Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А₂В₆

Основными направлениями деятельности лаборатории являются разработки физико-химических основ и технологии молекулярно-лучевой эпитаксии многослойных структур А₂В₆, включая ртутьсодержащие, в том числе:

• исследование процессов формирования структур при эпитаксиальном выращивании на различных подложках;

• разработка оборудования для молекулярно-лучевой эпитаксии;

• исследование природы и механизмов образования, активации и аннигиляции дефектов, в том числе и электрически активных дефектов;

• разработка конструкции и технологии изготовления и исследование наноструктур;

• организация мелкосерийного производства;

• исследование эффективности материалов в составе электронных изделий.

Лаборатория входит в состав отдела, основанного в 2008 году. Отдел «Инфракрасные оптоэлектронные устройства на основе КРТ» создан для организации работ по исследованию процессов, происходящих в ГЭС КРТ МЛЭ, и приборов на их основе, в составе лабораторий № 15 и № 28. В настоящее время в двух научно-исследовательских лабораториях работают около 70 сотрудников, среди которых 10 кандидатов и 2 доктора физико-математических наук.