И.Г.Неизвестный родился 26 ноября 1931 г. в г. Одесса. В 1956 году закончил Электромеханический факультет Московского Энергетического Института по специальности "Диэлектрики и полупроводники", затем занимался научной деятельностью в Физическом Институте АН СССР(инженер-исследователь) 1956-1962 год. В 1962 году назначен заместителем директора организатора Института физики твёрдого тела и полупроводниковой электронике СО АН Новосибирск) (с 1964 года Институт физики полупроводников). В 1966 году защитил кандидатскую диссертацию "Исследование природы центров рекомбинации носителей заряда на поверхности германия", в 1980 году защитил докторскую диссертацию "Исследование границы раздела германий – диэлектрик". В 1983 году ему было присвоено звание профессора. В 1990 году избран членом-корреспондентом АН СССР по отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации( специальность "Элементная база вычислительной техники".

И.Г.Неизвестный – специалист в области физики полупроводников и физических основ полупроводниковых приборов. Сфера научной деятельности И.Г.Неизвестного физические процессы на границе раздела полупроводник-диэлектрик, взаимодействие излучения с полупроводниковыми гетероструктурами, компьютерное моделирование формирования тонких поверхностных слоёв, квантовая криптография, поверхностно- барьерные биосенсоры.

С 1962 по 1973 год и с 1980 по 2004 год И.Г.Неизвестный заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН. С 1973 по1980 – заведующий лабораторией "Физика и технология германиевых МДП-структур". С 2004 года Советник РАН. Заведующий отделом ИФП СО РАН "Тонкоплёночные структуры для микро и фотоэлектроники".

И.Г.Неизвестный является членом научного Совета РАН по физике полупроводников, членом объединенного Совета по физико-техническим наукам СО РАН, зам. главного редактора журнала "Микроэлектроника", членом редакционных коллегий журналов "Поверхность. Рентгеновские,синхротронные и нейтронные исследования", "Physics of low dimensional structures", "Sensor electronics and microsystem technologies". Координатор программы СО РАН " Фундаментальные основы твёрдотельных устройств микро – и наноэлектроники".

И.Г.Неизвестный заведует филиалом кафедры "Полупроводниковых приборов и микроэлектроники" Новосибирского Государственного Технического Университета. Много лет читал курсы по физическим основам микроэлектроники и наноэлектроники.

И.Г.Неизвестный автор и соавтор 170 научных работ, из них 7 монографий, четыре Авторских сидетельства. Под его руководством защищено 7 докторских и 15 кандидатских диссертаций.

И.Г.Неизвестному в 1995 году присвоено звание Лауреата Государственной Премии Российской Федерации по науке и технике за "Открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов".

И.Г.Неизвестный награждён Орденом Трудового Красного Знамени в 1971 году.