Стандартная версия
Шрифт
А
А
А
Интервал
АБВ
АБВ
АБВ
Цветовая схема
А
А
А
Изображения
Вкл
Выкл
Search ...
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics
Siberian Branch of Russian Academy of Sciences
Home
Institute
Science
Education
Developments
Events
Home
→
Образование
→
Аспирантура
→
Обучение в аспирантуре
→
Научные подразделения
→
Лаборатория 7
→
Публикации лаб7
1976
ПУБЛИКАЦИИ
1976
Гораин Р.А., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Придачин Н.Б., Скок Э.М., Облучение быстрыми электронами эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Микроэлектроника, 1976, т. 5, в. 4, с. 4.