M. Orlita, D.M. Basko, M.S. Zholudev, F. Teppe, W. Knap, V.I. Gavrilenko, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, P. Neugebauer, C. Faugeras, A.-L. Barra, G. Martinez, M. Potemski
Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses, CNRS-UJF-UPS-INSA, Grenoble, France.
Charles University, Faculty of Mathematics and PhysicsPrague 2, Czech Republic.
Université Grenoble 1/CNRS, France.
Laboratoire Charles Coulomb, Université Montpellier II, France.
Institute for Physics of Microstructures, RAS, Nizhny Novgorod, Russia.
Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Warszawa, Poland.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков полупроводниковых соединений А2В6.
Institut für Physikalische Chemie, Universität Stuttgart, Stuttgart, Germany.
Исследован кристалл со структурой цинковой обманки, HgCdTe, в точке топологического перехода "полупроводник - полуметалл". Впервые проведено наблюдение трехмерных безмассовых электронов, что подтверждается линейным ростом динамической проводимости от частоты фотонов, со скоростью Ферми около 106 м/c. Впервые в электронных системах наблюдалась, характерная для ультрарелятивистских систем, корневая зависимость от магнитного поля расстояния между уровнями Ландау и спинового расщепления уровней Ландау. Наличие корневой зависимости уровней Ландау от магнитного поля прямо указывает на линейный характер энергетического спектра в указанных соединениях.
 |
Рис. Магнетопоглощение в зависимости от магнитного поля. Ясно видна корневая зависимость уровней Ландау от магнитного поля, характерная для линейного спектра. |