Майдэбура Ян Евгеньевич

ФИО Майдэбура Ян Евгеньевич
Тема Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
Описание Диссертация представлена на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 1.3.11 – Физика полупроводников
Автореферат
Текст диссертации
(размещён 10.11.2025)
Научный руководитель Кандидат физико-математических наукб Мансуров Владимир Геннадьевич, старший научный сотрудник лаборатории аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии GaN гетероструктур на подложках кремния для силовых и СВЧ транзисторов, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Оппоненты

Жмерик Валентин Николаевич, главный научный сотрудник, заведующий лабораторией квантовой фотоники, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

  1. V. Jmerik, 2D-GaN/AlN Monolayer-Thick Quantum Wells, Encylopedia of Applied Physics, Copyright © 2020 Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA. https://doi.org/10.1002/3527600434.eap853
  2. Jmerik, V., Toropov, A., Davydov, V., & Ivanov, S. (2021). Monolayer-thick GaN/AlN multilayer heterostructures for deep-ultraviolet optoelectronics. physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters, 15(9), 2100242. https://doi.org/10.1002/pssr.202100242
  3. В. И. Козловский, М. М. Зверев, А. Н. Семенов, Д. В. Нечаев, Д. Е. Свиридов, Я. К. Скасырский, В. Н. Жмерик, Нeравновесные носители в гетероструктурах GaN/AlN: диффузия в барьерных слоях и захват носителей в монослойные квантовые ямы, ЖЭТФ, 2025, том 167, вып. 6, стр. 812–822 © 2025. https://doi.org/10.31857/S0044451025060070
  4. Jmerik, V. N., Semenov, A. N., Nechaev, D. V., Troshkov, S. I., Sakhno, D. D., Alekseev, P. A., Kirilenko D. A., Eliseyev I. A., Davydov V. Yu. & Abbas, A. S. (2024). Low-defect and stress-free AlN (0001) nanoprisms and microrods selectively grown on micro-patterned c-sapphire substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Applied Physics Letters, 124(23). https://doi.org/10.1063/5.0216809
  5. Jmerik, V., Kozlovsky, V., & Wang, X. (2023). Electron-beam-pumped UVC emitters based on an (Al, Ga) N material system. Nanomaterials, 13(14), 2080. https://doi.org/10.3390/nano13142080
  6. Evropeitsev, E., Nechaev, D., Jmerik, V., Zadiranov, Y., Kulagina, M., Troshkov, S., Guseva Y., Berezina D., Shubina T. & Toropov, A. (2023). Single-Exciton Photoluminescence in a GaN Monolayer inside an AlN Nanocolumn. Nanomaterials, 13(14), 2053. https://doi.org/10.3390/nano13142053
  7. Jmerik, V., Nechaev, D., Semenov, A., Evropeitsev, E., Shubina, T., Toropov, A., Yagovkina M., Alekseev P., Borodin B., Orekhova K., Kozlovsky V., Zverev M., Gamov N., Wang T., Wang X., Pristovsek M., Amano H. & Ivanov, S. (2023). 2D-GaN/AlN multiple quantum disks/quantum well heterostructures for high-power electron-beam pumped UVC emitters. Nanomaterials, 13(6), 1077. https://doi.org/10.3390/nano13061077
  8. Jmerik, V., Nechaev, D., Yagovkina, M., Sitnikova, A., Troshkov, S., Rzheutski, M., Lutsenko E. & Rouvimov, S. (2022). Monolayer Range Compositional Modulations in Al x Ga1− x N (x= 0.6–0.75) Layers Grown Using Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy under Me-Rich Conditions with an Off‐Centered Spatial Distribution of Activated Nitrogen Flux. physica status solidi (a), 219(6), 2100550. https://doi.org/10.1002/pssa.202100550
  9. Davydov, V., Roginskii, E., Kitaev, Y., Smirnov, A., Eliseyev, I., Nechaev, D., Jmerik V. & Smirnov, M. (2021). Phonons in short-period gan/aln superlattices: group-theoretical analysis, ab initio calculations, and raman spectra. Nanomaterials, 11(2), 286. https://doi.org/10.3390/nano11020286
  10. Davydov, V., Roginskii, E. M., Kitaev, Y., Smirnov, A., Eliseyev, I., Zavarin, E., Lundin W., Nechaev D., Jmerik V., Smirnov M., Pristovsek M. & Shubina, T. (2021). The effect of interface diffusion on Raman spectra of wurtzite short-period GaN/AlN superlattices. Nanomaterials, 11(9), 2396. https://doi.org/10.3390/nano11092396
  11. Jmerik, V., Nechaev, D., Orekhova, K., Prasolov, N., Kozlovsky, V., Sviridov, D., Zverev M., Gamov N., Grieger L., Wang Y., Wang T., Wang X. & Ivanov, S. (2021). Monolayer-scale gan/aln multiple quantum wells for high power e-beam pumped uv-emitters in the 240–270 nm spectral range. Nanomaterials, 11(10), 2553. https://doi.org/10.3390/nano11102553

Лозовой Кирилл Александрович доцент кафедры квантовой электроники и фотоники, Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Томский государственный университет»

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

  1. Lozovoy, K. A., Dirko, V. V., Kukenov, O. I., Sokolov, A. S., Krukovskii, K. V., Snegerev, M. S., Borisov, A. V., Kistenev, Y. V., & Kokhanenko, A. P. (2024). RHEED Study of the Epitaxial Growth of Silicon and Germanium on Highly Oriented Pyrolytic Graphite. C, 10(2), 36. https://doi.org/10.3390/c10020036
  2. Lozovoy, K. A., Zhou, Y., Smith, R., Lloyd, A., Kokhanenko, A. P., Dirko, V. V., Akimenko N.Yu., Grigoryev D.V. & Voitsekhovskii, A. V. (2020). Thickness-dependent surface energy and formation of epitaxial quantum dots. Thin Solid Films, 713, 138363. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2020.138363
  3. Lozovoy, K. A., Izhnin, I. I., Kokhanenko, A. P., Dirko, V. V., Vinarskiy, V. P., Voitsekhovskii, A. V., Fitsych O.I. & Akimenko, N. Y. (2022). Single-element 2D materials beyond graphene: Methods of epitaxial synthesis. Nanomaterials, 12(13), 2221. https://doi.org/10.3390/nano12132221
  4. Lozovoy, K. A., Korotaev, A. G., Kokhanenko, A. P., Dirko, V. V., & Voitsekhovskii, A. V. (2020). Kinetics of epitaxial formation of nanostructures by Frank–van der Merwe, Volmer–Weber and Stranski–Krastanow growth modes. Surface and Coatings Technology, 384, 125289. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2019.125289
  5. Dirko, V. V., Lozovoy, K. A., Kokhanenko, A. P., Kukenov, O. I., Korotaev, A. G., & Voitsekhovskii, A. V. (2023). Peculiarities of the 7× 7 to 5× 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface. Nanomaterials, 13(2), 231. https://doi.org/10.3390/nano13020231
  6. Dirko, V. V., Lozovoy, K. A., Kokhanenko, A. P., & Voitsekhovskii, A. V. (2020). Thickness-dependent elastic strain in Stranski–Krastanow growth. Physical chemistry chemical physics, 22(34), 19318-19325. https://doi.org/10.1039/D0CP03538F
  7. Dirko, V. V., Lozovoy, K. A., Kokhanenko, A. P., & Voitsekhovskii, A. V. (2021). High-resolution RHEED analysis of dynamics of low-temperature superstructure transitions in Ge/Si (001) epitaxial system. Nanotechnology, 33(11), 115603. https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac3f56
Ведущая организация

Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук , Web-сайт: http://www.spbau.ru/

Заключение комиссии
Решение о приёме диссертации к защите
Объявление о защите диссертации
Отзывы на автореферат
Итоги защиты
Видео