Азаров Иван Алексеевич

Дата рождения:	11.08.1989
Вуз (дата окончания):	НГУ (2013)
Год поступления в аспирантуру:	2013
Форма обучения:	очная
Направление подготовки:	03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность:	01.04.10 - "Физика полупроводников"
Научный руководитель:	д.ф.-м.н. Швец Василий Александрович
Лаборатория:	Лаб. №2
E-mail:	azarov_ivanmail.ru

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

Название	Первая страница
Азаров И.А., Швец В.А., Прокопьев В.Ю., Дулин С.А., Рыхлицкий С.В., Чопорова Ю.Ю., Князев Б.А., Кручинин В.Н., Кручинина М.В., Эллипсометр терагерцового диапазона, Приборы и техника эксперимента. 2015, №3, с. 71–78
I. A. Azarov, V. A. Shvets, V. Yu. Prokopiev, S. A. Dulin, S. V. Rykhlitskii, Yu. Yu. Choporova, B. A. Knyazev, V. N. Kruchinin, and M. V. Kruchinina, A Terahertz Ellipsometer, Instruments and Experimental Techniques, 2015, Vol. 58, No. 3, pp. 381–388.
Русинов И.П.; Терещенко О.Е.; Кох К.А.; Шахмаметова А.Р.; Азаров И.А.; Чулков Е.В., Роль анизотропии и спин-орбитального взаимодействия в оптических и диэлектрических свойствах соединений BiTeI и BiTeCl, Письма в ЖЭТФ, 2015 г.,том 101, вып.8, с. 563-568
В.А.Швец, И.А.Азаров, Е.В.Спесивцев, С.В.Рыхлицкий, М.В.Якушев, Д.В.Марин, Н.Н.Михайлов, В.Д.Кузьмин, В.Г.Ремесник, С.А.Дворецкий, Методические и приборные проблемы создания высокоточной эллипсометрической in situ диагностики состава КРТ в технологии МЛЭ, Принято к печати в ПТЭ
И.А. Азаров, В.А.Швец, С.А.Дулин, В.Г.Ремесник, В.А.Володин, Н.Н.Михайлов, С.В.Рыхлицкий, С.А.Дворецкий, Д.Г.Икусов, И.Н.Ужаков, Г.К.Кривякин, П.В.Волков, А.Ю.Лукьянов, И.А.Зарубин, Низкотемпературная термометрия подложек в технологии МЛЭ КРТ, Направлено в ПФ
К.Н. Астанкова, Е.Б. Горохов, В.А. Володин, Д.В. Марин, И.А. Азаров, А.В. Латышев, Люминесценция в пленках GeOx, содержащих нанокластеры германия, № 5 – 6 2016 РОССИЙСКИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ
K.N.Astankova, E.B.Gorokhov, V.A.Volodin, D.V.Marin, I.A.Azarov and A. V. Latyshev, Luminescence in GeOx Films Containing Germanium Nanoclusters, NANOTECHNOLOGIES IN RUSSIA Vol. 11 Nos. 5–6 2016
М.В. Якушев , В.А. Швец, И.А. Азаров, С.В. Рыхлицкий, Ю.Г. Сидоров, Е.В. Спесивцев, Т.С. Шамирзаев, Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd1−zZnzTe методом спектральной эллипсометрии, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, вып. 1, стр. 62

Труды конференций:

Название	Обложка	Первая страница
Yulia Yu. Choporova, Ivan A. Azarov, Michael S. Mitkov, Evgeniy S. Baklanov, Elvia V. Grigorieva, Valery S. Cherkassky, Vasily A. Shvets, Boris A. Knyazev, Polarimetry at Novosibirsk terahertz free electron laser facility, 39th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. September 14-19th, 2014. The University of Arizona, Tucson, AZ
И.А. Азаров, Ю.Ю. Чопорова, М.С.Митьков, Б.A. Князев, В.А. Швец, Эллипсометрические исследования на новосибирском лазере на свободных электронах, XX Национальная конференция по использованию Синхротронного Излучения "СИ-2014", 7 - 10 июля 2014 г. Новосибирск
В.А.Швец, С.В.Рыхлицкий, Е.В.Спесивцев, В.Ю.Прокопьев, И.А.Азаров, Ю.Г.Сидоров, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, М.В.Якушев, Эллипсометрический in situ контроль состава КРТ: проблемы, достижения и перспективы, Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных) посвящённые 50-летию образования Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН 15-18 сентября 2014г., Новосибирск
I. A. Azarov, Yu. Yu. Choporova, B. A. Knyazev, V. A. Shvets, Ellipsometry at Novosibirsk terahertz free electron laser facility, The 4th Russia-Japan-USA Symposium on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies June 9-12, 2015 IMT, ISSP, Chernogolovka, Russia
В.А. Швец, Е.В. Спесивцев, И.А. Азаров, С.В. Рыхлицкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.Д. Кузьмин, Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Метод эллипсометрии в технологии процессов молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллура, Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) Фотоника 2015, 12-16 октября 2015 г., Новосибирск
И.А. Азаров, В.А. Швец, Б.А. Князев, Ю.Ю. Чопорова, С.В. Рыхлицкий, В.Ю. Прокопьев, Эллипсометрический комплекс терагерцового диапазона, Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) Фотоника 2015, 12-16 октября 2015 г., Новосибирск
И.А. Азаров, В.А.Швец, С.А.Дулин, В.Г.Ремесник, В.А.Володин, Н.Н.Михайлов, С.В.Рыхлицкий, С.А.Дворецкий, Д.Г.Икусов, И.Н.Ужаков, Г.К.Кривякин, П.В.Волков, А.Ю.Лукьянов, И.А.Зарубин, Низкотемпературная термометрия подложек в технологии МЛЭ КРТ, XXIV Международная конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения 24-27 мая 2016, Москва
В.А.Швец, И.А. Азаров, Е.В.Спесивцев, С.В.Рыхлицкий, М.В.Якушев, Д.В.Марин, Н.Н.Михайлов, В.Д.Кузьмин, В.Г.Ремесник, С.А.Дворецкий, Высокоточная эллипсометрия для in situ диагностики процессов роста слоёв КРТ в технологии МЛЭ, XXIV Международная конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения 24-27 мая 2016, Москва

Личное участие в конференциях:

Название	Обложка тезисов	Обложка программы	Время выступления	Первая страница
И.А. Азаров, В.А. Швец, Б.А. Князев, Ю.Ю. Чопорова, С.В. Рыхлицкий, В.Ю. Прокопьев, , Эллипсометрический комплекс терагерцового диапазона, Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) Фотоника 2015, Новосибирск, 12-16 октября 2015 г., стендовый доклад

Участие в грантах:

1. РФФИ Оригинальные свойства окисных слоев германия, возникающие при структурно-химических модификациях, и возможности их применения в наноэлектронике и нанофотонике.