Защита диссертации

ФИОТимофеев Вячеслав Алексеевич
ТемаМорфология и структура поверхности на начальных стадиях роста пленок GeSi и GeSiSn на Si(100)
ОписаниеДиссертация представлена на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.07 "Физика конденсированного состояния"
Автореферат
Текст диссертации
(размещён 04.02.2014)
Научный руководительк.ф.-м.н. Никифоров Александр Иванович, отзыв
Оппоненты

Эрвье Ю.Ю. – д.ф.-м.н., доцент, 01.04.07 Физика конденсированного состояния, Томский Государственный университет (ТГУ), 634060, г. Томск, пр. Ленина, 36, тел. 8(3822) 423493, This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it., http://www.tsu.ru, отзыв

Публикации Эрвье Ю.Ю.:

  1. Hervieu, Yu.Yu. Kinetics of second layer nucleation with permeable steps / Yu.Yu. Hervieu, I. Markov // Surface Science. – 2014. – V. 628 – P. 76 – 81.
  2. Filimonov, S.N. Kinetics of two-dimensional island nucleation on reconstructed surfaces / S.N. Filimonov, Yu.Yu. Hervieu // Physical Review B. – 2012. – V. 85 – P. 045423.
  3. Filimonov, S.N. Kink-formation kinetics and submonolayer density of magic two-dimensional islands in molecular beam epitaxy / S.N. Filimonov, Yu.Yu. Hervieu // Physical Review E. – 2009. – V. 80 – P. 051603.
  4. Sambonsuge, S. Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth / S. Sambonsuge, L.N. Nikitina, Yu.Yu. Hervieu, M. Suemitsu, S.N. Filimonov // Russian Physics Journal. – 2014. – V. 56 – P. 1439 – 1444.
  5. Dubrovskii, V.G. Diffusion-induced growth of nanowires: Generalized boundary conditions and self-consistent kinetic equation / V.G. Dubrovskii, Yu.Yu. Hervieu // Journal of Crystal Growth. – 2014. – V. 401 – P. 431 – 440.

Буравлев А.Д. – к.ф.-м.н., старший научный сотрудник, 01.04.10 Физика полупроводников, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (ФГБУН), г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая 26, 8(812)9582522, This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it., http://www.ioffe.rssi.ru, отзыв

Публикации Буравлева А.Д.:

  1. Buravlev, A.D. Studying the formation of self-assembled (In,Mn)As quantum dots / A. D. Buravlev, A. A. Zaitsev, P. N. Brunkov, V. F. Sapega, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. E. Cirlin, V. G. Dubrovskii, V. M. Ustinov // Technical Physics Letters. – 2012. – V. 38 – P. 460 – 462.
  2. Blokhin, S.A. Optical anisotropy of InGaAs quantum dots / S.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy, A.A. Krasivichev, L.Ya. Karachinsky, A.P. Vasil’ev, V.N. Nevedomskiy, M.V. Maximov, G.E. Cirlin, A.D. Buravlev, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov // Semiconductors. – 2013. – V. 47 – P. 85 – 89.
  3. Kochereshko, V.P. Photoluminescence of single quantum wires and quantum dots / V.P. Kochereshko, V.N. Kats, A.V. Platonov, R.A. Suris, G.E. Cirlin, A.D. Buravlev, Yu.B. Samsonenko, L. Besombes, C.Le Gal, H. Mariette // Journal of Surface Investigation. – 2012. – V. 6 – P. 722 – 725.
  4. Bouravleuv, A.D. Photovoltaic properties of GaAs: Be nanowire arrays / A.D. Bouravleuv, D.V. Beznasyuk, E.P. Gilstein, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, L.Yu, Yu. Proskuryakov, I.V. Shtrom, M.A. Timofeeva, Yu.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, G. Cirlin // Semiconductors. – 2013. – V. 47 – P. 808 – 811.
  5. Trukhin, V.N. Ultrafast carrier dynamics in GaAs nanowires / V.N. Trukhin, A.D. Buravlev, V. Dhaka, G.E. Cirlin, I.A. Mustafin, M.A. Kaliteevski, H. Lipsanen, Yu.B. Samsonenko // Journal of Crystal Growth. – 2014. – V. 54 – P. 41 – 45.
Ведущая организацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородской обл., Кстовский район, 607680, Россия, (831)4179473, This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it., http://ipmras.ru, отзыв

Публикации ведущей организации:

  1. Krasilnik, Z.F. SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-based optoelectronics / Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D.N. Lobanov, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, S.V. Obolenskiy, N.D. Zakharov and P. Werner // Semiconductor Science Technology. – 2011. – V. 26 – P. 014029.
  2. Drozdov, M.N. Quantitative calibration and germanium SIMS depth profiling in GexSi1-x/Si heterostructures / M.N. Drozdov, Yu.N. Drozdov, A.V. Novikov, P.A. Yunin, D.V. Yurasov // Semiconductors. – 2014. – V. 48 – P. 1109 – 1117.
  3. Yurasov, D.V. Usage of antimony segregation for selective doping of Si in molecular beam epitaxy / D.V. Yurasov, M.N. Drozdov, A.V. Murel, M.V. Shaleev, N.D. Zakharov and A.V. Novikov // Journal of Applied Physics. – 2011. – V. 109 – P. 113533.
  4. Shaleev, M.V. Transition from planar to island growth mode in SiGe structures fabricated on SiGe/Si(001) strain-relaxed buffers / M.V. Shaleev, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, J.M. Hartmann, O.A. Kuznetsov, D.N. Lobanov and Z.F. Krasilnik // Applied Physics Letters. – 2012. – V. 101 – P. 151601.
  5. Drozdov, M.N. Antimony segregation in stressed SiGe heterostructures grown by molecular beam epitaxy / M.N. Drozdov, A.V. Novikov, D.V. Yurasov // Semiconductors. – 2013. – V. 47 – P. 1481 – 1484.
Заключение комиссии
Решение о приёме диссертации к защите
Объявление о защите диссертации
Отзывы на автореферат
Итоги защитыЗаключение диссертационного совета:
Протокол:
Видео