Разработана технология получения многослойных структур методом
прямого сращивания пластин кремния (ПСК) для создания элементной
базы силовой интеллектуальной микроэлектроники
![]() Тепловизионное изображение двухслойных структур | ПРЕИМУЩЕСТВА ТЕХНОЛОГИИ ПСК
|
ПСК-структуры позволяют обеспечить выпуск сильноточных (I=20-100A) высоковольт ных (U=1000-1700В) транзисторов с вертикальным каналом (МОП, СИТ, IGBT) и быстродействующхе диодов с высоким выходом годных изделий
| ![]() |
На ПСК-структурах выпущена партия транзисторов со статической индукцией АООТ "НЭВЗ-СОЮЗ" на напряжение 800-1200В, характеризующихся: низкими потерями в открытом состоянии, высоким быстродействием, повышенной ра- диационной стойкостью.
Коммерческие предложения:
- изготовление партий ПСК-структур типа n--n+, n--p+, p--p+;
- разработка технологии создания приборов силовой микро- электроники с вертикальным каналом на ПСК-структурах
Свернуть













![[Центр коллективного пользования]](/img/logo-ckp.gif)
![[Контакты]](/img/contacts.gif)
![[Служба webmail]](/img/webmail_new.gif)
![[Библиотека]](/img/lib_new.jpg)
![[Закупки]](/img/gos.gif)