Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics
Siberian Branch of Russian Academy of Sciences
  • Home
  • Institute
  • Science
  • Education
  • Developments
  • Events
  • Русский (RU)
  • English (UK)
  • Home→
  • Образование→
  • Аспирантура→
  • Прием в аспирантуру

ИФП СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности научного сотрудника в Лаборатории №20 нанодиагностики и нанолитографии

ИФП СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности старшего научного сотрудника в Лаборатории №36 мощных газовых лазеров

ИФП СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности младшего научного сотрудника в Лаборатории №11 нанотехнологий и наноматериалов

ИФП СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности заведующего лабораторией №4 вычислительных систем

ИФП СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности младшего научного сотрудника в Лаборатории №24 неравновесных полупроводниковых систем

  1. ИФП СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности научного сотрудника в Лаборатории 18 аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии GaN гетероструктур на подложках кремния для силовых и СВЧ транзисторов
  2. ИФП СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности младшего научного сотрудника в Лаборатории №12 физико-технологических основ создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5
  3. ИФП СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности младшего научного сотрудника в Лаборатории №28 физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6
  4. ИФП СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности Начальника патентного отдела
| home | institute | science | education | developments | events |
© 2006 - 2026 RZHANOV INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS SB RAS
Обратная связь по работе сайта: webmaster@isp.nsc.ru