Разработана технология получения многослойных структур методом
прямого сращивания пластин кремния (ПСК) для создания элементной
базы силовой интеллектуальной микроэлектроники
 Тепловизионное изображение двухслойных структур | ПРЕИМУЩЕСТВА ТЕХНОЛОГИИ ПСК
|
ПСК-структуры позволяют обеспечить выпуск сильноточных (I=20-100A) высоковольт ных (U=1000-1700В) транзисторов с вертикальным каналом (МОП, СИТ, IGBT) и быстродействующхе диодов с высоким выходом годных изделий
|  |
На ПСК-структурах выпущена партия транзисторов со статической индукцией АООТ "НЭВЗ-СОЮЗ" на напряжение 800-1200В, характеризующихся: низкими потерями в открытом состоянии, высоким быстродействием, повышенной ра- диационной стойкостью.
Коммерческие предложения:
- изготовление партий ПСК-структур типа n--n+, n--p+, p--p+;
- разработка технологии создания приборов силовой микро- электроники с вертикальным каналом на ПСК-структурах
|
 |
| ПАРАМЕТРЫ СЛИТКОВ КРЕМНИЯ | Si-Ч | Si-БЗП |
| Кол-во электрически активных фоновых примесей, ат/см3 | <1x1012 | <1x1012 |
| Концентрация атомов, ат/см3: -кислорода -углерода -тяжелых и щелочных металлов | 2-11x1017 <1x1016 <5x1012 |
- <1x1016 1x1012 |
| Удельное электросопротивление, омxсм | 0,05 - 200 | более 800 |
| Разброс У.Э.С. по диаметру слитка,% | 3 - 5 | 3 |
| Диаметр слитка, мм | 203 | 152 |
Коммерческие предложения:
поставка шлифованных и полированных пластин кремния
по техническим требованиям заказчика
 | |||
|
с низким температурным коэффициентов сопротивления (ТКС)
Характеристика
Совместно с ОАО "НЭВЗ-Союз" разработана технология снижения температурного коэффициента сопротивления (ТКС) и корректировки параметров резистивных элементов мощных резисторов таблеточного исполнения, изготовленных из нейтронно-легированного БЗП-кремния, путем введения точечных дефектов с глубокими уровнями в запрещенной зоне при облучении высокоэнергетичными электронами или γ-квантами и последующих термообработок. Созданы резисторы у которых изменение сопротивления не превышает ±10% в диапазоне температур 20÷180°С.
Рис. Изменение удельного сопротивления кремния с температурой до (светлые значки) и
после (черные значки) выравнивания ТКС для разных образцов.
Технико-экономические преимущества
- Мощные кремниевые резисторы имеют:
- высокое значение допустимой мощности рассеяния на единицу объёма;
- высокую стабильность номинального значения сопротивления в широком интервале температур;
- низкие значения паразитной индуктивности и ёмкости;
- возможность точной подгонки номинального значения сопротивления.
Область применения
Мощные кремниевые резисторы в таблеточном исполнении найдут широкое применение в силовой электротехнике. Такие резисторы наиболее оптимальны для использования в единой унифицированной системе охлаждения с современными мощными полупроводниковыми приборами: диодами, тиристорами, IGBT-модулями и т.д. Это позволяет значительно улучшить массо-габаритные показатели устройств коммутации и управления энергоемким оборудованием.
Лаборатория радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов (М.Д.Ефремов, Г.Н.Камаев).
Электрически перепрограммируемая энергонезависимая память (ФЛЭШ) нараяду с оперативной памятью и микропроцессорами занимает доминируещее место на рынке кремниевых микросхем. В период с 2001 года по настоящее время в ИФП в рамках контрактов с Samsung Electronics исследуются физические принципы терабитных схем энергонезависимой памяти. Предложены новые низковольтные, быстродействующие элементы памяти с применением диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k dielectrics).
 |  |
 |  |
- Процессов переноса и локализации заряда в аморфных диэлектриках
- Заполняющих свойств энергонезависимых элементов памяти (запись/стирание, хранение информации)
- Оптимизации конструкции приборов памяти терабитных масштабов
Адрес:
Россия, 630090, г. Новосибирск, пр.-т Лаврентьева 13, ИФП СО РАН,
Телефон: +7(383)333-38-64,
Факс: +7(383)333-27-71,
E-mail:
Год разработки - 2004
Характеристика
- разработана физико-математическая модель и отработаны алгоритмы двумерного моделирования распределения основных физических параметров лавинных диодов (ЛД) в зависимости от основных технологических и топологических особенностей приборов,
- разработаны, изготовлены и охарактеризованы макетные варианты дискретных детекторов двух типов – кремниевые pin-диоды и лавинные диоды с латерально уширенной линией pn-перехода,
- разработан и отлажен технологический маршрут изготовления макетных кристаллов дискретных детекторов (среднее время до изготовления - 2-3 месяца), отработан вариант их размещения в корпусе с внешними электрическими выводами;
- разработаны и отлажены методики предварительного тестирования детекторов как в ИФП, так и в условиях газодинамической ловушки (ГДЛ) в ИЯФ, получены экспериментальные данные по отклику детекторов на ионизирующие излучения различных видов;
- разработаны и отлажены методики выращивания сцинтилляционных кристаллов "под размер" детекторов, опробованы варианты их сопряжения друг с другом;
 |  |
| Поперечный разрез двух элементов детектора | Внешний вид кристаллов линейки лавинных диодов на кремниевой пластине |
На рис. представлен поперечный срез структуры с двумя ячейками линейки ЛД. Частицы проникают через внешнюю p+ область диода на глубину, которая зависит от энергии частиц. Для протонов с энергией 3.02 МэВ пробег составляет около100 мкм. В процессе торможения происходит рождение электронно-дырочных пар. Пары разделяются в электрическом поле и затем регистрируются.
Технико-экономические преимущества
Высокая чувствительность лавинных диодов к проникающим излучениям обусловлена тем, что в них генерированные светом носители заряда, проходя через p-n переход, приобретают в сильном электрическом поле перехода (более 105 В/см) энергию, достаточную для ударной ионизации атомов решетки и создают на своем пути вторичные носители заряда. В результате токовый сигнал за счет лавинного умножения многократно увеличивается.
Области применения
ЛД используются в качестве детекторов проникающих излучений. Такие ЛД в комбинации со сцинтилляционными кристаллами применяются в экспериментальной ядерной физике и физике частиц, а также позитронной эмиссионной томографии (в том числе для позитронной томографии головного мозга человека).
Год разработки - 2009