Дата рождения: |
16.07.1992 |
Вуз (дата окончания): |
НГТУ (2015) |
Год поступления в аспирантуру: |
2015 |
Форма обучения: |
очная |
Направление подготовки: |
03.06.01 - "Физика и астрономия" |
Специальность: |
01.04.10 - "Физика полупроводников" |
Тема диссертации: |
Фото- и электролюминесценция нанокристаллов кремния и германия в аморфной матрице |
Научный руководитель: |
д.ф.-м.н. Володин Владимир Алексеевич |
Лаборатория: |
Лаб. №24 |
E-mail: |
krivyakinisp.nsc.ru |
Название | Первая страница |
G.K. Krivyakin, A.S. Pleshkov, A.V. Zverev, I.I. Ryabtsev, V.L. Kurochkin. Noise reduction methods of single photon detector based on InGaAs/InP avalanche photodiodes. // Journal of Physics: Conference Series 541 (2014) 012050 |
 |
Г.К. Кривякин, В.А. Володин, С.А. Кочубей, Г.Н. Камаев, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik. Оптические свойства p-i-n структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния, сформированными с применением наносекундных лазерных отжигов. Физика и Техника Полупроводников, 2016, том 50, в. 7, с. 952-957. |
 |
V.A. Volodin, G.K. Krivyakin, A. A. Shklyaev, S.A. Kochubei, G.N. Kamaev, A.V. Dvurechendkii, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik. Hydrogenated amorphous silicon based p-i-n structures with Si and Ge nanocrystals in i-layers. Proc. SPIE, - 2016, - vol. 10224, P.102240D1-102240D. |
|
А. В. Двуреченский, В. А. Володин, Г. К. Кривякин, А. А. Шкляев, С. А. Кочубей, И. Г. Неизвестный, J. Stuchlik. Исследование фазового и элементного составов наносистем GeSi методом комбинационного рассеяния света при фемтосекундном имульсном отжиге. Автометрия, 2016, том 52, номер 5, с. 97-102. |
 |
Г.К. Кривякин, В.А. Володин, А.А. Шкляев, V. Mortet, J. More-Chevalier, P. Ashcheulov, Z. Remes, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik. Формирование и исследование p-i-n-структур на основе двухфазного гидрогенизированного кремния со слоем германия в i-области. Физика и Техника полупроводников, 2017, том 51, в. 10, с. 1420-1425. |
 |
Володин В.А., Rui Zhang, Кривякин Г.К., Антоненко А.Х., Stoffel M. Формирование светоизлучающих в ИК-диапазоне нанокристаллов германия в плeнках Ge:SiO2. Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, в. 9, с. 1056-1065. |
 |
Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Кривякин Г.К., Родякина Е.Е., Кучинская П.А., Фомин Б.И., Яблонский А.Н., Степихова М.В., Новиков А.В., Двуреченский А.В. Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001). Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, в. 9, с. 1028-1033. |
 |
Тысченко И.Е., Кривякин Г.К., Володин В.А. Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiOxNy при отжиге под высоким давлением. Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, в. 2, с. 280-284 |
 |
G. K. Krivyakin, G. N. Kamaev, G. D. Ivlev, S. L. Prakopyeu, and V. A. Volodin. Crystallization of submicron amorphous hydrogenated silicon films with different hydrogen concentration by nanosecond ruby laser irradiation. J. Laser Appl. 31, 012006 (2019) |
 |
Название | Обложка | Первая страница |
G.K. Krivyakin, A.S. Pleshkov, A.V. Zverev, I.I. Ryabtsev, V.L. Kurochkin. Noise reduction methods of single photon detector based on InGaAs/InP avalanche photodiodes. 1st International Conference and School "Saint-Petersburg OPEN 2014", Saint–Petersburg, 24 march, p. 198. Стендовый доклад. |
|
 |
В.А. Володин, М.П. Гамбарян, Г.К. Кривякин, Г.Н. Камаев, С.А. Кочубей, А.Г. Черков, В.И. Вдовин, M.Vergnat, J. Stuchlik, А.В. Двуреченский. Светоизлучающие нанокристаллы Si, Ge и GeSi в различных матрицах: формирование, структурные и оптические свойства. Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники, Фотоника-2015, Новосибирск, 12-16 октября 2015г., с. 36. Приглашённый доклад. |
|
 |
V.A. Volodin, G.N. Kamaev, S.A. Kochubei, G.K. Krivyakin, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik. Electroluminescence stimulated by silicon nanoparticles which are created by laser recrystallization of a-Si:H. 5-ая Всероссийская конференция «Фундаментальные основы МЭМС- и нанотехнологий», том 1, с. 107-111, Новосибирск, 15 – 18 июня 2015 г. Устный доклад. |
|
 |
Г.К. Кривякин, В.А. Володин, Г.Н. Камаев, С.А. Кочубей, А.А. Шкляев, J. Stuchlik, А.В. Двуреченский. Нанокристаллы кремния и германия в плёнках аморфного гидрогенизированного кремния: формирование и оптические свойства. Кремний-2016, XI конференция, Новосибирск, 12-15 сентября 2016 г., с. 156. Стендовый доклад. |
|
 |
И.Е. Тысченко, К.К. Павлова, Г.К. Кривякин, В.А. Володин. Оптические свойства пленок SiOxNy на кремнии, имплантированных ионами Ge+ и отожженных при высоком давлении. Кремний-2016, XI конференция, Новосибирск, 12-15 сентября 2016 г., с. 155. Стендовый доклад. |
|
 |
Г.К. Кривякин, В.А. Володин, Г.Н.Камаев, Г.Д. Ивлев. Влияние водорона на порог плавления плёнок аморфного гидрогенизированного кремния. Фотоника 2017, 11-15 сентября 2017 г., с. 91. Стендовый доклад. |
|
|
Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов, Н.М. Лядов, В.А. Володин, Г.К. Кривяин, Г.Д. Ивлев. Структура и оптические свойства наночастиц Ge, полученных на поверхности оксидных подложек импульсным лазерным взаимодействием. Фотоника 2017, 11-15 сентября 2017 г., с. 148. Стендовый доклад. |
|
|
Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, П.А. Кучинская, Е.Е. Родякина, Б.И. Фомин, В.А. Армбристер, Г.К. Кривякин, А.В. Двуреченский. Методы формирования ансамбля квантовых точек Ge/Si на структурированных подложках для перспективной элементной базы кремниевой фотоники. Фотоника 2017, 11-15 сентября 2017 г., с. 31. Устный доклад. |
|
|
Название | Обложка тезисов | Обложка программы | Время выступления | Первая страница |
G.K. Krivyakin, A.S. Pleshkov, A.V. Zverev, I.I. Ryabtsev, V.L. Kurochkin, Noise reduction methods of single photon detector based on InGaAs/InP avalanche photodiodes, 1st International Conference and School "Saint-Petersburg OPEN 2014", Saint–Petersburg, 24 march, стендовый доклад |
 |
|
|
 |
Г.К.Кривякин, В.А. Володин, Г.Н. Камаев, С.А. Кочубей, А.А. Шкляев, J. Stuchlik, А.В. Двуреченский, Нанокристаллы кремния и германия в плёнках аморфного гидрогенизированного кремния: формирование и оптические свойства, Кремний-2016, XI конференция, Новосибирск, 12-15 сентября 2016 г., стендовый доклад |
 |
 |
 |
 |
Г.К. Кривякин, В.А. Володин, Г.Н.Камаев, Г.Д. Ивлев. , Влияние водорона на порог плавления плёнок аморфного гидрогенизированного кремния., Фотоника 2017, Новосибирск, 11-15 сентября 2017 г., стендовый доклад |
|
|
|
|
1-й семестр:
Изготовлен макет p-i-n-светодиода из a-Si:H с нанокристаллическими включениями, исследованы его основные электрооптические характеристики. Также изготовлены и исследованы нанокристаллы в гетеропереходах a-Si:H/a-Ge, сформированные как при росте, так и методом импульсно лазерного отжига. По данной тематике опубликовано 2 статьи и 4 трудов конференций.