Дата рождения: |
10.06.1990 |
Вуз (дата окончания): |
НГТУ (2014) |
Год поступления в аспирантуру: |
2014 |
Форма обучения: |
очная |
Направление подготовки: |
03.06.01 - "Физика и астрономия" |
Специальность: |
01.04.10 - "Физика полупроводников" |
Тема диссертации: |
МЛЭ GaAs на вицинальных подложках Si(001):влияние условий зарождения и роста на морфологию поверхности и кристаллографические свойства эпитаксиальных слоев |
Научный руководитель: |
к.ф.-м.н. Путято Михаил Альбертович |
Лаборатория: |
Лаб. №17 |
E-mail: |
maikdiisp.nsc.ru |
Название | Первая страница |
И.Д. Лошкарев, А.П. Василенко, Е.М. Труханов, А.В. Колесников, М.А. Путято, М.Ю. Есин, М.О. Петрушков «Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)» Письма в ЖТФ, 2017, том 43, вып. 4, с.64-71 |
 |
Д.С. Абрамкин, М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.В. Васев, М.Ю. Есин, И.Д. Лошкарев, А.К. Гутаковский, В.В. Преображенский, Т.С. Шамирзаев «Влияние дислокационного фильтра на основе LT-GaAs на совершенство слоев GaAs/Si» АВТОМЕТРИЯ, 2018, том 54, вып. 2, C. 85-92. |
 |
И.Д. Лошкарев, А.П. Василенко, Е.М. Труханов, А.В. Колесников, М.О. Петрушков, М.А. Путято «Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра» Письма в ЖТФ, 2018, том 44, вып. 13, C. 19-27. |
 |
М.О. Петрушков, М.А. Путято, И.Б. Чистохин, Б.Р. Семягин, Е.А. Емельянов, М.Ю. Есин, Т.А. Гаврилова, А.В. Васев, В.В. Преображенский «Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn3P2». Письма в ЖТФ, 2018, том 44, вып. 14, c. 19-25. |
 |
Название | Обложка | Первая страница |
Mikhail О. Petrushkov, Mikhail А. Putyato, Valerii V. Preobrazhenskii et al. // 14th International Conference of Young Specialists in Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2013. P. 27-32. |
 |
 |
Mikhail О. Petrushkov, Eugene А. Emelyanov, Nikolai A. Pakhanov et al. // 15th International Conference of Young Specialists in Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2014. P. 45-50. |
 |
 |
Dmitry M. Legan, Michael O. Petrushkov, Eugene A. Emelianov et al. // 16th International Conference of Young Specialists in Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2015. P. 45-48. |
 |
 |
Mikhail О. Petrushkov, Mikhail А. Putyato, Valerii V. Preobrazhenskii et al. // 16th International Conference of Young Specialists in Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. 2015. P. 61-64. |
 |
 |
Petrushkov, M.O., Putyato, M.A., Gutakovsky, A.K., et al. // Journal of Physics: Conference Series 741 (2016) 012020. |
 |
 |
М. О. Петрушков, М. А. Путято, А. К. Гутаковский и др. Влияние слоев LT-GaAs на кристаллические свойства эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках Si. «КРЕМНИЙ 2016», 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск. |
 |
 |
Т.С. Шамирзаев, М.А. Путято, Д.С. Абрамкин и др. Формирование, структура и люминесценция гибридных подложек GaP/Si. «КРЕМНИЙ 2016», 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск. |
 |
 |
M. О. Petrushkov, M. А. Putyato, A. K. Gutakovsky et al. // Impact of LT-GaAs layers on crystalline properties of the epitaxial GaAs films grown by MBE on Si substrates // 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures «Saint Petersburg OPEN 2016», March 28 – 30, 2016, Saint Petersburg. |
 |
 |
М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, М. А. Путято и др. // Выращивание гетероструктур AIIIBV на подложках кремния методом МЛЭ для фотоэлектрических преобразователей // Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА 2015», 12-16 октября 2015 г., Новосибирск. |
 |
 |
M. Petrushkov, E. Emelyanov, M. Putyato et al. Impact of nucleation conditions on the properties of GaSb/Si films with MBE. 19-й Европейский семинар по молекулярно-лучевой эпитаксии «Euro MBE 2017». 19 - 22 марта 2017 года, п. Коробицыно, г. Санкт-Петербург. |
 |
 |
Е.А. Емельянов, М.О. Петрушков, М.А. Путято и др. XXI Международный симпозиум "НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА", 13-16 марта 2017г., Нижний Новгород. |
 |
 |
Петрушков М.О., Абрамкин Д.С., Преображенский В.В. и др. // ФОРМИРОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР GAAS/SI // XV МЕЖДУНАРОДНАЯ МОЛОДЕЖНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ И ЛАЗЕРНОЙ ФИЗИКЕ. Село Аршан, Республика Бурятия, 18-24 июля, 2016. |
|
|
M. Petrushkov, E. Emelyanov, M. Putyato, B. Semyagin, A. Gutakovsky, S. Handarhaeva, A.Vasilenko, M. Esin, A. Vasev, A. Talochkin, V. Preobrazhenskii «Impact of nucleation conditions on the properties of GaSb/Si films with MBE». 19-й Европейский семинар по молекулярно-лучевой эпитаксии «Euro MBE 2017», 19 - 22 марта 2017 года, п. Коробицыно, г. Санкт-Петербург. |
 |
 |
Mikhail O. Petrushkov, Mikhail A. Putyato, Eugeny А. Emelyanov et al. «Improvement of GaAs/Si epitaxial films optical properties by means of low-temperature GaAs intermediate layers». Международная конференция Nano and Giga Challenges in Electronics, Photonics and Renewable Energy «NGC2017», 18-22 сентября 2017 года, г. Томск. |
 |
 |
Д.С. Абрамкин, М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов и др. «Эпитаксиальные слои GaAs/Si как база для интеграции A3B5 гетероструктур в кремниевую технологию». Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника 2017», 11-15 сентября 2017 года, г. Новосибирск. |
 |
 |
Петрушков М.О., Путято М.А, Семягин Б.Р. и др. «Влияние условий зарождения на свойства пленок GaSb/Si(001), выращенных методом МЛЭ». XIII Российская конференция по физики полупроводников, 2-6 октября 2017 года, г. Екатеринбург. |
 |
 |
Лошкарев И.Д., Василенко А.П., Петрушков М.О. и др. «Дислокационная структура и поворот кристаллической решетки пленки на отклоненной подложке Si (001)». XIII Российская конференция по физики полупроводников, 2-6 октября 2017 года, г. Екатеринбург. |
 |
 |
Емельянов Е.А., Петрушков М.О., Лошкарев И.Д. и др. «МЛЭ твердых растворов InAsxSb1 x на вицинальных подложках GaAs(001) с использованием потоков молекул As2 и As4». XIII Российская конференция по физики полупроводников, 2 6 октября 2017 года, г. Екатеринбург. |
 |
 |
Д.М. Леган, О.П. Пчеляков, М.О. Петрушков, В.В. Преображеский «Вычисление оптимальной толщины слоя InGaAs в трехкаскадном InGaAs/GaAs/InGaP солнечном элемента в зависимости от величины времени жизни неосновных носителей заряда в этом слое». Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника 2017», 11-15 сентября 2017 |
 |
 |
М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, М.А. Путято и др. «Формирование р+ -областей в полупроводниковых структурах AIIIBV методом диффузии цинка с использованием Zn3P2». Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника 2017», 11-15 сентября 2017 |
 |
 |
М.А. Путято, Н.А. Валишева, М.О. Петрушков и др. «Проблемы создания гибких двухкаскадных фотоэлектрических преобразователей на основе гетероструктур InGaP/GaAs». Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника 2017», 11-15 сентября 2017 |
 |
 |
Д.С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М.А. Путято и др. Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на GaAs/Si эпитаксиальных слоях. XXII Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", 12-15 марта, Нижний Новгород, стендовый доклад. |
 |
 |
Название | Обложка тезисов | Обложка программы | Время выступления | Первая страница |
Mikhail О. Petrushkov, Mikhail А. Putyato, Boris R. Semyagin, Eugene А. Emelyanov, Dmitry F. Feklin, Valerii V. Preobrazhenskii, GaAs MBE on Vicinal Substrates Si(001): Impact of Nucleation and Growth Conditions on Surface Morphology and Crystallographic Properties of the Epitaxial Layers, 14th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2013, Erlagol, Altai; Russian Federation, 1 July 2013 through 5 July 2013, устный доклад |
 |
|
|
 |
Mikhail О. Petrushkov, Eugene А. Emelyanov, Nikolai A. Pakhanov, Valerii V. Preobrazhenskii, Mikhail А. Putyato, Oleg P. Pchelyakov, GaAs layers grown on silicon substrates by MBE for photovoltaic application, 15th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2014, Erlagol, Altai; Russian Federation, 30 June 2014 through 4 July 2014, устный доклад |
 |
|
|
 |
Mikhail О. Petrushkov, Mikhail А. Putyato, Valerii V. Preobrazhenskii, Boris R. Semyagin, Eugene А. Emelyanov, GaAs MBE on Vicinal Substrates Si (001): Impact of Nucleation and Growth Conditions on Crystallographic Properties of the Epitaxial Layers, 16th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2015, Erlagol, Altai; Russian Federation, 29 June 2015 through 3 July 2015, устный доклад |
 |
|
|
 |
М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Н. А. Паханов, О. П. Пчеляков, В. В. Преображенский, Выращивание гетероструктур AIIIBV на подложках кремния методом МЛЭ для фотоэлектрических преобразователей, Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА 2015», Новосибирск, 12-16 октября 2015 г., стендовый доклад |
 |
 |
 |
 |
M. О. Petrushkov, M. А. Putyato, A. K. Gutakovsky, V. V. Preobrazhenskii, E. А. Emelyanov, B. R. Semyagin, A.V. Vasev, Impact of LT-GaAs layers on crystalline properties of the epitaxial GaAs films grown by MBE on Si substrates, 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures «Saint Petersburg OPEN 2016», Saint Petersburg, March 28 – 30, 2016, стендовый доклад |
 |
|
|
 |
М. О. Петрушков, М. А. Путято, А. К. Гутаковский, В. В. Преображенский, Е. А. Емельянов, Б. Р. Семягин, А. В. Васев, И. Д. Лошкарев, Влияние слоев LT-GaAs на кристаллические свойства эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках Si, XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ 2016», Новосибирск, 12-15 сентября 2016 г., стендовый доклад |
 |
 |
 |
 |
M. Petrushkov, E. Emelyanov, M. Putyato, B. Semyagin, A. Gutakovsky, S. Handarhaeva, A. Vasilenko, M. Esin, A. Vasev, A. Talochkin, V. Preobrazhenskii
, Impact of nucleation conditions on the properties of GaSb/Si films with MBE, 19-й Европейский семинар по молекулярно-лучевой эпитаксии «Euro MBE 2017», п. Коробицыно, г. Санкт-Петербург. , 19-22 марта 2017г., стендовый доклад |
 |
 |
 |
 |
Mikhail O. Petrushkov, Mikhail A. Putyato, Eugeny А. Emelyanov, Ivan D. Loshkarev, Demid S. Abramkin, Boris R. Semyagin, Andrey V. Vasev and Valerii V. Preobrazhenskii , Improvement of GaAs/Si epitaxial films optical properties by means of low-temperature GaAs intermediate layers, Международная конференция Nano and Giga Challenges in Electronics, Photonics and Renewable Energy «NGC2017», г. Томск., 18-22 сентября 2017 года, стендовый доклад |
|
 |
 |
 |
Петрушков М.О., Путято М.А, Семягин Б.Р., Лошкарев И.Д., Василенко А.П., Есин М.Ю., Васев А.В., Хандархаева С.Е., Гутаковский А.К., Преображенский В. В. , Влияние условий зарождения на свойства пленок GaSb/Si(001), выращенных методом МЛЭ, XIII Российская конференция по физики полупроводников, г. Екатеринбург. , 2-6 октября 2017 года, стендовый доклад |
 |
 |
 |
 |
М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, И.Б. Чистохин, А.В. Васев, С.М. Гущин, Е.В. Скоробов, В.В. Преображенский, Формирование р+ -областей в полупроводниковых структурах AIIIBV методом диффузии цинка с использованием Zn3P2, Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника 2017», г. Новосибирск, 11-15 сентября 2017 года, стендовый доклад |
 |
|
|
 |