Российский научный фонд подвел итоги восьми конкурсов проектов ориентированных и прикладных научных исследований по направлению «Микроэлектроника». В двух конкурсах победили проекты ученых Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Проект «Создание технологии получения гетероэпитаксиального материала на основе множественных квантовых ям в системе HgCdTe для многоэлементных детекторов инфракрасного излучения» поддержан в конкурсе по направлению «Микроэлектроника» в области производства приборов на основе квантовых эффектов и элементов наноэлектроники и молекулярной электроники.

Проект «Разработка конструкции и технологии изготовления интегральных фотодиодов/линейки фотодиодов с чувствительностью не менее 0,95 А/Вт» поддержан в конкурсе по направлению «Микроэлектроника» в области производства оптоэлектронных приборов, в том числе полупроводниковых лазеров, микродисплеев, фотоприемных матриц.

Список всех победителей можно найти на сайте Российского научного фонда. Победители выбраны в семи конкурсах, конкурс в области производства интегральных схем (микроэлектроника), признан несостоявшимся в связи с отсутствием проектов, рекомендованных к поддержке Научно-технологическим советом РНФ.

Поддержку получили проекты в рамках технологических предложений, отобранных в результате конкурсного отбора по определению тематик исследований, разработок и опытно-конструкторских работ.

Пресс-служба ИФП СО РАН