
Леган Дмитрий Михайлович
Дата рождения: | 15.01.1987 |
Вуз (дата окончания): | НГТУ (2011) |
2014 | |
Форма обучения: | очная |
03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
Тема диссертации: | Исследование и оптимизация гетероэпитаксиальных микро- и нанослоев соединений AIIIBV, выращенных для высокоэффективных солнечных элементов |
Научный руководитель: |
д.ф.-м.н., проф. Пчеляков Олег Петрович |
Лаборатория: | Лаб. №17 |
E-mail: |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
Труды конференций:
Личное участие в конференциях:
Личные достижения (дипломы, гранты, награды, сертификаты, именные стипендии):
- Диплом за лучший стендовый доклад в секции «физика полупроводников и диэлектриков» на конференции ВНКСФ-22, 2016 год.
Участие в грантах:
- Грант РНФ №16-12-00023: «Полупроводниковые наногетероструктуры для высокоэффективных термофотовольтаических элементов». Руководитель проекта: О. П. Пчеляков.
- Грант РФФИ №16-29-03292: «Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур на основе Ge-Si-Sn для многокаскадных солнечных элементов. Руководитель проекта: О. П. Пчеляков.
Научно-педагогическая практика:
- Новосибирский Государственный Университет. Руководитель: А. В. Двуреченский. Название курса: «Радиационная физика».
Отчёты о выполнении НИР:
1-й семестр:
1. Проведен анализ литературы, посвященной созданию эффективных солнечных элементов на основе соединений A3B5, выращенных на различных подложках и носителях.2. Освоен программный модуль «Epi/Matpar» из программного пакета «Sentaurus TCAD», необходимый для моделирования многослойных эпитаксиальных структур.
3. Освоена методика измерения ВАХ и КПД солнечных элементов с помощью установки – имитатора солнечного излучения.
2-й семестр:
1. Проведен анализ литературы, посвященной созданию эффективных солнечных элементов на основе соединений A3B5, выращенных на различных подложках и носителях.2. С помощью программного пакета «Sentaurus TCAD» был смоделирован кремниевый солнечный элемент, для дальнейшего моделирования InGaP/GaAs/Si (подложка) солнечного элемента.
3-й семестр:
1. Проведен анализ литературы, посвященной созданию 3-х каскадных инвертированных In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P солнечных элементов, а также исследованию их выходных характеристик.2. С помощью программного пакета «Sentaurus TCAD» был смоделирован каскад In0.3Ga0.7As инвертированного трехкаскадного In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P солнечного элемента.
4-й семестр:
1. Проведен анализ литературы, посвященной созданию 3-х каскадных инвертированных In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P солнечных элементов, а также исследованию их выходных характеристик.2. С помощью программного пакета «Sentaurus TCAD» был смоделирован каскад In0.3Ga0.7As инвертированного трехкаскадного In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P солнечного элемента и была проведена оптимизация его толщины в зависимости от времени жизни неосновных носителей заряда.
5-й семестр:
Была придумана и выращена структура эпитаксиальных слоев In0.3Ga0.7As на полуизолирующей подложке GaAs через градиентные буферные слои AlAs -> In0.3Al0.7As. Начаты эксперименты по измерению времени жизни неосновных носителей заряда в слое In0.3Ga0.7As.6-й семестр:
Был проведен поиск оптимальной температуры излучающего тела, необходимой для выравнивания токов неравновесных носителей заряда в обоих каскадах в двухкаскадном Si-GaSb термофотоэлементе.