
Стрыгин Иван Сергеевич
Дата рождения: | 03.04.1991 |
Вуз (дата окончания): | НГУ (2014) |
2014 | |
Форма обучения: | очная |
03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
Тема диссертации: | Равновесные и неравновесные свойства низкоразмерных электронных систем на основе гетероструктур GaAs/AlAs |
Научный руководитель: |
д.ф.-м.н., проф. Быков Алексей Александрович |
Лаборатория: | Лаб. №26 |
E-mail: |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
Научно-педагогическая практика:
- НГУ, кафедра АФТИ, курс «Практическое программирование», время проведение практики: пн 10:50 – 13:30, вт 13:30 – 14:10
Отчёты о выполнении НИР:
1-й семестр:
Проведен самосогласованный расчет квантовых ям с двумя и тремя заполненными подзонами размерного квантования, также проведена работа с литературой. Исследованы магнетотранспортные свойства двухподзонной электронной системы в периодическом потенциале квадратной решетки антиточек.2-й семестр:
Проведен поиск научной литературы по одномерным латеральным решеткам на основе полупроводниковых селективно-легированных гетероструктур. Рассчитана амплитуда одномерного периодического потенциала в одномерной решетке с периодом 400 нм. Исследован линейный магнетотранспорт двумерных электронов в одномерных решетках с периодом 200 и 400 нм на основе гетероструктур GaAs/AlAs.3-й семестр:
Проведен поиск научной литературы по моделям магнетотранспорта двумерного электронного газа в одномерном периодическом потенциале. Рассчитаны зависимости сопротивления двумерного электронного газа от магнитного поля для решеток с периодами 200, 300, 400, 500 и 600 нм в рамках классической модели. Исследованы линейные свойства одномерных латеральных решеток на основе гетероструктур GaAs/AlAs с периодами 200, 300, 400, 500 и 600 нм при температуре 4.2K. Исследовано микроволновое фотосопротивление в решетках с периодами 200 и 500 нм при температуре 1.6K.