СОТРУДНИКИ

Ненашев Алексей Владимирович

старший научный сотрудник,
кандидат физ.-мат. наук.

тел. +7 (383) 333-25-19
This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
к. 241 ЛТК

РИНЦ Author ID: 36921

РИНЦ SPIN-код: 3804-1930

ORCID: 0000-0002-1022-0731

Web of Science ResearcherID: S-1809-2018

Scopus Author ID: 7003730532

Научная деятельность:

Основным направлением работы А. В. Ненашева является исследование гетероструктур с квантовыми точками и транспортных явлений в неупорядоченных средах методами компьютерного моделирования. А. В. Ненашевым был развит аналитический метод расчета упругой деформации в квантовых точках и их окружении. Получены аналитические выражения для тензора деформации как функции координат как для точек постоянного состава, так и для случая, когда состав является полиномиальной функцией координат. А. В. Ненашевым получен ряд результатов в области теории прыжковой проводимости в неупорядоченных системах, в частности, в органических полупроводниках. Разработана параметризация подвижности носителей заряда в органических полупроводниках как функции температуры, концентрации носителей и напряжённости электрического поля. Развиты численные методы нахождения распределения плотности заряда в неупорядоченных материалах. Предложено описание подвижности в аморфных оксидных полупроводниках, таких как оксид индия, галлия и цинка (IGZO), а также в массивах графеновых нанолент.

Образование:

  • 1999 г. — окончил Новосибирский государственный университет по специальности «Физика».

  • 2004 г. — защитил кандидатскую диссертацию «Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge в Si».

Трудовая деятельность:

  • Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск: с 1999 г. по настоящее время — инженер, научный сотрудник, старший научный сотрудник.

Педагогическая деятельность:

  • Новосибирский государственный университет: с 2003 г. по настоящее время — ассистент, старший преподаватель, доцент.

  • В настоящее время совместно с проф. В. Л. Альперовичем читает курс лекций «Введение в физику полупроводников» в НГУ.

Премии и награды:

  • Премия имени академика А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН за цикл работ "Электронная структура квантовых точек Ge в Si" (2002 г.)

  • Приз журнала "Nanotechnology" за лучший постер на 11-м международном симпозиуме "Nanostructures: Physics and Technology" (2003 г.)

  • Премия Администрации Новосибирской области молодым учёным за выдающиеся научные достижения (диплом второй степени в номинации "Разработка или создание приборов, методик, технологий и новой научно-технической продукции", 2004 г.

  • Почётная грамота за победу в конкурсе Фонда Дмитрия Зимина "Династия" среди молодых учёных со степенью (2006 г.)

  • Премия имени 50-летия СО РАН и почётный знак "Золотая сигма" за создание математической модели электронной структуры и полей упругих деформаций квантовых точек на основе гетероструктур германий/кремний (2007 г.).

  • Почётный диплом "Достояние Сибири" в номинации "наука и образование" за вклад в развитие сибирской науки (2007 г.).

  • Премия лучшему докладчику на конкурсе научных работ Института физики полупроводников СО РАН (2010 г.)

  • Премии на конкурсах научных работ Института физики полупроводников СО РАН: 2010 г. (2-я премия), 2013 г. (3-я премия), 2015 г. (2-я премия), 2016 г. (2-я премия).

Избранные публикации:

С 2000 по 2024 гг. опубликовано 111 научных работ. Среди них:

  1. A. V. Nenashev, S. D. Baranovskii, and F. Gebhard. A derivation of E = mc2 without electrodynamics. European Journal of Physics 45, 065603 (2024).

  2. S. D. Baranovskii, A. V. Nenashev, D. Hertel, K. Meerholz, and F. Gebhard. Parametrization of the charge-carrier mobility in organic disordered semiconductors. Physical Review Applied 22, 014019 (2024).

  3. A. V. Nenashev. Generating Function Method for Calculating the Potentials of Inhomogeneous Polyhedra. Frontiers in Physics 9, 795693 (2022).

  4. B. V. Senkovskiy, A. V. Nenashev, S. K. Alavi, Y. Falke, M. Hell, P. Bampoulis, D. V. Rybkovskiy, D. Yu. Usachov, A. V. Fedorov, A. I. Chernov, F. Gebhard, K. Meerholz, D. Hertel, M. Arita, T. Okuda, K. Miyamoto, K. Shimada, F. R. Fischer, T. Michely, S.i D. Baranovskii, K. Lindfors, T. Szkopek, A. Gruneis. Tunneling current modulation in atomically precise graphene nanoribbon heterojunctions. Nature Communications 12, 2542 (2021).

  5. A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. V. Nenashev, S. A. Teys, A. V. Dvurechenskii, O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko and A. V. Mudryi. Photoluminescence of compact GeSi quantum dot groups with increased probability of finding an electron in Ge. Scientific Reports 10, 9308 (2020).

  6. A. V. Nenashev, J. O. Oelerich, A. V. Dvurechenskii, F. Gebhard, and S. D. Baranovskii. Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors. Physical Review B 96, 035204 (2017).

  7. A. V. Nenashev, M. Wiemer, A. V. Dvurechenskii, F. Gebhard, M. Koch and S. D. Baranovskii. Why the apparent order of bimolecular recombination in blend organic solar cells can be larger than two: A topological consideration. Applied Physics Letters 109, 033301 (2016).

  8. A. F. Zinovieva, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii. Spin dynamics in SiGe quantum dot lines and ring molecules. Physical Review B 93, 155305 (2016).

  9. A. V. Nenashev. Quantum probabilities from combination of Zurek's envariance and Gleason's theorem. Physica Scripta 2014, 014033 (2014).

  10. A. V. Nenashev, F. Jansson, M. Wiemer, S. Petznick, P. J. Klar, M. Hetterich, A. V. Dvurechenskii, F. Gebhard, and S. D. Baranovskii. Scaling approach to hopping magnetoresistivity in dilute magnetic semiconductors. Physical Review B 88, 115210 (2013).