Shikin A. M. et al. Topological phase transition in the antiferromagnetic topological insulator MnBi2Te4 from the point of view of axion-like state realization. //Scientific Reports. – 2023. – Т. 13. – №. 1. – С. 16343-16343. DOI: 10.1038/s41598-023-42466-7
Khudaiberdiev D. et al. Mesoscopic Conductance Fluctuations in 2D HgTe Semimetal //Nanomaterials. – 2023. – Т. 13. – №. 21. – С. 2882. DOI: 10.3390/nano13212882
Dayan P´erez-Quintana, Erik Aguirre, Eduardo Olariaga, Sergei A. Kuznetsov, Valeri I. Lapanik, Vitaly S. Sutormin, Victor Ya. Zyryanov, Jose A. Marcotegui, and Miguel Beruete. Reconfigurable Millimeter-wave Reflectarray based on Low Loss Liquid Crystals //IEEE Transactions on Antennas and Propagation. – 2023. DOI: 10.1109/TAP.2023.3329666
Razova A. A. et al. Whispering gallery mode HgCdTe laser operating near 4 μm under Peltier cooling //Applied Physics Letters. – 2023. – Т. 123. – №. 16. DOI: 10.1063/5.0171781
Golyashov V. A., Kokh K. A., Tereshchenko O. E. Transport properties of (Bi, Sb)2Te3 topological insulator crystals with lateral pn junction //Physical Review Materials. – 2023. – Т. 7. – №. 12. – С. 124204. DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.7.124204
Бобин С.Б., Лончаков А.Т. Гигантский планарный эффект Холла в ультрачистом монокристаллическом образце селенида ртути. // Письма в ЖЭТФ. – 2023. – Т. 118. – №. 7-8 (10). – С. 506-512. DOI: 10.31857/S1234567823190060
Estyunin D. A. et al. Comparative Study of Magnetic Properties of (Mn1− x A x IV) Bi2Te4 AIV= Ge, Pb, Sn //Magnetochemistry. – 2023. – Т. 9. – №. 9. – С. 210. DOI: 10.3390/magnetochemistry9090210
Zhuravlev Y. N., Atuchin V. V. Investigation of the Optical Spectra of Barium-Zinc (Aluminum) Fluoroborates and Barium-Zinc Fluorocarbonate from First Principles //Symmetry. – 2023. – Т. 15. – №. 8. – С. 1504. DOI: 10.3390/sym15081504
Мажукина К.А., Румянцев В.В., Дубинов А.А, Уточкин В.В., Разова А.А., Фадеев М.А., Спирин К.Е., Жолудев М.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И., Морозов С.В. Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации. // Письма в ЖЭТФ. – 2023. – Т. 118. – №. 5-6 (9). – С. 311-316. DOI: 10.31857/S1234567823170019
Utochkin V. et al. Mid-IR lasing in HgCdTe multiple quantum well edge-emitting ridges //Applied Optics. – 2023. – Т. 62. – №. 32. – С. 8529-8534. DOI: 10.1364/AO.504295
Filnov S.O., Estyunin D.A., Klimovskikh I.I., Estyunina T.P., Golyashov V.A., Tarasov A.S., Kosyrev N.N., Komarov V.A., Patrin G.S., Rybkina A.A., Vilkov O.Yu., Shikin A.M., Tereshchenko O.E., Chumakov R.G., Lebedev A.M., and Rybkin A.G. Room temperature ferromagnetism in graphene/SiC (0001) system intercalated by Fe and Co //Physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters. – С. 2300336. DOI: 10.1002/pssr.202300336
Cheng Yuzhu, Bulgakov Alexander V., Bulgakova Nadezhda M., Beránek Jiří, Zukerstein Martin, Milekhin Ilya A., Popov Alexander A., Volodin Vladimir A. Ultrafast infrared laser crystallization of amorphous Ge films on glass substrates //Micromachines. – 2023. – Т. 14. – №. 11. – С. 2048. DOI: 10.3390/mi14112048
Rybkina A.A., Gogina A.A., Tarasov A.V., Xin Y., Voroshnin V.Y., Pudikov D.A., Klimovskikh I.I., Petukhov A.E., Bokai K.A., Yuan C., Zhou Z., Shikin A.M., Rybkin A.G. Origin of Giant Rashba Effect in Graphene on Pt/SiC //Symmetry. – 2023. – Т. 15. – №. 11. – С. 2052. DOI: 10.3390/sym15112052
Shklyaev A.A., Utkin D.E., Zheng Zhu, Tsarev A.V. Redirecting Incident Light with Mie Resonance-Based Coatings //Photonics. – MDPI, 2023. – Т. 10. – №. 11. – С. 1286. DOI: 10.3390/photonics10111286
Mirza Inam, Bulgakov Alexander V., Sopha Hanna, Starinskiy Sergey V., Turčiřová Hana, Novák Ondřej, Mužík Jiří, Smrž Martin, Volodin Vladimir A., Mocek Tomáš, Macak Jan M., Bulgakova Nadezhda M. Non-thermal regimes of laser annealing of semiconductor nanostructures: Crystallization without melting //Front. Nanotechnol. – 2023. – Т. 5. – С. 1271832. DOI: 10.3389/fnano.2023.1271832/full
Якунин М.В., Алешкин В.Я., Неверов В.Н., Попов М.Р., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. Магнитосопротивление двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле. // Письма в ЖЭТФ. – 2023. – Т. 118. – №. 11-12 (12). – С. 896-901. DOI: 10.31857/S1234567823240059
Чарикова Т.Б., Шелушинина Н.Г., Неверов В.Н., Попов М.Р. Эффекты туннелирования в сильно анизотропных слоистых сверхпроводниках //Успехи физических наук. – 2024. – Т. 194. – №. 12. DOI: 10.3367/UFNr.2023.11.039604
Гудина С. В., Неверов В. Н., Туруткин К. В., Васильевский И. С., Виниченко А.Н. Контактная разность потенциалов в отсутствие тока через образец в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре InGaAs/InAlAs. // Физика металлов и металловедение. – 2024.– т.125. – №2.
Махмудиан М.М., Энтин М.В. Спиновая структуры и спиновая магнитная восприимчивость двумерных вигнеровских кластеров. // Физика твердого тела. – 2023. – Т. 65. – №. 10. – С. 1769-1776. DOI: 10.61011/FTT.2023.10.56325.188
Ступак М.Ф., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Макаров С.Н., Елесин А.Г. Исследование влияния кристаллического совершенства на величину напряжений в структурах (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с помощью генерации второй гармоники на основе фазового синхронизма. // Оптический журнал. - 2024. - Том 91. - № 2. - С. 88–98. DOI: 10.17586/1023-5086-2024-91-02-88-98
Швец В.А., Марин Д.В., Кузнецова Л.С. Азаров И.А., Якушев М.В., Рыхлицкий С.В. Анализ морфологии поверхности буферных слоёв CdTe с помощью эллипсометрии и интерференционной профилометрии для создания методики контроля роста буферных слоёв. // Оптический журнал. -2024. - Том 91. - № 2. - С. 50–58. DOI: 10.17586/1023-5086-2024-91-02-50-58
Tarasov A.S., Kumar N., Golyashov V.A., Akhundov I.O., Ishchenko D.V., Kokh K.A., Bazhenov A.O., Stepina N.P., Tereshchenko O.E.. Formation of well-ordered surfaces of Bi2-xSbxTe3-ySey topological insulators using wet chemical treatment //Applied Surface Science. – 2024. – Т. 649. – С. 159122. DOI: 10.1016/j.apsusc.2023.159122
Путято М.А., Емельянов Е.А., Петрушков М.О., Васев А.В., Cемягин Б.Р., Преображенский В.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора GaPxAs1-x на вицинальной поверхности (001): кинетическая модель формирования состава в анионной подрешетке. // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2024. – Т. 165. - Вып. 1. – С. 51. DOI: 10.31857/S0044451024010061
Калачёв И.В., Милёхин И.А., Емельянов Е.А., Преображенский В.В., Тумашев В.С., Милёхин А.Г., Латышев А.В. Спектроскопия комбинационного рассеяния света и фотолюминесценция нанопроволок GaAs. // Автометрия. – 2023. - Т. 59. - №6.- С. 3-12. DOI:10.15372/AUT20230601
Мутилин С.В., Гайдук А.Е., Яковкина Л.В, Комонов А.И., Соотс Р.А., Капогузов К.Е., Голод С.В., Принц В.Я. Электрические и оптические переключения в наноструктурах диоксида ванадия, декорированных наночастицами золота. // Сибирский физический журнал. - 2023. - Т. 18. - № 3. - С. 71-82. DOI: 10.25205/2541-9447-2023-18-3-71-82
Милёхин И.А., Курусь Н.Н., Басалаева Л.С., Милёхин А.Г., Чиглинцев Э.О., Чернов А.И., Латышев А.В. Ближнепольная фотолюминесценция монослоев WS2 и MoS2, выращенных методом газофазного химического осаждения. // Сибирский физический журнал. - 2023. - Т. 18. - № 4.
Суханов М.А., Аксенов М.С., Бакаров А.К., Лошкарев И.Д., Журавлев К.С. Пассивация поверхности ИК фотоприемников на основе InSb/InAlSb гетероструктур. // Автометрия. -2024.
Швец В.А. Марин Д.В. Якушев М.В. Рыхлицкий С.В. Эллипсометрический in situ контроль процессов роста буферных слоев ZnTe и CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллура. // Физика и техника полупроводников. – 2023. - Т. 57. - №6. – С. 469. DOI: 10.21883/FTP.2023.06.56476.5278
Direct spectroscopic evidence of magnetic proximity effect in MoS2 monolayer on graphene/Co. / Voroshnin V., Tarasov A.V., Bokai K.A., Chikina A., Senkovskiy B.V., Ehlen N., Usachov D.Yu., Sánchez-Barriga J., Fedorov A.V. // ACS Nano. 2022. V. 16. № 5. P. 7448-7456. DOI: 10.1021/acsnano.1c10391
Transformation of the elemental composition on the GaN surface during a 2D-3D transition. / Maidebura Y.E., Mansurov V.G., Malin T.V., Zhuravlev K.S. // Applied Surface Science. 2022. V. 577. P. 151802. DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.151802
The mechanism of oil viscosity reduction with the addition of graphene nanoparticles./ Pakharukov Y., Shabiev F., Safargaliev R., Mavrinskii V., Vasiljev S., Ezdin B., Grigoriev B., Salihov R. // Journal of Molecular Liquids. 2022. V. 361, P. 119551. DOI: 10.1016/j.molliq.2022.119551
Large and Uniform Single Crystals of MoS2 Monolayers for ppb-Level NO2 Sensing. / Patel C., Singh R., Dubey M., Pandey S.K., Upadhyay S.N., Kumar V., Sriram S., Htay M.T., Pakhira S., Atuchin V.V., Mukherjee S. // ACS Applied Nano Materials. 2022. V. 5. № 7. P. 9415-9426. DOI: 10.1021/acsanm.2c01701
S, N Co-Doped Carbon Dot-Functionalized WO3 Nanostructures for NO2 and H2S Detection. / Patel C., Mandal B., Jadhav R.G., Ghosh T., Dubey M., Das A.K., Htay M.T., Atuchin V.V., Mukherjee S. // ACS Applied Nano Materials. 2022. V. 5. № 2. P. 2492-2500. DOI: 10.1021/acsanm.1c04174
Structural instability at the In-terminated surface of the heavy-fermion superconductor CeIrIn5. / Tarasov A.V., Mende M., Ali K., Poelchen G., Schulz S., Vilkov O. Yu., Bokai K. A. , Muntwiler M., Mandic V., Laubschat C., Kliemt K., Krellner C., Vyalikh D. V.,Usachov D. Yu. // Surfaces and Interfaces. 2022. V. 32. P. 102126. DOI: 10.1016/j.surfin.2022.102126
Rashba Spin Splitting in HgCdTe Quantum Wells with Inverted and Normal Band Structures. / Gudina S.V., Neverov V.N., Popov M.R., Turutkin K.V., Podgornykh S.M., Shelushinina N.G., Yakunin M.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A. // Nanomaterials. 2022. V. 12. № 7. P. 1238. DOI: 10.3390/nano12071238
Stimulated Emission up to 2.75 µm from HgCdTe/CdHgTe QW Structure at Room Temperature. / Utochkin V.V., Kudryavtsev K.E., Dubinov A.A., Fadeev M.A., Rumyantsev V.V., Razova A.A., Andronov E.V., Aleshkin V.Y., Gavrilenko V.I., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Teppe F., Morozov S.V. // Nanomaterials. 2022. V. 12, № 15, P. 2599. DOI: 10.3390/nano12152599
Optical properties of oriented extreme tellurium nanowires formed in restricted spaces of subnanometer-diameter channels./ Poborchii V.V., Fokin A.V., Shklyaev A.A. // Nanoscale Advances. 2023. V. 5. P. 220. DOI: 10.1039/d2na00590e
Interdisk spacing effect on resonant properties of Ge disk lattices on Si substrates. / Shklyaev A.A., Utkin D.E., Tsarev A.V., Kuznetsov S.A., Anikin K.V., Latyshev A.V. // Scientific Reports. 2022. V. 12. P. 8123. DOI: 10.1038/s41598-022-11867-5
Single-shot selective femtosecond and picosecond infrared laser crystallization of an amorphous Ge/Si multilayer stack. / Volodin V.A., Cheng Y, Bulgakov A.V., Levy Y., Beránek J., Nagisetty S.S., Zukerstein M., Popov A.A., Bulgakova N.M. // Optics and Laser Technology. 2023 V. 161. P. 109061. DOI: 10.1016/j.optlastec.2023.109161
Optimization of heterostructure design for switching pHEMT transistors. / Protasov D.Y., Dmitriev D.V., Zhuravlev K.S., Ayzenshtat G.I., Yushchenko A.Y., Pashkovsky A.B. // Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. V. 153, P. 107148. DOI: 10.1016/j.mssp.2022.107148
Formation of germanium nanocrystals and amorphous nanoclusters in GeSiOx films using electron beam annealing. / Zhang F., Volodin V.A., Baranov E.A., Konstantinov V.O., Shchukin V.G., Zamchiy A.O., Vergnat M. // Vacuum. 2022. V. 197. P. 110796. DOI: 10.1016/j.vacuum.2021.110796
Features and applications of the energy shift of the topological surface state. / Estyunin D.A., Schwier E.F., Kumar S., Shimada K., Kokh K., Tereshchenko O.E., Shikin A.M. // Physical Review B. 2022. V. 105. № 12. P. 125303. DOI: 10.1103/PhysRevB.105.125303
Modification of the surface energy and morphology of GaN monolayers on the AlN surface in an ammonia flow. / Maidebura Y.E., Malin T.V., Zhuravlev K.S. // Applied Physics Letters. 2022. V. 120. № 5, P. 53101. DOI: 10.1063/5.0077445
Transformation of energy spectrum and wave functions on the way from a 2D-to-3D topological insulator in HgTe quantum wells. / Minkov G.M., Aleshkin V.Ya., Rut O.E., Sherstobitov A.A., Dvoretski S.A., Mikhailov N.N., Germanenko A.V. // Physical Review B. 2022. V. 106. № 8. P. 85301. DOI: 10.1103/PhysRevB.106.085301
Single-phase CZTSe via isothermal recrystallization in a KI-KCl flux. / Bakhadur A.M., Uralbekov B.M., Atuchin V.V., Mukherjee S., Kokh K.A. // CrystEngComm. 2022. V. 24. № 12. P. 2291. DOI: 10.1039/d1ce01653a
Generating Function Method for Calculating the Potentials of Inhomogeneous Polyhedra. / Nenashev A.V. // Frontiers in Physics. 2022. V. 9. P. 795693. DOI: 10.3389/fphy.2021.795693
Thin active region HgCdTe-based quantum cascade laser with quasi-relativistic dispersion law. / Dubinov A.A., Ushakov D.V., Afonenko A.A., Khabibullin R.A., Fadeev M.A., Morozov S.V. // Optics Letters. 2022. V. 47. № 19. P. 5048. DOI: 10.1364/OL.470688
Magnetic and transport anisotropy of electron-doped Nd2-xCexCuO4+δ with oxygen nonstoichiometric disorder. / Klepikova A.S., Charikova T.B., Popov M.R., Stepanova E.A., Ivanov A.A..// Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 2023. V. 146. P. 115532. DOI: 10.1016/j.physe.2022.115532
Weak antilocalization to weak localization transition in BiSe films on graphene./ Stepina, N. P., Golyashov, V. A., Nenashev, A. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Kirienko, V. V., Koptev, E. S., Goldyreva, E. S., Rybin, M. G., Obraztsova, E. D., & Antonova, I. V. .// Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2022. V. 135. P. 114969. DOI: 10.1016/j.physe.2021.114969
Influence of Substrate Temperature and Sulfurization on Sputtered Cu2SnGe(S,Se)3 Thin Films for Solar Cell Application. / Dubey M., Siddharth G., Singh R., Patel C., Kumar S., Htay M.T., Atuchin V.V., Mukherjee S. // IEEE Transactions On Electron Devices. 2022. V. 69. № 5. P. 2488. DOI: 10.1109/TED.2022.3159509
Straintronics of 2D inorganic materials for electronic and optical applications. / Антонова И.В. // PHYSICS-USPEKHI. 2022. V. 65(6). P. 567. DOI: 10.3367/UFNr.2021.05.038984
Hot phonon effects and Auger recombination on 3 μ m room temperature lasing in HgTe-based multiple quantum well diodes. / Afonenko A.A., Ushakov D.V., Dubinov A.A., Aleshkin V.Y., Morozov S.V., Gavrilenko V.I. // Journal of Applied Physics. 2022. V. 132. № 7. P. 73103. DOI: 10.1063/5.0098918
Plasmon gain in HgTe/CdHgTe multi-quantum-well heterostructures. / Rudakov A.O., Aleshkin V.Ya., Gavrilenko V.I. // Journal of Optics. 2022. V. 24. P. 075001. DOI: 10.1088/2040-8986/ac723b
Defect structure of ZnGeP2 crystals grown in the furnaces with tube diameters of 70 and 130 mm. / Kolesnikov A.V., Vasilenko A.P., Trukhanov E.M., Lei Z.T., Zhu C.Q., Yang C.H., Verozubova G.A. // Journal of Crystal Growth. 2022. V. 580. P. 126479. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126479
In situ spectroscopic ellipsometry for temperature control in molecular beam epitaxy of HgCdTe. / Shvets V.A., Marin D.V., Azarov I.A., Yakushev M.V., Rykhlitskii S.V. // Journal of Crystal Growth. 2022. V. 599. P. 126898. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.126898
Anisotropy of Magnetic Properties in Single Crystals of CH3NH3PbI3 Hybrid Perovskites./ Zhevstovskikh I.V., Charikova T.B., Klepikova A.S., Popov M.R., Stepanova E.A., Semenova O.I. // JETP Letters. 2022. V. 116. № 1. P. 48. DOI: 10.1134/S0021364022601014
Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi1–xSbx)2Te4 with Various Concentration of Sb Atoms. / Glazkova D.A., Estyunin D.A., Klimovskikh I.I., Makarova T.P., Tereshchenko O.E., Kokh K.A., Golyashov V.A., Koroleva A.V., Shikin A.M. // JETP Letters. 2022. V. 115. № 5. P. 286. DOI: 10.1134/S0021364022100083
Features of Magnetotransport in a HgTe/CdHgTe Double Quantum Well with an Intermediate Degree of Band Inversion. / Yakunin M.V., Aleshkin V.Ya., Podgornykh S.M., Neverov V.N., Popov M.R., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A. // JETP Letters. 2022. V. 116. № 6. P. 385. DOI: 10.1134/S0021364022601646
Электронная и спиновая структура топологических поверхностных состояний MnBi4Te7 и MnBi6Te10 и их модификация приложенным электрическим полем./ Шикин А.М., Зайцев Н.Л., Тарасов А.В., Макарова Т.П., Глазкова Д.А., Естюнин Д.А., Климовских И.И..// JETP Letters. V. 116, № 8 . P.544-555, 2022. DOI: 10.31857/S1234567822200083
Интерференционный транспорт в двумерном топологическом изоляторе в CdHgTe квантовой яме. / Рыжков М.C., Козлов Д.А., Худайбердиев Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н. // Письма в ЖЭТФ. 2023. V. 117. № 1. P. 50. DOI: 10.31857/S1234567823010068
Изучение кинетики сближения ступеней поверхности Si(100)./ Есин М.Ю., Дерябин А.С., Колесников А.В., Никифоров А.И. // ФТТ. 2023. V. 65. № 2. P. 173. DOI: 10.21883/FTT.2023.02.54287.476
Особенности пиролиза ацетилена в атмосфере инертных газов в реакторе циклического сжатия. / Васильев С.А., Ездин Б.С., Яньшоле Л.В., Пахаруков Ю.В., Каляда В.В., Шабиев Ф.К. // Письма в ЖТФ. 2023. V. 49. № 4. P. 31. DOI: 10.21883/PJTF.2023.04.54524.19436
Modulation of the Dirac Point Band Gap in the Antiferromagnetic Topological Insulator MnBi2Te4 due to the Surface Potential Gradient Change. / Shikin A.M., Estyunin D.A., Zaitsev N.L., Glazkova D.A., Klimovskikh I.I., Fil’nov S.O., Rybkin A.G., Kokh K.A., Tereshchenko O.E., Zvezdin K.A., Zvezdin A.K. // JETP. 2022. V. 134, № 1. P. 103. DOI: 10.1134/S1063776121120141
Analysis of Cobalt Intercalation under the Buffer Carbon Layer on a SiC(0001) Single Crystal. / Filnov S.O., Rybkina A.A., Tarasov A.V., Eryzhenkov A.V., Eliseev I.A., Davydov V.Y., Shikin A.M., Rybkin A.G. // JETP. 2022. V. 134, № 2. P. 188. DOI: 10.1134/S1063776122020121
Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоёв на их структурные и оптические свойства. / Петрушков М.О., Путято М.А., Васев А.В., Абрамкин Д.С., Емельянов Е.А., Лошкарёв Д.И., Комков О.С., Фирсов Д.Д., Преображенский В.В. // ФТП. 2022. V. 56, № 10. P. 980. DOI: 10.21883/FTP.2022.10.53960.9954
Simulation of far-infrared HgTe/HgCdTe quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser./ Dubinov A.A., Fadeev M. A., Aleshkin V. Ya., Morozov S.V. // Optical Engineering. 2022. V. 61. № 9. P. 096108. DOI: 10.1117/1.OE.61.9.096108
Transport through the network of topological channels in HgTe based quantum well/ Gusev G.M., Kvon Z.D., Kozlov D.A., Olshanetsky E.B., Entin M.V., Mikhailov N.N.// 2D MATERIALS. 2022. V. 9. № 1. P. DOI: 10.1088/2053-1583/ac351e
Study of structural and optical properties of a dual-band material based on tin oxides and GeSiSn compounds / Timofeev V.A., Mashanov V.I., Nikiforov A.I., Loshkarev I.D., Gulyaev D.V., Volodin V.A., Kozhukhov A.S., Komkov O.S., Firsov D.D., Korolkov I.V. // Applied Surface Science. 2022. V. 573. P. 151615. DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.151615
Calculation of discrete and resonant states of Coulomb acceptor in HgCdTe alloys/ Zholudev M.S., Rumyantsev V.V., Morozov S.V. // Semicond. Sci. Technol. 2022. V. 37. P. 025003. DOI: 10.1088/1361-6641/ac3c96
Atomically-Precise Texturing of Hexagonal Boron Nitride Nanostripes / Ali K., Fernández L., Kherelden M.A., Makarova A.A., Igor P.í.š., Bondino F., Lawrence J., de Oteyza D.G., Usachov D.Y., Vyalikh D.V., García de Abajo F.J., El-Fattah Z.M.A., Ortega J.E., Schiller F. // Advanced Science. 2021. V. 8. P. 2101455. DOI: 10.1002/advs.202101455
Surface chemical treatment effect on (1 1 1) PbSnTe In Topological crystalline insulator films / Tarasov A.S., Ishchenko D.V., Akhundov I.O., Golyashov V.A., Klimov A.E., Suprun S.P., Fedosenko E.V., Sherstyakova V.N., Rybkin A.G., Vilkov O.Y., Tereshchenko O.E. // Applied Surface Science. 2021. V. 569. P. 150930. DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.150930
Optical studies and transmission electron microscopy of hgcdte quantum well heterostructures for very long wavelength lasers / Rumyantsev V.V., Razova A.A., Bovkun L.S., Tatarskiy D.A., Mikhailovskii V.Y., Zholudev M.S., Ikonnikov A.V., Svetikova T.A.U., Maremyanin K.V., Utochkin V.V., Fadeev M.A., Remesnik V.G., Aleshkin V.Y., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Potemski M., Orlita M., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. // Nanomaterials. 2021. V. 11 (7). P. 1855. DOI: 10.3390/nano11071855
Non-monotonic variation of the Kramers point band gap with increasing magnetic doping in BiTeI / Shikin A.M., Rybkina A.A., Estyunin D.A., Klimovskikh I.I., Rybkin A.G., Filnov S.O., Koroleva A.V., Shevchenko E.V., Likholetova M.V., Voroshnin V.Y., Petukhov A.E., Kokh K.A., Tereshchenko O.E., Petaccia L., Di Santo G., Kumar S., Kimura A., Skirdkov P.N., Zvezdin K.A., Zvezdin A.K. // Scientific Reports. 2021. V. 11. P. 23332. DOI: 10.1038/s41598-021-02493-8
Graphene/Hexagonal Boron Nitride Composite Nanoparticles for 2D Printing Technologies / Antonova I.V., Shavelkina M.B., Poteryaev D.A., Nebogatikova N.A., Ivanov A.I., Soots R.A., Gutakovskii A.K., Kurkina I.I., Volodin V.A., Katarzhis V.A., Ivanov P.P., Bocharov A.N. // Advanced Engineering Materials. 2021. P. 2100917. DOI: 10.1002/adem.202100917
Colossal enhancement of the thermoelectric power factor in stress-released orthorhombic phase of SnTe / Morozova N.V., Korobeinikov I.V., Kurochka K.V., Ovsyannikov S.V. // Appl. Phys. Lett. 2021. V. 118. P. 103903. DOI: 10.1063/5.0043954
Large linear magnetoresistance in single HgSe crystals induced by low-concentration Co impurity / Lonchakov A.T., Bobin S.B. // Applied Physics Letters. 2021. V. 118. P. 062106. DOI: 10.1063/5.0032572
Ultrathin and high-efficiency Pancharatnam-Berry phase metalens for millimeter waves / Moreno-Peñarrubia A., Teniente J., Kuznetsov S., Orazbayev B., Beruete M. // Applied Physics Letters. 2021. V. 118. P. 221105. DOI: 10.1063/5.0048907
Long dephasing time of NV center spins in diamond layers formed by hot ion implantation and high pressure high temperature annealing / Popov V.P., Podlesny S.N., Kartashov I.A., Kupriyanov I.N., Palyanov Yu.N.// Diamond and Related Materials. 2021. V. 120. P. 108675. DOI: 10.1016/j.diamond.2021.108675
Low-temperature luminescence in organic-inorganic lead iodide perovskite single crystals / Zhevstovskikh I.V., Averkiev N.S., Sarychev M.N., Semenova O.I., Tereshchenko O.E.// Journal of Physics D: Applied Physics. 2021. V. 55 .P. 095105. DOI: 10.1088/1361-6463/ac38e3
Optical properties of GeO[SiO] and GeO[SiO2] solid alloy layers grown at low temperature / Cherkova S.G., Volodin V.A., Zhang F., Stoffel M., Rinnert H., Vergnat M. // Optical Materials. 2021. V. 122. P. 111736. DOI: 10.1016/j.optmat.2021.111736
Ellipsometric thermometry in molecular beam epitaxy of mercury cadmium telluride / Marin D.V., Shvets V.A., Azarov I.A., Yakushev M.V., Rykhlitskii S.V. // Infrared Physics and Technology. 2021. V. 116. P. 103793. DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103793
A new imaging concept in spin polarimetry based on the spin-filter effect / Tereshchenko O.E., Golyashov V.A., Rusetsky V.S., Mironov A.V., Demin A.Y., Aksenov V.V. // Journal of Synchrotron Radiation. 2021. V. 28. P. 864. DOI: 10.1107/S1600577521002307
Toward Peltier-cooled mid-infrared HgCdTe lasers: Analyzing the temperature quenching of stimulated emission at ∼6 μm wavelength from HgCdTe quantum wells / Kudryavtsev K.E., Rumyantsev V.V., Utochkin V.V. et al.// J. Appl. Phys. 2021. V. 130. P. 214302. DOI: 10.1063/5.0071908
Synthesis of Si nanoparticle chains and nanowhiskers by the monosilane decomposition in an adiabatic process during cyclic compression / Ezdin B.S., Kalyada V.V., Yatsenko D.A., Ischenko A.V., Volodin V.A., Shklyaev A.A. // Powder Technology. 2021. V. 394. P. 996. DOI: 10.1016/j.powtec.2021.09.032
The effect of barrier layers on 2D electron effective mass in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures / Sonmez F., Ardali S., Lisesivdin S.B., Malin T., Mansurov V., Zhuravlev K., Tiras E. // Journal of Physics Condensed Matter. 2021. V. 33. P. 255501. DOI: 10.1088/1361-648X/abf8d2
Energy relaxation of quantum dot hot electrons in hybrid quantum dot-Bose-Einstein condensate system / Mahmoodian M.M., Kovalev V.M., Chaplik A.V. // Journal of Physics Condensed Matter. 2021. V. 33(43). P. 435301. DOI: 10.1088/1361-648X/ac18f3
Broadband Antireflection Coatings Made of Resonant Submicron- And Micron-Sized SiGe Particles Grown on Si Substrates / Shklyaev A.A., Tsarev A.V. // IEEE Photonics Journal. 2021. V. 13. P. 9435026. DOI: 10.1109/JPHOT.2021.3081100
Increase in the Photocurrent in Layers of Ge/Si Quantum Dots by Modes of a Two-Dimensional Photonic Crystal / Yakimov A.I., Bloshkin A.A., Kirienko V.V., Dvurechenskii A.V., Utkin D.E. // JETP Letters. 2021. V. 113. P. 498. DOI: 10.1134/S0021364021080129
Two-Dimensional Semimetal HgTe in 14-nm-Thick Quantum Wells / Vasil’ev N.N., Kvon Z.D., Mikhailov N.N., Ganichev S.D. // JETP Letters. 2021. V. 113. P. 466. DOI: 10.1134/S0021364021070110
Photothermal Ionization Spectroscopy of Mercury Vacancies in HgCdTe Epitaxial Films / Kozlov D.V., Uaman Svetikova T.A., Ikonnikov A.V., Rumyantsev V.V., Razova A.A., Zholudev M.S., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. // JETP Letters. 2021. V. 113. P. 402. DOI: 10.1134/S0021364021060072
Optical properties of native (anodic) layer on the InAlAs surface of different morphology / Valisheva N.A., Kruchinin V.N., Aksenov M.S., Azarov I.A., Nedomolkina A.A. // Thin Solid Films. 2021. V. 728. P. 138692. DOI: 10.1016/j.tsf.2021.138692
Modification of the Electronic Structure of Quasi-Free-Standing Graphene by the Adsorption and Intercalation of Mn Atoms / Gogina A.A., Rybkin A.G., Shikin A.M., Tarasov A.V., Petaccia L., Di Santo G., Eliseyev I.A., Lebedev S.P., Davydov V.Y., Klimovskikh I.I. // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2021. V. 132. P. 906. DOI: 10.1134/S1063776121050101
Vortex motion in tilted magnetic fields in highly layered electron-doped superconductor Nd2x CexCuO4 / Petukhova O.E., Klepikova A.S., Popov M.R., Shelushinina N.G., Ivanov A.A., Charikova T.B. // Physica C: Superconductivity and its Applications. 2021. V. 591. P. 1353968. DOI: 10.1016/j.physc.2021.1353968
Anderson localization in a two-dimensional electron–hole system / Kvon Z.D., Olshanetsky E.B., Drofa M.A., Mikhailov N.N. // JETP Letters. 2021. V. 114(6). P. 341. DOI: 10.1134/S0021364021180090
Сurrent filamentation in a cylindrical nanomembrane laced in a magnetic field / E. K. Bagochus, A. B. Vorob’ev, J. S. Vorobyova, V.Y. Prinz // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2021. V. 127. P. 114572. DOI: 10.1016/j.physe.2020.114572
Электронный парамагнитный резонанс в структурах с кольцевыми молекулами GeSi квантовых точек / А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. В. Ненашев [и др.] // Письма в ЖЭТФ. Т. 113, вып. 1. С. 58 – 62. DOI: 10.31857/S1234567821010080
Electron Spin Resonance in Heterostructures with Ring Molecules of GeSi Quantum Dots / A.F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. V. Nenashev, A. A. Shklyaev, L. V. Kulik & A. V. Dvurechenskii // JETP LETTERS. 2021. V. 113. P. 52–56. DOI: 10.1134/S0021364021010112
Mid-IR stimulated emission in Hg(Cd)Te/CdHgTe quantum well structures up to 200 K due to suppressed Auger recombination / V. V. Utochkin, K. E. Kudryavtsev, M. A. Fadeev [et al.] // Laser Phys. 2021. V. 31. P. 015801. DOI: 10.1088/1555-6611/abd3f5
Urbach tail and nonuniformity probe of HgCdTe thin films and quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy / V. V. Rumyantsev, A. A. Razova, M. A. Fadeev [et al.] // Optical Engineering. 2021. V. 60, N 8. P. 082007. DOI: 10.1117/1.OE.60.8.082007
Anomalous phase shift of magneto-oscillations in HgTe quantum well with inverted energy spectrum / S. V. Gudina, A. S. Bogoliubskii, A. S. Klepikova [et al.] // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2021. V. 524. P. 167655. DOI: 10.1016/j.jmmm.2020.167655
AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов / Суханов М. А., Бакаров А. К., Журавлёв К. С. // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47, вып. 3. С. 37-39. DOI: 10.21883/PJTF.2021.03.50574.18588
AlSb/InAs Heterostructures for Microwave Transistors / M.A. Sukhanov, A.K. Bakarov, K.S. Zhuravlev // Technical Physics Letters. V. 47, № 2. P. 139-142. DOI: 10.1134/S1063785021020127
Mid-infrared stimulated emission in HgCdTe/CdHgTe quantum well heterostructures at room temperature / M. A. Fadeev, A. O. Troshkin, A. A. Dubinov [et al.] // Optical Engineering. 2021. Vol. 60, № 8. Р.082006.
Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe / А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко [и др.] // Квантовая Электроника. 2021. Т. 51, № 2, C. 158–163. DOI: 10.1070/QEL17461
THz laser generation on a hybrid surface plasmon in a HgCdTe-based structure / A.A. Dubinov, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, V.V. Rumyantsev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.V. Utochkin, S.V. Morozov // Quantum Electronics. 2021. V. 51, № 2. P. 158-163.
Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре / С. В. Морозов, В. В. Уточкин, В. В. Румянцев [и др.] // Письма в ЖТФ. 2021. T. 47, вып. 3. C. 51-54. DOI: 10.21883/PJTF.2021.03.50578.18603
Express Characterization of the HgCdTe/CdHgTe Quantum Well Waveguide Heterostructures with the Quasi-Relativistic Carrier Dispersion Law by Room-Temperature Photoluminescence Spectroscopy / S.V. Morozov, V.V. Utochkin, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, A.A. Razova, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii // Technical Physics Letters. 2021. V. 47, Issue 2. P. 154-157. DOI: 10.1134/S1063785021020115
Colossal variations in the thermopower and n–p conductivity switching in topological tellurides under pressure / N. V. Morozova, I. V. Korobeinikov, K. V. Kurochka, S. V. Ovsyannikov // J. Appl. Phys. 2020. V. 128. P. 245902. DOI: 10.1063/5.0031818
Resonant plasmon enhancement of light emission from CdSe/CdS nanoplatelets on Au nanodisk arrays / I. A. Milekhin, K. V. Anikin, M. Rahaman [et al.] // J. Chem. Phys. 2020. V. 153. P. 164708. DOI: 10.1063/5.0025572
Nanowired structure, optical properties and conduction band offset of RF magnetron-deposited n-Si\In2O3:Er films / K. V. Feklistov, A. G. Lemzyakov, I. P. Prosvirin [et al.] // Mater. Res. Express. 2020. V. 7. P. 125903. DOI: 10.1088/2053-1591/abd06b
Comprehensive Density Functional Theory Studies of Vibrational Spectra of Carbonates / Yu.N. Zhuravlev, V.V. Atuchin // Nanomaterials. 2020. V. 10. P. 2275. DOI:10.3390/nano10112275
Resistive Switching in Non-Stoichiometric Germanosilicate Glass Films Containing Ge Nanoclusters / V. A. Volodin, P. Geydt, G. N. Kamaev [et al.] // Electronics. 2020. V. 9. P. 2103. DOI:10.3390/electronics9122103
Photoelectron diffraction for probing valency and magnetism of 4 f -based materials: A view on valence-fluctuating EuIr2Si2 / D. Yu. Usachov, A. V. Tarasov, S. Schulz [et al.] // Physical Review. 2020. V. B 102. P. 205102. DOI: 10.1103/PhysRevB.102.205102
К отчету за 2023 год
К отчету за 2022 год
К отчету за 2021 год
К отчету за 2020 год