Дата рождения: |
13.08.1992 |
Вуз (дата окончания): |
НГУ (2017) |
Год поступления в аспирантуру: |
2017 |
Форма обучения: |
очная |
Направление подготовки: |
03.06.01 - "Физика и астрономия" |
Специальность: |
01.04.07 - "Физика конденсированного состояния" |
Тема диссертации: |
Атомные процессы на широких террасах поверхностях Si(111) в условиях осаждения кремния, германия и олова |
Научный руководитель: |
д.ф.-м.н., академик РАН Латышев Александр Васильевич |
Лаборатория: |
Лаб. №20 |
E-mail: |
alexey_petrovisp.nsc.ru |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
Название | Первая страница |
A.S. Petrov, S.V. Sitnikov, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev, Evolution of Micropits on Large Terraces of the Si(111) Surface during High-Temperature Annealing, Semiconductors, Vol. 53, No. 4, 2019, pp. 434–438. doi.org/10.1134/S1063782619040237 |
 |
A.S. Petrov, D.I. Rogilo, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, 2D island nucleation controlled by nanocluster diffusion during Si and Ge epitaxy on Si(111)-(7×7) surface at elevated temperatures, Journal of Crystal Growth, № 531, 2020, pp. 1-6. doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.125347 |
|
Пономарев С.А., Рогило Д.И., Петров А.С., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Кинетика травления поверхности Si(111) молекулярным пучком селена , Автометрия, т. 56, №5, 2020, стр. 4-11 |
|
Д. И. Рогило, С. В. Ситнико, Е. Е. Родякина, А. С. Петров, С. А. Пономарев, Д. В. Щегло, Л. И. Федина, А. В. Латышев, N SITU ОТРАЖАТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ ДЛЯ АНАЛИЗА ПРОЦЕССОВ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ: СУБЛИМАЦИИ, ЭЛЕКТРОМИГРАЦИИ, АДСОРБЦИИ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ, Кристаллография, Т.66, №4, 2021, стр. 528-539 |
|
Труды конференций:
Название | Обложка | Первая страница |
A. Petrov, D. Rogilo, D. Sheglov, A. Latyshev, 2D island nucleation controlled by nanocluster diffusion during Si and Ge epitaxy on Si(111)-(7×7) surface at elevated temperatures, Mechanisms and non-linear problems of nucleation and growth of crystals and thin films, Санкт-Петербург, 1-5 июля, 2019, стендовый доклад |
|
|
А.С. Петров, Д.И. Рогило, Д.В. Щеrлов, А.В. Латышев, Кинетика двумерно-островкового зарождения при субмонослойном осаждении Si и Ge на атомно-чистую поверхность Si(111) и с поверхностными фазами, индуцированными оловом, XIV Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-2019", Новосибирск, 9-13 сентября 2019 г., устный доклад |
|
|
Петров А.С., Рогило Д.И., Сверхструктурные переходы и морфологические трансформации на поверхности Si(111), индуцированные осаждением Sn, Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» АППН-2019 , Новосибирск, 26–28 ноября 2019, стендовый доклад |
|
|
Alexey Petrov, Dmitry Rogilo, Dmitry Sheglov, Alexander Latyshev, Effect of adatom sink to atomic steps on the kinetics of Ge and Si two-dimensional island nucleation on Si(111)-(7×7) surface, Sixth European Conference on Crystal Growth, Bulgaria, Varna |
|
 |
Петров А.С., Рогило Д.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Влияние стока адатомов в ступени на двумерно-островковое зарождение на поверхности Si(111)-(7×7) при осаждении Si и Ge , XII Международная конференция КРЕМНИЙ-2018, г. Черноголовка, Москва, стандовый доклад |
 |
 |
Петров А.С, Рогило Д.И., Латышев А.В., Влияние стока адатомов в ступени на двумерно-островковое зарождение Si и Ge на поверхности Si(111), ХХ Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроронике, 26.11-01.12.2018 г. г. Санкт-Петербург, стендовый доклад |
 |
 |
Петров А.С., Кинетика трансформации микроканавок на широких террасах поверхности Si(111), сборник тезисов МНСК-2017, стр. 27 |
|
 |
Петров А.С., Кинетика трансформации микроканавок на атомно-гладкой поверхности кремния (111), сборник тезисов МНСК-2013, стр. 60 |
|
 |
А. С. Петров, Д. И. Рогило, Структурные изменения на поверхности Si(111) при адсорбции Sn в условиях повышенных температур и электромиграции, XIII Международная конференция «Кремний-2020» , Ялта, 21-25 сентября, 2020, устный доклад |
|
|
Петров А.С., Рогило Д.И., Перераспределение атомных ступеней на поверхности Si(111) при структурных переходах, индуцированных адсорбцией и десорбцией Sn, Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» АППН-2020, 14-16 декабря 2020 г., Новосибирск, Стендовый доклад на российской конференции |
|
|
A.S. Petrov, D.I. Rogilo, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, Structural transformations on the Si(111) surface observed during Sn adsorption, desorption, and electromigration, Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Vladivostok, 2020. |
|
|
8. S.A. Ponomarev, D.I. Rogilo, A.S. Petrov, L.I. Fedina, D.V. Shcheglov, A.V. Latyshev, Etching of the Si(111) surface by a selenium molecular beam, Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Vladivostok, 2020. |
|
|
Личное участие в конференциях:
Название | Обложка тезисов | Обложка программы | Время выступления | Первая страница |
Петров А.С., Рогило Д.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Кинетика двумерно-островкового зарождения при субмонослой-ном осаждении Si и Ge на атомно-чистую поверхность Si(111) и с поверхностными фазами, индуцированными оловом, XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, 9.09-13.09.2019, устный доклад |
|
|
|
|
Петров А.С., Рогило Д.И., Сверхструктурные переходы и морфологические трансформации на поверхности Si(111),
индуцированные осаждением Sn
, Школа молодых учёных "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", г. Новосибирск, 26.11-28.11.2019, стендовый доклад |
|
|
|
|
A.S. Petrov, D.I. Rogilo, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, 2D island nucleation controlled by nanocluster diffusion during Si and Ge epitaxy on Si(111)-(7×7) surface at elevated temperatures, МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ. МЕХАНИЗМЫ И НЕЛИНЕЙНЫЕ ПРОБЛЕМЫ НУКЛЕАЦИИ И РОСТА КРИСТАЛЛОВ И ТОНКИХ ПЛЕНОК (MGCTF 2019), Санкт-Петербург, 01 — 05 ИЮЛЯ 2019, 2019, стендовый доклад |
|
|
|
|
Петров А.С, Рогило Д.И., Латышев А.В., Влияние стока адатомов в ступени на двумерно-островковое зарождение Si и Ge на поверхности Si(111), ХХ Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроронике, г. Санкт-Петербург, 26.11-01.12.2018 г., стендовый доклад |
 |
|
|
 |
Петров А.С., Рогило Д.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Влияние стока адатомов в ступени на двумерно-островковое зарождение
на поверхности Si(111)-(7×7) при осаждении Si и Ge
, XII Международная конференция КРЕМНИЙ-2018, г. Черноголовка, Москва, 22.10 - 26.10.2018, стендовый доклад |
 |
|
|
 |
Alexey Petrov, Dmitry Rogilo, Dmitry Sheglov, Alexander Latyshev, Effect of adatom sink to atomic steps on the kinetics of Ge and Si two-dimensional island nucleation
on Si(111)-(7×7) surface, Sixth European Conference on Crystal Growth, Bulgaria, Varna, 16.09-20.09.2018, стендовый доклад |
|
|
|
 |
Петров А.С., Кинетика трансформации микроканавок на широких террасах поверхности Si(111), МНСК-2017, Новосибирск, 17-20 апреля 2017, устный доклад |
|
|
|
 |
Петров А.С., Кинетика трансформации микроканавок на атомно-гладкой поверхности кремния (111), МНСК-2013, Новосибирск, апрель 2013, устный доклад |
|
|
|
 |
Личные достижения (дипломы, гранты, награды, сертификаты, именные стипендии):
- Диплом "Award for Best Poster presented at ECCG6 in conjuction with the ESCG2"

- Стипендия конкурса ИФП СО РАН для молодых ученых, 2019 год
- Диплом за лучший доклад в секции "Атомные процессы на поверхности, границах раздела и в объеме кремния: дефекты, примесные атомы, гетерограницы" на XIII Международной конференции «Кремний-2020»
- Диплом за доклад на ХХ Всероссийской молодежной конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроронике

- Стипендия конкурса ИФП СО РАН для молодых ученых, 2017 год
- Диплом 3-й степени за участие в МНСК-2017
- Диплом 3-й степени за участие в МНСК-2013
Участие в грантах:
- Гранты РФФИ 13-02-01214, 14-02-31440, 14-08-31552, 16-02-00518, 18-32-00551
- РНФ № 19-72-30023
Отчёты о выполнении НИР:
2-й семестр:
1) Получены зависимости концентрации и ширины области обеднения по двумерным островкам Ge на поверхности Si(111)-(7x7) от скорости осаждения при Т=650°С;
2) Обнаружено, что кинетика двумерно-островкового зарождения в центре террас лимитируется встраиванием адатомов в ступень, тогда как вблизи ступеней – их поверхностной диффузией;
3) Определены размеры критического зародыша i двумерного островка в центре террас – i = 3-4 (T=600°С, 650°С); вблизи ступени – i = 4-18 (Т=600°С) и i ≳ 20 (Т=650°С);
4)Произведена оценка эффективной энергии активации двумерно-островкового зарождения Ge в центре террас – E2D ∼1,2 эВ.
3-й семестр:
1) Из анализа ширины области обеднения по 2D островкам вблизи ступеней W показано, что Si и Si-Ge нанокластеры являются частицами, определяющими поверхностную диффузию при повышенных температурах роста на поверхности Si(111)-(7×7);
2) Определены энергии активации диффузии Si и Si-Ge нанокластеров – 1.8 эВ и 1.3–1.4 эВ, соответственно;
3) Кинетика 2D-островкового зарождения при осаждении Si и Ge на поверхность Si(111)-(7×7) вблизи ступеней лимитируется поверхностной диффузией нанокластеров (размер критического зародыша 2D островка состоит из i≫1 нанокластеров), тогда как в центре террас – барьерами на встраивание нанокластеров в край островка (размер критического зародыша 2D островка состоит из i~1 нанокластера);
4) Проведены эксперименты по наблюдению сверхструктурных переходов при осаждении олова на поверхность Si(111) в области температур 600-850℃.
4-й семестр:
1) Продемонстрирована возможность методом in situ СВВ ОЭМ наблюдать сверхструктурный переход
(√3×√3)⇔(1×1), индуцированный адсорбцией Sn на поверхность Si(111)
2) Показано, что при отсутствии соответствующего внешнего потока Sn происходит значительная десорбция Sn с поверхности, приводящая к сверхструктурному переходу (1×1)⇒(√3×√3)
3) Поверхность, покрытая менее чем 1,5 БС Sn обладает большим количеством дефектов
4) Показано, что эффекты формирования доменов сверхструктур (√3×√3) и (1×1) зависят от направления пропускания электрического тока через образец
5-й семестр:
1) Визуализированы морфологические и структурные трансформации происходящие на поверхности Si(111) в процессе адсорбции, десорбции и электромиграции Sn при T=300–800°C.
2) Обнаружено, что электрическое поле оказывает сильное влияние на зарождение и исчезновение аморфной фазы “1×1”-Sn, заполнение ей всей поверхности и, соответственно, обратимый сверхструктурный переход (√3×√3)⇔“1×1”.
3) При нулевом потоке домены фазы “1×1” ограниченных размеров перемещаются по поверхности в направлении, противоположенном электрическому полю.
4) Показано, что эшелоны ступеней и отдельные атомные ступени выступают в качестве барьеров для электромиграции атомов Sn в направлении вышележащих террас.
5) Возможность управления электрическим полем на поверхности Si(111) позволяет создать поверхность с самоорганизующимся покрытием, обладающими участками с повышенной (≥1 МС, структура (2√3×2√3)) и пониженной (~1/3 МС, структура (2√3×2√3)) концентрациями Sn.
6-й семестр:
1) Измерены скорости формирования и исчезновения поверхностных структур Sn при T=600-825℃
2) Показано, что при Т>650℃ структура (√3×√3)-Sn представляет собой смесь атомов Sn и Si
3) При Т>650℃ уменьшается расход Sn на формирование структуры (√3×√3)-Sn
4) При Т>750℃ становится существенной десорбция Sn с поверхности
5) Измерена скорость растворения домена “1×1”-Sn вблизи ступени при Т=500℃
7-й семестр:
1) Показано, что формирование мозаичной фазы (√3×√3) при осаждении Sn приводит к наблюдаемому сдвигу атомных ступеней в направлении вышележащих террас при температурах выше 650°C. При этом, вышедшие на террасу атомы Si участвуют в формировании структуры (√3×√3)-Sn, что определяет уменьшение покрытий Sn, требуемых для формирования этой структуры.
2) Получены оценки активационных энергий десорбции Sn c поверхности Sn/Si(111): 2,0 ± 0.2 эВ — соответствует началу индуцированного десорбцией структурного перехода “1×1”-Sn ⇒ (√3×√3)-Sn; 2.5 эВ ± 0.3 эВ — соответствует десорбции разупорядоченного слоя Sn c поверхности Si(111)-(√3×√3)-Sn.
3) Получена оценка величины положительного эффективного заряда адатома Sn на поверхности Si(111)-(√3×√3)-Sn — 0.01×e (где e — элементарный заряд).
4) Экспериментально установлено, что при Т≥800℃ адсорбция 1.1 МС Sn (1 МС = 7.8×1014 см−2) с дальнейшей десорбцией до 0.33 МС приводит к последовательному уменьшению ширины эшелонов в связи с кластерированием ступеней внутри эшелонов и значительному смещению отдельных атомных ступеней, что указывает на повышенный массоперенос адатомов Si, индуцированный присутствием на поверхности Sn.
5) Положения зарождающихся двумерных островков на поверхности Si(111)-(√3×√3)-Sn при осаждении Si при
Аннотация выпускной квалификационной работы: