Стандартная версия
Шрифт
А
А
А
Интервал
АБВ
АБВ
АБВ
Цветовая схема
А
А
А
Изображения
Вкл
Выкл
Search ...
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics
Siberian Branch of Russian Academy of Sciences
Home
Institute
Science
Education
Developments
Events
Среди экспонатов будут две фотографии, сделанные учеными Института физики полупроводников
Источник:
журнал «Лидеры сегодня» №4, 2026
Ученые Института физики полупроводников проектируют следующую стадию эксперимента — выращивание арсенида галлия уже на германиевых подложках
С Днем Победы!
Ученые ИФП СО РАН рассказали в эфире телеканалов Россия-24 и ОТС о разработке гибких носимых сенсоров на основе графена
Электронный транспорт, метаматериалы, оптические и спектроскопические методы исследования — МНСК-2026 в ИФП СО РАН
«Промышленные» проекты ИФП СО РАН поддержаны РНФ
Subcategories
Семинары
О нас
Диссовет
Ученый совет
Аспирантура
Конференции
Конкурсы и гранты
Информация о конкурсах и грантах в новостях на первой странице
Новости МинОбрНауки