, V.A. Gritsenko // Proceedings of 19th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM | ||
| Р.М.Х. Исхакзай, В.А. Воронковский, В.Ш. Алиев, XXI Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники, 25-29 ноября 2019 Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук», стендовый. |
Личное участие в конференциях:
| Название | Обложка тезисов | Обложка программы | Время выступления | Первая страница |
|---|---|---|---|---|
| R.M.Kh. Iskhakzay, V.Sh. Aliev, V.A. Gritsenko, Investigation of Hf(Zr)O2 Film Ferroelectric Properties Grown by Atomic Layer Deposition Method, 19th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM, Эрлагол, Алтай, 29 июня – 3 июля 2018 г., устный доклад | ||||
| Р.М.Х. Исхакзай, В.А. Воронковский, В.Ш. Алиев, МЕМРИСТОРНЫЙ ЭФФЕКТ В ПЛЕНКАХ ТЕРМИЧЕСКОГО SiO2, ОБРАБОТАННЫХ В ВОДОРОДНОЙ ЭЦР ПЛАЗМЕ, XXI Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники, Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук», 25 ноября 2019 - 29 ноября 2019, стендовый доклад | ||||
| Исхакзай Р.М.Х., Воронковский В.А., Мемристорный эффект структур Si/SiOx/Ni на основе термического SiO2, обработанного в ЭЦР плазме, Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», г. Новосибирск, ИФП СО РАН, 14-16 декабря 2020, стендовый доклад |
Участие в грантах:
- Проект РНФ №19-19-00286 «Исследование и разработка бесформовочного мемристора на основе оксидных диэлектриков, обработанных в водородной плазме, для флэш-памяти нового поколения», (исполнитель проекта).
- Проект РФФИ 20-57-12003 ННИО_а, "Повышение надёжности сегнетоэлектрических материалов на основе оксида гафния"
Аннотация выпускной квалификационной работы: 