Разработана технология локального легирования цинком эпитаксиальных слоев InP, позволяющая формировать p-n переходы с заданной глубиной залегания. В основе технологии лежит метод диффузионного легирования с использованием планарного источника Zn, в качестве которого используется тонкая (~ 100 нм) пленка Zn3P2, выращенная методом МЛЭ на подложках кремния. Данный метод позволяет проводить легирование Zn как целиком по всей площади поверхности InP, так и локально через окна, сформированные методом литографии в слое диэлектрика. Легирование осуществляется при нагреве пластин в атмосфере аргона.
Изображение полученное методом сканирующей электронной микроскопии поперечного скола структуры InP/InGaAs/InP после диффузии Zn через окна.
На рисунке приведено изображение полученное методом сканирующей электронной микроскопии скола образца InP/InGaAs/InP после диффузии в окнах.
Технико – экономические преимущества
Отклонение по глубине залегания фронта легирования по площади образца составляет ±0,1 мкм. Высокая воспроизводимость глубины залегания фронта и профиля легирования от процесса к процессу. Не требуется изолировать объект диффузии, достаточно проводить процесс в потоке инертного газа.
Область применения
Технология может быть использована при создании дискретных и матричных фотоприемных устройств на основе гетеропары InGaAs/InP и других материалов AIIIBV.
Уровень практической реализации
Лабораторная технология, опытная установка. Технология может быть внедрена на предприятиях по производству оптоэлектронных приборов.
Характеристики:
| диаметр сапфировой подложки | 100 - 200 мм; |
| плотность дефектов в слое Si | до 1 см-2; |
| толщина слоя Si | 0.01 - 2.0 мкм; |
| механические напряжения в слое Si | до -0.4 %; |
| подвижность электронов в слое Si | 500-700 см2В-1с-1; |
| подвижность дырок в слое Si | 200-250см2В-1с-1; |
| плотность состояний на границе | до 1011 см-2. |
а) - ПЭМ микроизображение поперечного сечения КНС структуры (SOS2) с 0.25 мкм слоем Si на 0.4 мкм слое SiO2 на с-поверхности сапфира. На вставке: картина микродифракции из двух дифракционных картин от слоя Si и несущей пластины сапфира (рефлексы отмечены черными кружками); б) - спектры комбинационного рассеяния кремния от исходной пластины, перенесенного 0.5 мкм слоя Si (SOS1) на с-поверхность сапфира и 0.25 мкм слоя оSi с 0.4 мкм слоем SiO2 (SOS2) в КНС пластинах после отжига при 1000 С. На вставке: перенос 0.5 мкм слоя кремния на 100 мм пластину сапфира (сверху) сколом со 100 мм пластины кремния (внизу), имплантированной водородом перед бондингом.
Технико – экономические преимущества
Главное преимущество – возможность формирования транзисторов с полным обеднением в слое Si толщиной до 100 нм, что обеспечивает рабочие частоты до 100 ГГц и минимальные токи утечек транзисторов интегральных схем.
Область применения
СВЧ микроэлектроника, цифровое радио, радиационно-стойкая элементная база.
Уровень практической реализации
Изготовление пилотных партий КНС пластин диаметром 100 и 150 мм, а также 200 мм после дооснащения линейки имплантером и печью для поставок в ПАО «Ангстрем», ПАО «Микрон», ОАО «НЗПП и ОКБ», ОАО «Сапфир», ОАО «Пульсар» и др.
Разработана принципиально новая технология наноструктурирования полупроводниковых систем, основанная на глубоком локальном анодном окислении поверхностей титана, арсенида галлия и кремния проводящим зондом атомно-силового микроскопа при приложении дополнительного потенциала. Данная технология позволила освоить принципиально новый масштаб размеров в изготовлении наноструктур (10 - 100 нм). Создан квантовый интерферометр с эффективным радиусом 90 нм. Столь малые размеры дали возможность повысить рабочую температуру интерферометра почти на порядок (до 15 К).
 |  |
 |  |
Топографическое (а) и фазовое (b) изображения поверхности гетероструктуры AlGaAs/GaAs с участком локально окисленным зондом атомно-силового микроскопа (квантовый интерферометр) (с) - профиль рельефа вдоль красного отрезка АB. (d) - Осцилляции Ааронова-Бома интерферометра. Период осцилляций В = 0.16 Т соответствует эффективному радиусу r = 90 нм.
Область применения:
- нанотехнология;
- магнитные сенсоры.
Адрес:
Институт физики полупроводников
просп. академика Лаврентьева, 13, 630090, Новосибирск, РФ
Тел. +7(383)333-10-80,
Факс: +7(383)333-27-71,
E-mail:
Год разработки - 2003
| Цель: | Передача информации от передатчика (Алиса) к приемнику (Боб) по оптической линии связи с абсолютной секретностью. |
| Проблемы: | 1.Классическая линия передачи с большим числом фотонов не защищена от подслушивания. 2.Классическая криптография основана на отсутствии быстрого алгоритма факторизации больших чисел. |
| Метод: | Носитель информации - одиночный поляризованный фотон. |
| Основание: | Законы квантовой механики - всякое измерение изменяет квантовое состояние фотона. Подслушивание шпионом (Ева) связано с измерением и последующим воспроизведением (клонированием) состояния фотона. Однако точное клонирование фотона невозможно! |
|
 | ||||||||||||||||||||||||
|
Зашифрованная фраза:
Привет участникам третьего семинара,
посвященного памяти Д.Н. Клышко!
Дешифрованная фраза:
Привет участWикам третьего семи8ара,
поGвяще(ного памяти Д.Н. Клышко!
Адрес:
Институт физики полупроводников. г. Новосибирск, 90, пр. Лаврентьева, 13Тел. +7(383)333-24-08,
E-mail:
|
||||||||||||||||
- Радиационно стойкие КНИ КМОП интегральные схемы на нанотранзисторах для экстремальных условий эксплуатации
- Сверхбыстродействующие полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором
- Полевой транзистор со встроенным слоем квантовых точек Ge в слое Si на изоляторе
- Фотоприемные элементы на диапазон длин волн λ=1,3-1,55 мкм на гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge