Электрически перепрограммируемая энергонезависимая память (ФЛЭШ) нараяду с оперативной памятью и микропроцессорами занимает доминируещее место на рынке кремниевых микросхем. В период с 2001 года по настоящее время в ИФП в рамках контрактов с Samsung Electronics исследуются физические принципы терабитных схем энергонезависимой памяти. Предложены новые низковольтные, быстродействующие элементы памяти с применением диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k dielectrics).

• Процессов переноса и локализации заряда в аморфных диэлектриках
• Заполняющих свойств энергонезависимых элементов памяти (запись/стирание, хранение информации)
• Оптимизации конструкции приборов памяти терабитных масштабов

Адрес:
Россия, 630090, г. Новосибирск, пр.-т Лаврентьева 13, ИФП СО РАН,
Телефон: +7(383)333-38-64,
Факс: +7(383)333-27-71,
E-mail:

Год разработки - 2004