Новости

17.09.25
Новости
На «Фотонике-2025» обсудили ключевые тренды фотоэлектроники: от фотонных чипов до детекторов спина электронов


12.09.25
Новости
Первая российская установка для выращивания полупроводников в космосе прошла все испытания и отправлена на МКС


Летный образец разработан и изготовлен в Институте физики полупроводников в рамках научной программы «Роскосмоса» по заказу РКК «Энергия»
01.09.25
Новости
На «Технопроме» обсудили  проблемы и перспективы развития   научной инфраструктуры


События

29.05.25
Ученый совет
Заседание Ученого совета ИФП СО РАН
В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
26.02.25
Ученый совет
Заседание Ученого совета
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
05.02.25
Ученый совет
Заседание Ученого совета
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
20.12.24
Диссовет
Защиты диссертаций

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

15.11.24
Ученый совет
Заседание Ученого совета
В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
11.11.24
Новости
Конкурс стипендий ИФП СО РАН

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

01.09.25
Аспирантура
Прием в аспирантуру
ИФП СО РАН объявляет дополнительный приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.
25.08.25
Семинары
Институтский семинар

Во вторник 26.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»

15.08.25
Семинары
Институтский семинар

В понедельник, 18.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик:к.ф.-м.н., доцент Сколковского института науки и технологий, руководитель Лаборатории квантовых алгоритмов машинного обучения и оптимизации Палюлин Владимир Владимирович.
«Модели двух состояний для описания диффузии экситонов в низкоразмерных полупроводниках»

20.06.25
Семинары
Институтский семинар

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

Важное




Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года

КОНКУРСЫ И ГРАНТЫ

Региональный конкурс предоставление грантов в форме субсидий, проводимый Российским научным фондом и Новосибирской областью «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами»
Заявки принимаются до: 02.10.2025
Подробнее о конкурсе

Другие конкурсы...
Опрос Минобрнауки России

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А2В6

заведующий лабораторией
Максим Витальевич Якушев
д.ф.-м.н.

тел. (383) 333-27-72
E-mail:

 ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Основными направлениями деятельности лаборатории являются разработки физико-химических основ и технологии молекулярно-лучевой эпитаксии многослойных структур А2В6, включая ртутьсодержащие, в том числе:

  • исследование процессов формирования структур при эпитаксиальном выращивании на различных подложках;

  • разработка оборудования для молекулярно-лучевой эпитаксии;

  • исследование природы и механизмов образования, активации и аннигиляции дефектов, в том числе и электрически активных дефектов;

  • разработка конструкции и технологии изготовления и исследование наноструктур;

  • организация мелкосерийного производства;

  • исследование эффективности материалов в составе электронных изделий.

Лаборатория входит в состав отдела, основанного в 2008 году. Отдел «Инфракрасные оптоэлектронные устройства на основе КРТ» создан для организации работ по исследованию процессов, происходящих в ГЭС КРТ МЛЭ, и приборов на их основе, в составе лабораторий № 15 и № 28. В настоящее время в двух научно-исследовательских лабораториях работают около 70 сотрудников, среди которых 10 кандидатов и 2 доктора физико-математических наук.
[Центр коллективного пользования][Контакты][Служба webmail][Библиотека] [Закупки]