Исследовано влияние электромагнитного излучения миллиметрового диапазона длин волн на сопротивление двумерного электронного газа в GaAs/AlAs гетероструктурах в сильном магнитном поле. Показано, что в изучаемой двумерной электронной системе в неравновесных условиях, создаваемых микроволновым излучением, возникают гигантские магнетополевые осцилляции сопротивления. Установлено, что при малых плотностях измерительного тока, увеличение микроволновой мощности приводит к абсолютному отрицательному сопротивлению в основном минимуме этих осцилляций, расположенном вблизи циклотронного резонанса. Полученные в работе экспериментальные данные качественно согласуются с теорией многофотонного фотостимулированного примесного рассеяния.

Рис. Зависимости Rxx(B) 2D электронного газа в GaAs/AlAs гетероструктуре, измеренные на холловском мостике длиной 250 мкм и шириной 50 мкм при различных величинах микроволновой мощности на выходе из генератора. Концентрация и подвижность 2D электронов в GaAs/AlAs гетероструктуре при температуре T=4.2 K составляли ne= 7.4×1011см-2, μ = 1.7×106см2/Вс, соответственно. Стрелками указано положение циклотронного резонанса.