Сведения о выполнении работ по Соглашению №14.607.21.0125 «Разработка прототипа прибора для высокоспецифичной детекции биомаркеров на кварцевом резонаторе», научный руководитель – д.х.н. Ф.Н. Дульцев.

Этап 1

Этап 2

Этап 3

Госконтракт №14.604.21.0134
«Разработка научных основ технологии выращивания наногетероэпитаксиальных P+/n структур узкозонных полупроводников методом молекулярно-лучевой эпитаксии для матричных инфракрасных фотоприемников и тепловизоров»,
научный руководитель – д.ф.-м.н. М.В. Якушев

«В ходе выполнения проекта по Соглашению о предоставлении субсидии от «21» октября 2014 г. № 14.604.21.0134 с Минобрнауки России в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы» на этапе № 1 в период с «21» октября 2014 г. по «31» декабря 2014 г. выполнялись следующие работы:

Аналитический обзор современной научно-технической, нормативной, методической литературы, затрагивающей научно-техническую проблему, исследуемую в рамках ПНИ.
Проведение патентных исследований по ГОСТ Р 15.011-96.
Обоснование и выбор конструкции инфракрасного фоточувствительного элемента, обеспечивающей повышенную рабочую температуру.
Разработка состава и структуры полупроводниковых фоточувствительных материалов.
Выбор методов измерения функциональных свойств полупроводниковых фоточувствительных материалов.
Экспериментальные исследования процессов эпитаксиального роста полупроводниковых фоточувствительных материалов на основе многослойных гетероструктур из узкозонных твердых растворов КРТ с пассивирующим покрытием.
Исследование распределения состава фотопоглощающего слоя КРТ (HgCdTe) по площади и толщине гетероструктуры.

При этом были получены следующие результаты:

Разработаны состав и структура полупроводниковых фоточувствительных материалов.
Для фоточувствительных материалов на основе многослойных гетероструктур из узкозонных соединений InAlSb выбрана следующая конструкция:
Контактный слой 1 - n-InSb, подложка (100), толщина 625 мкм, легирование Te, концентрация электронов 1–2×10¹⁸ см^-3;
Поглощающий слой - In_1–xAl_xSb, мольная доля алюминия x≤0,03, толщина 5 мкм, нелегированный;
Контактный слой 2 - p-InSb, толщина 0,4 мкм, легирование Be, концентрация дырок 1×10¹⁸ см^–3.
Применение метода молекулярно-лучевой эпитаксии позволит создать структуры высокого качества с увеличенным временем жизни неравновесных носителей заряда за счет уменьшения плотности структурных дефектов. Наличие p-n перехода позволяет уменьшить темновой ток в более чем 20 раз, повысить рабочую температуру и улучшить четкость изображения за счет подавления перекрестной электрической связи фотодиодов в смотрящей матрице. Добавление до 3% алюминия в поглощающий слой приводит к понижению темнового тока примерно в 50 раз и повышает рабочую температуру фоточувствительных элементов до 100 К.
Для фоточувствительных материалов на основе многослойных гетероструктур из узкозонных твердых растворов КРТ с пассивирующим покрытием выбрана следующая конструкция:
Варизонный слой - Hg_1–xCd_xTe;
Поглощающий слой - Hg_1–xCd_xTe, мольная доля кадмия 0,29 ≤ x ≤ 0,31, толщина 5 мкм, легирование In, концентрация электронов 1–10×10¹⁵ см^–3;
Контактный слой - p- Hg_1–xCd_xTe, мольная доля кадмия 0,3 ≤ x ≤ 0,6, толщина 1 мкм, легирование As, концентрация дырок 1-100×10¹⁷ см^–3;
Пассивирующий слой – CdTe, толщина 0,25 мкм, не легированный.
Численным моделированием определены оптимальное расположение металлургической границы p-n перехода в контактном слое и значение концентрации индия в поглощающем слое.
Экспериментальные исследования процессов эпитаксиального роста полупроводниковых фоточувствительных материалов на основе многослойных гетероструктур из узкозонных твердых растворов КРТ с пассивирующим покрытием позволили установить оптимальные режимы роста структуры с разработанным составом для получения низкой плотности морфологических дефектов и высокой однородности состава по площади и толщине гетероструктуры.
Отработан способ выращивания пассивирующего слоя в едином процессе. Измерения вольт-фарадных характеристик МДП структур КРТ/теллурид кадмия показали, что данная система характеризуется совершенной границей раздела, отсутствием гистерезиса, низкими плотностью встроенного заряда и плотностью поверхностных состояний.
Разработана методика измерения профиля пространственного распределения электрофизических характеристик Р+/n структур.
Полученные результаты соответствуют техническим требованиям к выполняемому проекту и подтверждают перспективность и целесообразность продолжения работ по проекту.

Комиссия Минобрнауки России признала обязательства по Соглашению на отчетном этапе исполненными надлежащим образом.

В 2017 году Институт принимал участие в выполнении Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014—2020 годы» как исполнитель госконтракта № 14.607.21.0125 «Разработка прототипа прибора для высокоспецифичной детекции биомаркеров на кварцевом резонаторе», научный руководитель Ф.Н. Дульцев.

В 2016 году Институт принимал участие в выполнении Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014—2020 годы» как исполнитель по следующим контрактам:

1. Госконтракт No 14.604.21.0134 «Разработка научных основ технологии выращивания наногетероэпитаксиальных P+/n структур узкозонных полупроводников методом молекулярно-лучевой эпитаксии для матричных инфракрасных фотоприемников и тепловизоров», научный руководитель – д.ф.-м.н. М.В. Якушев;

2. Госконтракт No 14.607.21.0125 «Разработка прототипа прибора для высокоспецифичной детекции биомаркеров на кварцевом резонаторе», научный руководитель – д.х.н. Ф.Н. Дульцев.

3. Госконтракт No 14.613.21.0039 «Создание новых лазерных сред на основе AlGaN гетероструктур, активированных дефектами; исследование их люминесцентных и генерационных свойств и разработка лазерных систем на этой основе синезеленого спектрального диапазона», научный руководитель – д.ф.-м.н. К.С. Журавлев.

В 2015 году Институт принимал участие в выполнении Федеральной целевой программы "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014—2020 годы" как исполнитель по следующим контрактам:

1. Госконтракт №14.604.21.0134 «Разработка научных основ технологии выращивания наногетероэпитаксиальных P+/n структур узкозонных полупроводников методом молекулярно-лучевой эпитаксии для матричных инфракрасных фотоприемников и тепловизоров», научный руководитель – д.ф.-м.н. М.В. Якушев;

2. Госконтракт №14.621.21.0004 «Поддержка и развитие центра коллективного пользования научным оборудованием "НАНОСТРУКТУРЫ" в области индустрии наносистем, информационно-телекоммуникационных систем; транспортных и космических систем», научный руководитель – член-корр. РАН А.В. Латышев.

3. Госконтракт №14.607.21.0125 «Разработка прототипа прибора для высокоспецифичной детекции биомаркеров на кварцевом резонаторе», научный руководитель – д.х.н. Ф.Н. Дульцев.

В 2014 году Институт принимал участие в выполнении Федеральной целевой программы "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014—2020 годы" как исполнитель по следующим контрактам:

1. Госконтракт №14.604.21.0134 «Разработка научных основ технологии выращивания наногетероэпитаксиальных P+/n структур узкозонных полупроводников методом молекулярно-лучевой эпитаксии для матричных инфракрасных фотоприемников и тепловизоров», научный руководитель – д.ф.-м.н. М.В. Якушев;

2. Госконтракт №14.621.21.0004 «Поддержка и развитие центра коллективного пользования научным оборудованием "НАНОСТРУКТУРЫ" в области индустрии наносистем, информационно-телекоммуникационных систем; транспортных и космических систем», научный руководитель – член-корр. РАН А.В. Латышев.

В 2013 году Институт принимал участие в выполнении Федеральной научно-технической программы "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы" по следующим контрактам:

1. Госконтракт №11.519.11.6037 «Исследование люминесцентных и генерационных свойств синтезированных AlGaN/AlN структур с квантовыми ямами и точками при возбуждении электронными пучками», научный руководитель – к.ф.-м.н. Д.Э. Закревский;

2. Госконтракт №14.512.11.0013 «Разработка и создание с помощью штамповой литографии наноструктурированных биорезорбируемых медицинских полимерных клеточных матриц», головной исполнитель - ФГБУ «ННИИТО» (от ИФП СО РАН д.ф.-м.н. В.Я. Принц);

3. Госконтракт №16.552.11.7091 «Обеспечение центром коллективного пользования научным оборудованием «Наноструктуры» комплексных исследований в индустрии наносистем и науках о жизни», научный руководитель – член-корреспондент РАН А.В. Латышев.

В 2013 году Институт принимал участие в выполнении Федеральной научно-технической программы "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 годы" по контракту:

4. Госконтракт №14.513.12.0008 «Разработка методов создания многоуровневых микро- и наноразмерных столбчатых структур, обладающих свойствами «сухой» адгезии и обеспечивающих режим многократного «прилипания-отлипания» к твердым поверхностям», научный руководитель – д.ф.-м.н. В.Я. Принц;

5. Госконтракт №14.518.11.7008 «Проведение исследований с использованием уникальных стендов и установок по приоритетному направлению «Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика»», научный руководитель – к.ф.-м.н. Д.Э. Закревский.

6. Соглашение №8028 (заявка 2012-1.1-12-000-2003-047) «Тонкоплёночные гетероструктуры и сверхрешётки на основе графена для широкого спектра применений», научный руководитель – д.ф.-м.н. И.В. Антонова;

7. Соглашение №8228 (заявка 2012-1.1-12-000-1005-0189) «Разработка алгоритмических и программных средств моделирования наноструктур с квантовыми точками на информационно-вычислительных системах», научный руководитель – член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский;

8. Соглашение №8879 (заявка 2012-1.5-14-000-2015-002) «Разработка кремниевых электрокинетических фильтров и процессы разделения и детектирования нанообъектов на их основе», научный руководитель – член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский.

1. РФФИ 20-52-04009 Бел_мол_а «Усиление эмиссии света магнитными плазмонными частицами», руководители: Курусь Н.Н. (ИФП СО РАН, Россия - Государственное научное учреждение Институт физики имени Б.И. Степанова НАНБ, Беларусь).
2. РФФИ 20-52-00016 Бел_а «Разработка физических подходов к получению светоизлучающих структур на основе двумерных слоев Si и Ge, встроенных в диэлектрическую матрицу», руководитель Зиновьев В. А. (ИФП СО РАН, Россия – Государственное научно-производственное объединение «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению», Беларусь).
3. 20-42-540009 «Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs для интегрально-оптического модулятора», руководитель Гуляев Д.В.
4. 20-42-540011 «Механизмы образования новой графеноподобной модификации нитрида кремния (g-Si3N3) на поверхности Si(111) и возможности ее применения в синтезе силицена», руководитель Мансуров В.Г.
5. 20-42-540013 «Напряженные когерентные сверхрешетки на основе тройных соединений GeSiSn для элементов фотоники ИК диапазона», руководитель Никифоров А.И.
6. 20-42-543015 «Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных плёнок CdTe для последующей эпитаксии», руководитель Ищенко Д.В.
7. РФФИ 19-52-12001 ННИО_а «Динамика экситонов и носителей заряда в непрямозонных полупроводниковых наноструктурах первого рода», руководитель Шамирзаев Т. С. (ИФП СО РАН, Россия - Университет Дортмунда, Германия).
8. РФФИ 19-52-12041 ННИО_а «Гигантское комбинационное рассеяние света полупроводниковыми наноструктурами с нанометровым пространственным разрешением», руководитель Милёхин А.Г. (ИФП СО РАН, Россия - Университет технологии Кемница, Германия).
9. РФФИ 19-52-15010 НЦНИ_а «Электрически управляемые многочастичные взаимодействия в мезоскопических ансамблях холодных ридберговских атомов для применения в квантовой информатике», руководитель Рябцев И. И. (ИФП СО РАН, Россия - Университет Париж-Сюд, Франция).
10. 19-42-540001 «Управление магнитными и транспортными свойствами пленок SiC_xN_y:Fe для применений в спинтронике», руководитель Степина Н.П.
11. 19-42-540002 «Светоизлучающие структуры на основе пространственно упорядоченных GeSi квантовых точек, встроенных в оптические микрорезонаторы», руководитель Смагина Ж.В.
12. 19-42-540011 «Акустоэлектронный транспорт в двумерных системах на основе монослоев дихалькогенидов переходных металлов», руководитель Каламейцев А.В.
13. 19-42-543009 «Узкополосные фотоприёмники интегрально совместимые с кремниевыми микросхемами», руководитель Абрамкин Д.С.
14. 19-42-543010 «Исследования миграции адатомов на ступенях в процессе роста Si и Ge на разориентированной поверхности Si(100)», руководитель Есин М.Ю.
15. 19-42-543012 «Структурно и электрофизически совершенные гетеропары кремний-сапфир с high-k межслойным диэлектриком для электроники повышенной надежности», руководитель Антонов В.А.
16. 19-19-00286 «Исследование и разработка бесформовочного мемристора на основе оксидных диэлектриков, обработанных в водородной плазме, для флеш-памяти нового поколения», руководитель Гриценко В.А.
17. 19-02-00098 «Непрямозонные полупроводниковые квантовые точки: рекомбинация и спиновая динамика локализованных экситонов», руководитель Шамирзаев Т.С.
18. 19-02-00517 «Термодинамика формирования полупроводниковых интерфейсов с эффективным отрицательным электронным сродством», руководитель Терехов А.С.
19. 19-02-00800 «Квантовый и баллистический электронный транспорт в микросужениях в подвешенном двумерном электронном газе», руководитель Погосов А.Г.
20. 19-07-00367 «Оптомемристорный эффект в плёнках Si_xGe_yO_z», руководитель Володин В.А.
21. РФФИ 18-57-80006 БРИКС_т «Электронные синапсы на основе двумерных материалов для нейроморфных вычислений», руководитель Гриценко В.А. (ИФП СО РАН, Россия - Университет Сучжоу, Китай - Федеральный университет Риу-Гранди-ду-Сул, Бразилия - Индийский научный институт, Индия).
22. 18-29-20007 «Компактные фемтосекундные ИК лазеры с полупроводниковыми затворами на локализованных экситонах», руководитель Рубцова Н.Н.
23. 18-29-20053 «Новый фоточувствительный материал для регистрации излучения в инфракрасном диапазоне наноструктуры на основе множественных квантовых ям HgTe/CdHgTe», руководитель Михайлов Н.Н.
24. 18-29-20066 «Изучение механизмов проводимости и выявление природы ловушек в low-k диэлектриках нового поколения с упорядоченной мезопористой структурой и органическими мостиками между атомами кремния», руководитель Милёхин А.Г.
25. 18-29-27006 «Изучение механизмов проводимости и выявление природы ловушек в low-k диэлектриках нового поколения с упорядоченной мезопористой структурой и органическими мостиками между атомами кремния», руководитель Гриценко В.А.
26. 18-12-00313 «Создание и исследование регистра кубитов квантового компьютера и симулятора на основе ультрахолодных атомов рубидия в массиве оптических дипольных ловушек и атомов в ридберговских состояниях», И.И. Рябцев;
27. 18-19-00694 «Нейроинтерфейс, сформированный с помощью 3D микронанопечати», руководитель В.Я. Принц;
28. 18-72-00027 «Исследование механизмов переноса заряда в массивах близкорасположенных квантовых точек PbS и CdS, имеющих различную плотность поверхностных состояний», руководитель К.А. Свит;
29. 18-72-00038 «Исследование электрофизических свойств границы раздела диэлектрика (Al2O3) выращенного методом атомно-слоевого осаждения и узкозонного полупроводника CdHgTe и их зависимости от ростовых режимов и подготовки поверхности», руководитель Г.Ю. Сидоров;
30. 18-72-00090 «Создание массива нанонитей на основе материалов IV группы для устройств нано- и оптоэлектроники», руководитель В.А. Тимофеев;
31. 18-72-00136 «Энергетическая структура и оптические свойства точечных дефектов в широкозонных кристаллах нитридов металлов третьей группы», руководитель И.А. Александров;
32. 18-72-00189 «Взаимодействие поверхностных и объемных носителей в трехмерном топологическом изоляторе на основе теллурида ртути», руководитель Д.А. Козлов;
33. 18-71-10026 «Создание искусственной нейронной сети с синаптическими связями на основе фазового перехода полупроводник-металл», руководитель С.Г. Бортников;
34. 18-72-10056 «Однофотонные детекторы на основе сверхизолирующих материалов», руководитель А.Ю. Миронов;
35. 18-72-10058 «Квантовый транспорт и эффекты взаимодействия в подвешенных полупроводниковых наноструктурах и наноэлектромеханических системах», руководитель А.А. Шевырин;
36. 18-72-10063 «In situ отражательная электронная микроскопия для изучения ван-дер-Ваальсового эпитаксиального роста селенидов металлов на поверхности кремния с контролируемой морфологией», руководитель Д.И. Рогило.
37. 17-12-01039 «Неравновесные и нелинейные оптические и кинетические явления в монослоях дихалькогенидов переходных металлов», руководитель А.В. Чаплик.
38. 17-12-01047 «Спиновая электронная структура немагнитных полупроводниковых кристаллов и гетероструктур с сильным спин-орбитальным взаимодействием как основа нового поколения материалов и структур для спинтроники», руководитель О.Е. Терещенко.
39. 16-19-00002 «Физические основы переключения многоуровнего мемристора для нейроморфных вычислений», руководитель Исламов Д.Р.
40. 16-12-10041 «Фото- и термоэлектрические явления в двумерных полуметаллах и топологических изоляторах на основе HgTe квантовых ям», руководитель Квон З.Д.
41. 16-12-10041 «Фото- и термоэлектрические явления в двумерных полуметаллах и топологических изоляторах на основе HgTe квантовых ям», руководитель д.ф.-м.н. З.Д. Квон.
42. 16-12-00023 «Полупроводниковые наногетероструктуры для высокоэффективных термофотовольтаических элементов», руководитель д.ф.-м.н. О.П. Пчеляков
43. 16-19-00002 «Физические основы переключения многоуровнего мемристора для нейроморфных вычислений», руководитель к.ф.-м.н. Д.Р. Исламов
44. 16-12-00028 «Получение и исследование квантово-перепутанных состояний в мезоскопических ансамблях взаимодействующих холодных ридберговских атомов», руководитель к.ф.-м.н. И.И. Бетеров.
45. 15-12-00050 «Разработка аддитивных технологий создания элементной базы фотоники, нанофотоники и микро- наноэлектроники», руководитель д.ф.-м.н. В.Я. Принц;
46. 15-12-00008 «2D печатные технологии получения материалов и электронных устройств на основе графена», руководитель д.ф.-м.н. И.В. Антонова.
47. 14-12-00931 «Наногетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками», руководитель член-корр. РАН А.В. Двуреченский;
48. 14-19-00192 «Исследование и разработка универсальной полупроводниковой памяти», руководитель д.ф.-м.н. В.А. Гриценко;
49. 14-19-00339 «Исследование быстропротекающих процессов в сверхсильных электрических полях», руководитель д.ф.-м.н. П.А. Бохан.
50. 14-22-00143 «In situ и ex situ высокоразрешающая аналитическая электронная микроскопия для изучения атомных процессов на поверхности, границах раздела и в объеме твердотельных низкоразмерных наносистем», руководитель член-корр. РАН А. В. Латышев.
51. Проект научного обмена №.247475 "COLIMA" в рамках 7 Европейской рамочной программы FP7-PEOPLE-2009-IRSES
    Когерентное управление светом и веществом посредством интерференции состояний, одетых лазерным полем
    Сроки: 2011-2014 гг.
    Руководитель: д.ф.-м.н. И.И. Рябцев
52. Грант ERA.NET - СО РАН (RUS, SQUAD:PA), Германия, Швейцария, Голландия
    Кристалл самоорганизованных квантовых точек: физика и применение
    (Self-assembled quantum dot crystal: Physics and Application)
    Сроки: 2012-2014 гг.
    Руководитель: к.ф.-м.н. Н.П. Стёпина
53. ГрантEP/K022938/1, The Open University, Milton Keynes, UK
    Исследование вычислительной мощности квантового дискорда
    (Testing the computational power of discord)
    Сроки: 2012-2014 гг.
    Руководитель: к.ф.-м.н. И.И. Бетеров
54. 13-02-92105 Россия-Япония, Радиационный центр Университета Хиросимы
    Исследование электронной структуры новых топологических материалов с разрешением по спину
    Руководитель: Терещенко О.Е.
55. 13-02-91182_ГФЕН_а Россия-Китай, Институт полупроводников Академии наук Китая
    Исследование механизмов пластической релаксации в буферных слоях AIIIBV при молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках: выявление путей уменьшения плотности прорастающих дислокаций
    Руководитель: Преображенский В.В.
56. 13-02-90619 Россия-Армения, Ереванский Университет
    Электрон-фононное взаимодействие в процессах термоэмиссии и захвата носителей заряда в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками
    Руководитель: Двуреченский А.В.
57. 14-32-50030 Терещенко О.Е., «Лазерно-индуцированные процессы в топологических изоляторах на основе соединений Bi₂Se₃(Te₃)».
58. 14-07-00809 Курочкин В.Л., «Теоретическое и экспериментальное моделирование спутниковой квантово-криптографической системы связи».
59. 14-02-20112 Двуреченский А.В., «Проект организации «Конференция и Школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных)».
60. 14-00-10238 Шабурова Н.Н., «Доступ к электронным научным информа- ционным ресурсам зарубежных издательств».
61. 13-02-12114 Пчеляков О.П. "Фундаментальные проблемы молекулярной эпитаксии наногетероструктур A^IIIB^V на кремниевой подложке для преобразователей солнечной энергии".
62. 13-00-14064 Шабурова Н.Н. "Доступ к электронным научным информационным ресурсам зарубежных издательств".
63. 12-07-00145-a Павский В.А. "Разработка средств анализа и организации отказоустойчивого функционирования большемасштабных распределенных вычислительных систем".
64. 12-07-00019-a А.Ю.Поляков "Разработка алгоритмов и программного инструментария отказоустойчивости распределенных вычислительных и GRID-систем".
65. 12-07-00018-a А.В.Царев "Эффективное прохождение оптической волны в пересекающихся кремниевых проволоках за счет прямого и обратного туннелирования в прилегающий волновод".
66. 12-02-01275-a В.Я.Принц "Трёхмерные квантовые структуры на основе графена и мультиграфена".
67. 12-02-01254-a С.В.Голод "Создание и исследование перестраиваемых метаматериалов на основе тонкопленочных гибридных нанооболочек для терагерцового и инфракрасного диапазонов".
68. 12-02-01128-a С.А.Тийс "Структурное состояние и морфология эпитаксиальных слоев Ge(111) на Si в зависимости от условий их получения".
69. 12-02-00930-a О.П.Пчеляков "Синтез AlGaN/AlN структур с квантовыми точками, исследование их люминесцентных и генерационных свойств при возбуждении низковольтными электронными пучками".
70. 12-02-00918-a А.Б.Воробьев "Магнитотранспорт двумерного газа носителей заряда в полупроводниковых оболочках с управляемой кривизной".
71. 12-02-00532-a М.В.Буданцев "Исследование одноэлектронного транспорта, когерентного с механическими колебаниями в наноэлектромеханическом транзисторе и создание эталона малых токов".
72. 12-02-00427-a А.И.Никифоров "Формирование напряженных наноструктур с квантовыми точками и квантовыми ямами на основе GeSi".
73. 12-02-00418-a А.С.Терехов "Цезий-индуцированная адсорбция кислорода и формирование окисного слоя на поверхностях полупроводников А₃В₅".
74. 12-02-00327-a Н.Н.Рубцова "Оптическая когерентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур A₃B₅".
75. 12-02-00226-a О.Е.Терещенко "Управление уровнем Ферми в объёме и на поверхности топологических изоляторов".
76. 12-02-00152-a Т.И.Батурина "Когерентные явления в низкоразмерных системах с куперовским спариванием".
77. 12-02-00149-a А.И.Якимов "Энергетический спектр и внутризонные оптические переходы дырок в квантовых ямах SiGe с инвертированной структурой валентной зоны".
78. 12-02-00054-a Е.Б.Ольшанецкий "Электронный транспорт в топологических изоляторах на основе HgTe".
79. Госконтракт №16.552.11.7026 «Проведение центром коллективного пользования научным оборудованием «Наноструктуры» поисковых научно-исследовательских работ в области создания и диагностики функциональных твердотельных наносистем и материалов для решения задач био- и нанотехнологий», научный руководитель – член-корреспондент РАН А.В. Латышев;
80. Госконтракт №02.470.11.0791 "Методы формирования высокочувствительных нанопроволочных систем, предназначенных для детектирования белковых маркеров гепатита В и раковых заболеваний (альфа-фетопротеин) с уровнем чувствительности от 10^-14М и ниже по модельному белку BSA", головной исполнитель ИБМХ РАМН (от ИФП СО РАН, д.ф.-м.н. В.П. Попов).
81. Госконтракт №02.740.11.0114 "Атомные процессы, структурная диагностика и технология изготовления наносистем", научный руководитель - член-корреспондент РАН А.В. Латышев;
82. Госконтракт №02.740.11.0519 "Новое поколение интерферометров наоснове атомно-гладких зеркал" научный руководитель - член-корреспондент РАНА.В. Латышев;
83. Госконтракт №12.741.11.0254 «Организационно-техническое обеспечение проведения международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»», научный руководитель – член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский;
84. 13-02-90757-мол_рф Рыбка Д.В. "Исследование лазерной генерации на ИК-линиях аргона и гелия в фотоэлектронном открытом разряде наносекундной длительности в условиях формирования электронных пучков keV-диапазона энергий при средних давлениях". Научный проект из Института сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук, г. Томск, выполненный в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, г. Новосибирск.
85. 13-02-90619-м Двуреченский А.В. "Электрон-фононное взаимодействие в процессах термоэмиссии и захвата носителей заряда в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками".
86. 12-08-31141_мол_а П.П.Гугин "Исследование физико-технических принципов высоковольтной быстродействующей коммутации больших мощностей для создания коммутаторов нового поколения с субнаносекундными фронтами коммутации с высокой частотой (десятки килогерц) следования импульсов на основе разрядных структур типа «открытый разряд»".
87. 12-08-31084_мол_a Т.В.Перевалов "Исследование туннельного транспорта электронов через диэлектрики c высокой диэлектрической проницаемостью".
88. 12-07-31133_мол_a А.А.Лямкина "МЛЭ совместимый метод создания плазмонных наноантенн для квантовых точек с вертикальным упорядочением на основе нанокапельной эпитаксии".
89. 12-07-31016_мол_a А.А.Пазников "Алгоритмы и программное обеспечение оптимизации выполнения параллельных программ на пространственно-распределённых вычислительных системах эксафлопсного уровня производительности".
90. 12-03-31235_мол_a А.В.Шапошников "Природа механизма резистивного эффекта памяти в диэлектриках на атомарном уровне".
91. 12-02-31709_мол_a А.В.Горан "Квантовое время жизни в селективнолегированных GaAs/AlAs гетероструктурах".
92. 12-02-31561_мол_a С.С.Косолобов "Исследование атомных механизмов диффузии точечных дефектов в приповерхностной области кремния".
93. 12-02-31412_мол_а_мол_а Н.А.Ерюков "Исследование фазовых переходов в полупроводниковых нанокристаллах CuS с помощью гигантского комбинационного рассеяния света".
94. 12-02-31302_мол_а_мол_а А.Ю.Миронов "Эффекты синхронизации в наноструктурах на основе тонких сверхпроводящих плёнок".
95. 12-02-31149_мол_a А.А.Шевырин "Упругие напряжения и электронный транспорт в полупроводниковых наноэлектромеханических системах".
96. 12-02-31077_мол_a П.А.Кучинская "Рост упорядоченных кольцевых структур Ge/Si с квантовыми точками".
97. 12-02-31076_мол_a Е.В.Бельская "Исследование возможности получения лазерной генерации в УФ - диапазоне спектра в газовых лазерах со столкновительным девозбуждением нижних лазерных рабочих уровней".
98. 12-02-31051_мол_a В.А.Тимофеев "Влияние релаксации напряжений и сегрегации Ge на реконструкцию поверхности в Ge/Si гетеросистеме".
99. 12-02-31012_мол_a В.М.Ковалев "Теория экситонов Ванье-Мотта в квантовых ямах со спин-орбитальным взаимодействием".
100. 12-08-98047-р_сибирь_а Ю.А.Стенькин "Получение и исследование функциональных нанокомпозитов на основе кремния и оксидов металлов; изучение процессов адсорбции и десорбции в полученных гетерофазных структурах".
101. 12-08-98043-р_сибирь_а С.Н.Поворознюк "Создание и исследование нанокомпозитов на основе пористого кремния и оксидов металлов с использованием мощных ионных пучков".
102. 12-08-31147_мол_а МОЛ_А_2012 Н.С.Филиппов "Исследование управляемого электрокинетического транспорта частиц через кремниевые канальные мембраны".
103. 12-08-00533-a В.В.Болотов "Исследование изменений структуры и электронных конфигураций углеродных нанотрубок в слоях, полученных методом CVD, при структурных и дефектных трансформациях в результате термических обработок, введения дефектов и легирования".
104. 12-02-90806-мол_рф_нр О.Д.Чимитова, В.В.Атучин "Cинтез, исследование микроструктурных и электронных параметров кристаллов сложных молибдатов и боратов. Научный проект Чимитовой Ольги Доржицыреновны из Байкальского института природопользования СО РАН, г. Улан-Удэ в Институте физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск".
105. 12-02-90704-моб_ст В.В.Преображенский "Научная работа Новикова Вадима Александровича из Томского государственного университета г. Томск, в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск. Исследование влияния условий кристаллизации и химических обработок поверхности полупроводников группы A_IIIB_V на их статистические и фрактальные характеристики".
106. 12-02-31889_мол_a Ю.С.Воробьева "Статический скин-эффект в двумерном электронном газе на цилиндрической поверхности".
107. 12-02-31721_мол_a А.А.Блошкин "Деполяризации света в упорядоченных цепочках квантовых точек Ge/Si".
108. 12-02-90443-Укр_а, Россия-Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН, Украины; "Фундаментальные характеристики и проблемы диагностики нанопроволочных и атомарно тонких полевых приборов на основе алмаза, кремния и графена".Руководители: Асеев А.Л., Попов В.П.
109. 12-02-90437-Укр_а Россия–Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины; "Электронная структура кремниевых квантовых точек в германии". Руководитель: Двуреченский А.В.
110. 12-02-90036-Бел_а, Россия-Беларусь, Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ; "Структурные и оптические свойства многослойных Ge/Si наноструктур с совмещенными квантовыми точками и квантовыми кольцами" Руководитель: Двуреченский А.В.
111. 11-02-92004-ННС_а, Россия-Тайвань, Центр по изучению конденсированного состояния Государственного Тайваньского университета; "Создание прямозонных полупроводников IV группы добавлением олова". Руководитель: Машанов В.И.
112. 11-08-00669-a Л.И.Вострикова "Фундаментальные исследования возможностей получения из композитных стеклянных сред кристаллоподобных материалов путём оптического полинга, пригодных для мощной лазерной техники и оптоэлектроники".
113. 11-07-00475-a А.А.Шкляев "Резонансная люминесценция на основе микрополостей в слоях кремния с высокой концентрацией дислокаций, полученных методом роста".
114. 11-07-00129-a В.Л.Курочкин "Создание высокоскоростных квантовых линий связи".
115. 11-07-00109-a С.Н.Мамойленко "Алгоритмы управления ресурсами вычислительных систем при решении масштабируемых задач".
116. 11-03-00900-a Б.Г.Вайнер "Исследование кинетики, физико-химических механизмов и количественных характеристик адсорбции путем применения матричного тепловидения высокого разрешения".
117. 11-02-00991-a В.Л.Альперович "Неравновесные атомные и электронные процессы на реконструированных поверхностях полупроводников А₃В₅ с адсорбированными слоями цезия".
118. 11-02-00982-a З.Д.Квон "Неравновесные и нелинейные эффекты в наноструктурах на основе двумерного электронного газа".
119. 11-02-00925-a А.А.Быков "Адмиттанс низкоразмерных полупроводниковых структур при больших факторах заполнения".
120. 11-02-00730-a М.В.Энтин "Оптические и фотоэлектрические свойства графена".
121. 11-02-00722-a И.В.Антонова "Гетероструктуры на основе графена и органических монослоев с регулируемыми электронными свойствами".
122. 11-02-00629-a А.В.Двуреченский "Декогеренция запутанных состояний в наноструктурах Ge/Si с квантовыми точками".
123. 11-02-00141-a В.А.Решетов "Когерентные переходные процессы в многоуровневой системе".
124. 11-02-00060-a А.В.Чаплик "Взаимодействие элементарных возбуждений в наноструктурах с высокочастотными полями".
125. 11-02-00045-a И.Г.Неизвестный "Механизмы бескаталитического роста нитевидных нанокристаллов (моделирование, эксперимент)".
126. 11-07-12067-офи-м-2011 В.Г.Кеслер "Разработка и создание опытного образца многоэлементного ИК-фотоприёмника на основе пассивации поверхности InAs сверхтонкими собственными окисными слоями в плазме тлеющего разряда".
127. 11-07-12014-офи-м-2011 В.Г.Хорошевский, М.Г.Курносов "Архитектура распределенных вычислительных систем и инструментарий параллельного предсказательного моделирования иерархических многомасштабных процессов в геофизических средах".
128. 11-02-12142-офи-м-2011 А.В.Чаплик "Низкоразмерные электронные системы в квантовых ямах с инвертированным зонным спектром".
129. 11-02-12141-офи-м-2011 И.Г.Неизвестный "Теоретические и экспериментальные исследования, расчеты и анализ направленные на создание систем формирования изображения в терагерцовом диапазоне при помощи прямого детектирования и схемы с тепловым экраном на основе матричных приемников Pb_1-xSn_xTe:In".
130. 11-02-12119-офи-м-2011 О.П.Пчеляков "Физико-технологические основы создания высокоэффективных тандемных преобразователей солнечной энергии на основе наногетероструктур A_IIIB_V на активной кремниевой подложке".
131. 11-02-12018-офи-м-2011 А.В.Двуреченский "Разработка метода синтеза трехмерного кристалла из квантовых точек в кристаллической полупроводниковой матрице".
132. 11-02-12007-офи-м-2011 А.И.Якимов "Разработка опытных образцов длинноволновых неохлаждаемых фотоприемников на базе гетероструктур с квантовыми точками Ge, встроенными в квантовые ямы SiGe в матрице Si".
133. 10-08-01288-a В.А.Селезнев "Разработка самоочищающихся покрытий и исследование их свойств в зависимости от внешних условий и микро- и наноструктурированой морфологии поверхности".
134. 10-08-00851-a Ю.Г.Галицын "Термодинамика образования массива квантовых точек в системе арсенид индия на поверхности (001) арсенида галлия".
135. 10-08-00246-a П.А.Бохан "Исследование методов генерации мощных электронных пучков в газе среднего давления и создание источника для накачки газовых лазеров ВУФ диапазона спектра на импульсную мощность до 500 МВт".
136. 10-07-00537-a Е.Б.Горохов "Пленки твёрдого монооксида германия (GeO) — материал с широким спектром новых применений в технологии наноэлектроники и нанооптики".
137. 10-07-00157-a К.В.Павский "Методы и алгоритмы анализа и организации функционирования большемасштабных распределенных вычислительных систем".
138. 10-02-01181-a Ж.В.Смагина "Физические явления и закономерности роста упорядоченных массивов наноостровков германия на кремнии".
139. 10-02-01124-a А.Г.Погосов "Электронный транспорт в колеблющихся подвешенных наностуктурах".
140. 10-02-01011-a А.В.Латышев "Атомные процессы и технологии изготовления функциональных поверхностных структур с регулируемыми свойствами".
141. 10-02-00926-a А.Л.Асеев "Электронный транспорт в предельно малых кремниевых нанопилларах".
142. 10-02-00902-a Е.М.Труханов "Равновесная дислокационная структура границ раздела (111) в наносистемах GeSi".
143. 10-02-00782-a А.К.Гутаковский "Атомное строение полупроводниковых гетеросистем и новые аспекты дефектообразования при эпитаксии на вицинальных и несингулярных поверхностях подложки".
144. 10-02-00722-a Л.В.Соколов "Выращивание биаксиально растянутых пленок германия на буфере InGaAs и изучение их структурных, оптических и электрических свойств".
145. 10-02-00618-a Н.П.Степина "Делокализация носителей заряда в двумерном массиве квантовых точек германия в кремнии".
146. 10-02-00513-a А.И.Торопов "Новый подход в анализе процессов эпитаксии на поверхности (001) полупроводников А₃В₅".
147. 10-02-00240-a Т.С.Шамирзаев "Спиновая релаксация экситонов в непрямозонных квантовых точках первого рода".
148. 10-02-00199-a Б.З.Ольшанецкий "Атомные процессы на поверхностях кремния и германия при адсорбции инородных атомов и формировании наноразмерных структур".
149. 10-02-00133-a И.И.Рябцев "Спектроскопическое исследование механизма формирования ультрахолодной плазмы в холодном ридберговском газе".
150. 10-02-00071-a И.В.Евсеев, В.Н.Ищенко "Когерентные переходные процессы в смесях иттербия с атомарными буферами".
151. 11-02-90706 В.В.Атучин "Научная работа Гроссман Виктории Георгиевны из Байкальского института природопользования, г. Улан-Удэ, в Институте физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск. Исследование микроморфологии, структурных и электронных характеристик многокомпонентных кристаллов молибдатов и боратов".
152. 11-02-05036 А.Л.Асеев "Создание и исследование твердотельных полупроводниковых наноструктур и низкоразмерных электронных систем".
153. 11-02-01824 А.Л.Асеев "Экстренная поддержка материально-технической базы для проведения исследований по области знаний 02".
154. 10-07-00531 Ю.Н.Новиков "Атомная и электронная структура кремниевых нанокластеров в диэлектрической среде".
155. 10-02-90050 С.В.Голод "Разработка и создание на основе оптимальных спиральных элементов метаматериалов, имеющих волновой импеданс близкий к импедансу свободного пространства".
156. 09-08-00232 Д.Э.Закревский "Исследование роли и механизма фотоэмиссии электронов в газовых разрядах".
157. 09-07-00248 Г.Н.Камаев "Формирование методом прямого сращивания кремния и исследование гетероструктур с резонансным туннелированием".
158. 09-07-00185 В.А.Павский "Разработка моделей и методов анализа эффективности функционирования большемасштабных распределенных вычислительных систем".
159. 09-02-01390 В.Я.Принц "Формирование и исследование графена, гибридных оболочек и наноприборов на его основе".
160. 09-02-01262 А.И.Никифоров "Влияние упругих деформаций на формирование и свойства вертикально упорядоченных наноструктур на основе Ge/Si".
161. 09-02-01205 Т.И.Батурина "Макроскопические квантовые явления вблизи перехода сверхпроводник-изолятор".
162. 09-02-01171 Л.И.Федина "Собственные нанокластерные структуры в кристаллах Si и Ge,инициированные вакансионно-междоузельным упорядочением".
163. 09-02-01045 О.Е.Терещенко "Адсорбат-индуцированное изменение стехиометрии и структуры поверхности полупроводников III-V".
164. 09-02-00974 В.Г.Мансуров "Многочастичные экситонные комплексы в вюртцитных GaN квантовых точках".
165. 09-02-00882 В.А.Зиновьев "Зарождение дислокаций в наноразмерных объектах со сложной геометрией поверхности".
166. 09-02-00775 О.П.Пчеляков "Синтез широкозонных полупроводниковых наноструктур и исследования их люминесцентных и геннерационных свойств при возбуждении электронным пучком, формируемым в открытом разряде".
167. 09-02-00504 Ю.Б.Болховитянов "Тонкие (~100 нм) эпитаксиальные пленки GexSi1-x на подложках Si (x=0.5-1): Исследование механизмов релаксации гетероэпитаксиальных систем GeSi/Si(001) в условиях модификации поверхности растущей пленки поверхностно-активными примесями (сурьма, атомарный водород)".
168. 09-02-00467 Е.Б.Ольшанецкий "Свойства квантовых ям на основе теллурида ртути".
169. 09-02-00458 А.Г.Милехин "Гигантское комбинационное рассеяние света и фотолюминесценция в полупроводниковых квантовых точках: от массива к одиночной квантовой точке".
170. 09-02-00087 А.Б.Талочкин "Релаксация механических напряжений в Si/Ge структурах с квантовыми точками Ge, влияние на спектр электронных состояний".
171. 09-02-00050 А.И.Якимов "Многочастичные дырочные состояния в двойных квантовых точках Ge в Si".
172. 09-02-00030 Н.Н.Рубцова "Оптическая память в полупроводниковых наноразмерных гетероструктурах, модифицированных лазерным излучением".
173. 10-02-92624 И.И.Бетеров "Сильно взаимодействующие ридберговские атомы для применения в быстрых квантовых логических ключах".
174. 10-02-91155 А.В.Двуреченский "Оптические переходы в неоднородных полях упругих деформаций, наведенных плотным массивом квантовых точек в наноструктурах второго типа Ge/Si".
175. 10-02-91067 О.Е.Терещенко "Оптическая регистрация спина электрона в спин-фильтрах на основе структур ферромагнетик/полупроводник".
176. 10-02-05047 А.Л.Асеев "Развитие материально-технической базы для проведения исследований по области знаний 02. Cоздание и исследование твердотельных полупроводниковых наноструктур и низкоразмерных электронных систем".
177. 09-07-90403 В.Г.Хорошевский "Разработка технологии параллельного мультипрограммирования и пространственно-распределенной мультикластерной вычислительной системы для моделирования задач энергетики".
178. 09-07-12016 В.Г.Хорошевский "Распределенные информационновычислительные системы: развитие фундаментальных основ, создание алгоритмического и программного обеспечения и параллельное моделирование сложных физических сред".
179. 09-07-00106 А.А.Шкляев "Источник света в диапазоне 1.5-1.6 мкм на основе кремния, выращенного на наноструктурированной поверхности".
180. 09-02-92650 К.С.Журавлев "Влияние поверхности и органической матрицы на колебательные и электронные свойства нанокристаллов, синтезированных методом Ленгмюра-Блоджетт".
181. 09-02-92007 К.С.Журавлев "Электрические и оптические свойства сформированных массивов нанокристаллов".
182. 09-02-90480 А.В.Двуреченский "Анизотропное обменное взаимодействие в процессах спиновой релаксации и рекомбинации в структурах с Ge/Si квантовыми точками".
183. 09-02-90427 И.И.Рябцев "Микроволновая спектроскопия ридберговских атомов в тепловых пучках и магнитооптической ловушке".
184. 09-02-12421 А.И.Никифоров "Образование гетероэпитаксиальных GeSi тонких пленок и саморганизованных наноостровков как единой взаимосвязанной системы различных квантовых объектов методом МЛЭ".
185. 09-02-12393 А.И.Якимов "Разработка опытного образца модулятора оптического излучения на основе эффекта Штарка в многослойных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge".
186. 09-02-12303 В.Я.Принц "Исследование взаимодействия терагерцового излучения с новыми функциональными резонансными метаматериалами для устройств управления поляризацией, фазой, интенсивностью и направлением распространения излучения".
187. 09-02-12291 А.В.Чаплик "Коллективные эффекты в двумерном полуметалле и наноструктурах на его основе".
188. 08-08-12232 В.А.Смирнов "Исследование лабораторных прототипов создаваемых методом оптического полинга нового класса термостойких элементов для современной микро и нано фотоэлектроники и силовой оптики (получение массива данных по перспективным материалам, объёмным и волноводным схемам)".
189. 08-08-00300 К.В.Павский "Комплексирование пространственнораспределенной кластерной вычислительной системы и разработка алгоритмического и программного инструментария отказоустойчивости и дистанционного доступа".
190. 08-07-00230 В.Г.Кеслер "Формирование сверхтонких (5-10 нм) собственных окисных слоёв на InAs методом сухого окисления в плазме тлеющего разряда".
191. 08-07-00022 С.Н.Мамойленко "Методы и алгоритмы управления ресурсами большемасшабных распределённых вычислительных (GRID) систем в мультипрограмнных режимах".
192. 08-02-92008 В.И.Машанов "Молекулярно-лучевая эпитаксия перспективных материалов Ge_1-x-ySi_xSn_y/GeSn с прямозонной структурой".
193. 08-02-90441 А.Г.Милехин "Спектроскопия поверхностных и интерфейсных фононов полупроводниковых структурах с квантовыми точками".
194. 08-02-90010 Н.Н.Рубцова "Когерентные переходные процессы в полупроводниковых наноструктурах".
195. 08-02-12095 Н.П.Степина "Разработка технологии и создание опытного образца однофотонного детектора излучения нового поколения на 0.9- 1.55 мкм на основе наноструктур Ge/Si с квантовыми точками".
196. 08-02-01434 С.В.Голод "Создание и исследование новых искусственных электромагнитных сред на основе трехмерных микро- и нанооболочек для терагерцового и инфракрасного диапазонов (среды с отрицательным показателем преломления, киральные и анизотропные среды)".
197. 08-02-01379 С.П.Супрун "Исследование низкотемпературного формирования гетерограницы GaAs/Ge".
198. 08-02-01322 М.В.Буданцев "Магнитоиндуцированное неравновесное состояние двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла".
199. 08-02-01236 В.Л.Альперович "Атомные реконструкции и электронные состояния атомно-гладкой поверхности GaAs с изовалентными адсорбатами".
200. 08-02-01101 С.А.Тийс "Начальные стадии роста пленок Ge на подложках Si (111): структурные состояния псевдоморфного слоя и возникновение дислокаций".
201. 08-02-01051 А.А.Быков "Электронный транспорт в полупроводниковых гетероструктурах в скрещенных электрическом и магнитном полях".
202. 08-02-01007 З.Д.Квон "Свойства двумерного и одномерного электронного газа в короткопериодном модулированном потенциале".
203. 08-02-00506 М.В.Энтин "Электронные процессы в квантовых наноструктурах в сильном локальном электромагнитном поле".
204. 08-02-00221 И.В.Антонова "Упорядоченные системы нанокристаллов кремния в слоях SiO2, создаваемые облучением ионами высоких энергий: процессы формирования, перезарядки и транспортные явления".
205. 08-02-00152 А.В.Чаплик "Коллективные моды и составные частицы в наноструктурах".
206. 08-02-00121 А.В.Двуреченский "Эффекты структурной асимметрии квантовых точек в спиновой релаксации в системах Ge/Si и Ge/SiO₂".
207. 08-02-00068 И.Г.Неизвестный "Кинетика и механизмы роста полупроводниковых нитевидных кристаллов (моделирование, эксперимент)".
208. 07-08-00438 Е.Б.Горохов "Наноструктурирование с применением сканирующей зондовой микроскопии и соединений германия".
209. 07-08-00434 Ю.В.Настаушев "Разработка и создание универсального эталона высоты для метрологических применений и стандартизации в области нано- и биотехнологий".
210. 07-08-00413 Д.В.Щеглов "Наноструктурирование и исследование полупроводниковых, металлических и органических материалов методами зондовой модификации и диагностики".
211. 07-07-00263 В.Л.Курочкин "Теоретическое и экспериментальное исследование квантовых каналов связи и методов повышения их пропускной способности".
212. 07-07-00142 В.Г.Хорошевский "Методы и алгоритмы анализа осуществимости параллельного решения задач и живучести распределенных вычислительных систем".
213. 07-03-00262 Ф.Н.Дульцев "Новый подход в исследовании процессов селективной адсорбции газов на поверхности тонких пленок".
214. 07-02-12070 А.В.Чаплик "Исследование физических процессов детектирования, модуляции и преобразования частоты в терагерцовом диапазоне".
215. 07-02-12037 А.М.Шалагин "Фундаментальные проблемы взаимодействия излучения и потоков заряженных частиц с веществом".
216. 07-02-01472 А.Б.Воробьев "Баллистический транспорт и спиновая поляризация двумерного электронного газа на цилиндрической поверхности".
217. 07-02-01336 В.Н.Шумский "Изучение взаимодействия субмиллиметрового излучения с фононной подсистемой PbSnTe:In вблизи точки сегнетоэлектрического фазового перехода".
218. 07-02-01277 А.Г.Погосов "Кулоновская блокада и термоэлектрические явления в одноэлектронном транзисторе с квантовой точкой, отделенной от подложки".
219. 07-02-01250 А.Л.Асеев "Свойства нанокристаллов кремния (нановискеров) пассивированных нанослоями оксида титана".
220. 07-02-01122 М.Д.Ефремов "Электронный спектр наношаров, сепарируемых из нанопорошка кремния".
221. 07-02-01106 О.А.Шегай "Фотопроводимость при межзонной подсветке Si/Ge и AlGaAs/InGaAs структур с квантовыми ямами и сверхрешетками".
222. 07-02-01005 А.С.Терехов "Спин-зависимая эмиссия баллистических фотоэлектронов из p-GaAs(Cs,O) в вакуум".
223. 07-02-01003 А.В.Латышев "Интердиффузия в атомных слоях и изолированных наноструктурах на поверхности кремния".
224. 07-02-00671 А.К.Гутаковский "Применение высокоразрешающей электронной микроскопии для визуализации и количественного анализа полей деформации в низкоразмерных гетеросистемах".
225. 07-02-00337 М.А.Путято "Исследование механизмов одновременной пластической релаксации в первоначально псевдоморфных многослойных гетероструктурах типа GaAs/Ge_xSi_1-x/Si(001), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии".
226. 07-02-00299 А.Б.Талочкин "Исследование аномального поведения межзонной плотности состояний полупроводниковых квантовых точек".
227. 07-02-00274 Б.З.Ольшанецкий "Атомные процессы и закономерности формирования низкоразмерных структур при адсорбции инородных атомов на чистых поверхностях элементарных полупроводников".
228. 07-02-00134 Т.С.Шамирзаев "Спиновая релаксация экситонов в квантовых точках InAs, синтезированных в широкозонных матрицах AlGaAs".
229. 07-02-00091 И.В.Евсеев "Долгоживущее фотонное эхо и деполяризующие столкновения в парах иттербия".
230. 06-02-72003 З.Ш.Яновицкая "Роль моноокиси кремния в переносе избыточного кремния и формировании излучающих нанокластеров в SiOх слоях".
231. 06-02-39006 А.В.Двуреченский "Разработка и создание лабораторного образца энергозависимых элементов памяти на основе наноструктур с квантовыми точками".
232. 06-02-17476 Е.М.Труханов "Теоретическое и экспериментальное изучение влияния винтовой дислокационной составляющей на релаксацию механических напряжений в эпитаксиальных пленках".
233. 06-02-03067 А.Л.Асеев "Развитие МТБ для проведения исследований по области знаний".
234. 06-02-16869 А.К.Бакаров "Магнетотранспорт электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при больших факторах заполнения".
235. 06-02-16704 Т.И.Батурина "Сверхпроводимость и локализация в неупорядоченных плёнках и массивах сверхпроводящих островков".
236. 06-02-16923 Э.Г.Батыев "Теория перехода металл-диэлектрик в двумерных электронных системах".
237. 06-08-00178 В.А.Володин "Фазовые превращения в тонких плёнках кремния стимулированные сверхкороткими (до фемтосекундных) лазерными импульсами".
238. 06-08-01502 Л.И.Вострикова "Разработка и исследование научных основ создания методом оптического полинга нового класса термостойких элементов оптики (в том числе для микро и нанофотоники)".
239. 06-02-16621 В.А.Гриценко "Изучение электронной структуры дефектов в диэлектриках с высокой диэлектрической проницаемостью".
240. 06-02-08209 К.С.Журавлев "Разработка МЛЭ технологии создания гетероструктур AlGaN/GaN для мощных СВЧ транзисторов".
241. 06-08-00272 Закревский Д.Э., "Непрерывные ультрафиолетовые лазеры на парах металлов с электронно-пучковым возбуждением".
242. 06-02-16988 А.В.Ненашев "Аналитическая модель электронной структуры самоформирующихся квантовых точек".
243. 06-02-17412 А.И.Никифоров "Вертикально упорядоченные наноразмерные структуры на основе Ge/Si".
244. 06-02-16129 Е.Б.Ольшанецкий "Эффекты электрон-электронного взаимодействия в транспорте двумерного электронного газа в гетероструктуре Si/ SiGe".
245. 06-02-17275 О.П.Пчеляков " Молекулярно- и ионно-лучевой синтез наногетероструктур на основе самоорганизованных массивов наночастиц в эпитаксиальных слоях кремния и германия".
246. 06-02-17485 В.Я.Принц "Трехмерные квантовые наносистемы на основе напряженных гетероструктур".
247. 06-02-16527 Н.Н.Рубцова "Когерентный контроль в атомах, молекулах и полупроводниковых наноразмерных гетероструктурах".
248. 06-02-16093 О.Е.Терещенко "Селективное взаимодействие щелочных ато- мов и галогенов с полярными поверхностями полупроводниковых соединений А₃В₅".
249. 06-02-16914 А.И.Торопов "Фазовые переходы порядок-беспорядок и процессы эпитаксии на поверхности (001) GaAs".
250. 06-02-17340 В.А.Швец "Изучение динамики образования нанокластеров Si, Ge и SiGe в слоях диэлектриков, имплантированных ионами кремния и германия методом быстродействующей эллипсомтерии in situ".
251. 06-02-16143 А.И.Якимов "Электронные состояния в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа".
252. 06-02-08077 А.В.Двуреченский "Разработка и создание лабораторного образца энергозависимых элементов памяти на основе наноструктур с квантовыми точками".
253. РФФИ 06-02-90870-Мол (Россия-Молдова) "Изготовление и изучение колебательных свойств наноструктур А₃В₅" 2006-2007 гг. (к.ф.-м.н. А.Г.Милехин).
254. РФФИ 06-02-81001-Бел (Россия-Беларусь) "Импульсное лазерное воздействие на гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками" 2006-2007 гг. (д.ф.-м.н., профессор А.В.Двуреченский).
255. 05-02-17265 В.Л.Альперович "Атомная структура и электронные состояния поверхности арсенида галлия с адсорбированными слоями цезия".
256. 05-02-16479 И.В.Антонова "Создание наноструктур методами высокоэнергетической ионной имплантации в многослойных эпитаксиальных слоях на основе кремния и исследование их свойств".
257. 05-02-17200 М.В.Буданцев "Ферромагнитный порядок квантовой холловской жидкости и гистерезис магнетосопротивления одномерного наноструктурированного проводника".
258. 05-03-32660 Ю.Г.Галицын "Роль латеральных взаимодействий в формировании двумерного реакционного фронта в эпитаксии на поверхности (001)GaAs".
259. 05-02-17842 С.В.Голод "Создание и исследование искусственных сред, предназначенных для динамического управления поляризацией, фазой, направлением и интенсивностью электромагнитного излучения".
260. 05-02-16285 А.В.Двуреченский "Спиновый транспорт и спиновая релаксация в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками".
261. 05-02-16901 К.С.Журавлев "Механизмы релаксации и рекомбинации неравновесных носителей заряда в квантовых точках GaN в матрице AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии".
262. 05-02-16591 З.Д.Квон "Квантовые явления в полупроводниковых системах сверхмалых размеров".
263. 05-02-17259 В.Г.Мансуров "Электронная зонная структура, электрические и оптические свойства AlGaN/GaN гетероструктур с двумерным электронным газом".
264. 05-08-01301 В.А.Мелентьев "Формальные основы отказоустойчивости. Модели, методы анализа и синтеза отказоустойчивых систем в подходе, свободном от надежностных приоритетов".
265. 05-02-16455 И.Г.Неизвестный "Кинетика атомно-молекулярных процессов и роль самоорганизации при формировании светоизлучающих нанокластеров кремния в слоях SiO₂, обогащенных кремнием (моделирование, эксперимент)".
266. 05-02-16991 В.М.Осадчий "Электронные свойства квантовых наногофрированных структур".
267. 05-02-16181 И.И.Рябцев "Лазерная и микроволдновая спектроскопия холодных ридберговских атомов в магнито-оптической ловушке, оптических решетках и атомном пучке".
268. 05-02-17250 В.А.Селезнев "Использование сверхкритических сред в нанотехнологии".
269. 05-02-16800 Б.Р.Семягин "Исследование процессов дефектообразования при молекулярно-лучевой эпитаксии фосфор-содержащих релаксированных буферных слоев (GaAsP, InGaP, AlInP) на кремниевой подложке".
270. 05-02-17220 В.А.Смирнов "Исследование оптического полинга слабопроводящих аморфных и кристаллических сред, сопутствующих линейно- и нелинейнооптическим явлениям".
271. 05-02-16943 Н.П.Степина "Эффекты кулоновского стекла в двумерного массиве туннельно-связанных квантовых точек Ge в Si".
272. 05-08-50278 С.А.Тийс "Разработка и создание лабораторного образца термофотоэлектрического автономного источника электроэнергии с полупроводниковым преобразователем тепла от сгорания углеводородного топлива".
273. 05-07-90009 В.Г.Хорошевский "Разработка пространственно-распределенной кластерной вычислительной системы".
274. 05-02-16939 А.В.Чаплик "Теория геометрических и топологических эффектов в низкоразмерных полупроводниковых системах".
275. 05-02-08118 А.В.Царев "Научные основы сверхузкополосных перестраиваемых акустооптических фильтров/демультиплексоров для перспективных гибких волоконно-оптических линий связи на основе высокоплотного частотного уплотенения".
276. 05-02-08022 В.Н.Шумский "Создание технологии и исследование свойств пленок PbSnTe:In с предъявлением по окончании работы макета линеек фотоприемников на их основе".
277. 05-07-08011 В.Г.Хорошевский "Разработка технологии параллельного мультипрограммирования, ориентированной на большемасштабные распределенные вычислительные системы (параллельное мультипрограммирование в GRID-системах)".
278. РФФИ-ГФЕН 05-02-39006-ГФЕН (Россия-Китай) "Спиновая динамика в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками" 2006-2007 гг. (д.ф.-м.н., профессор А.В.Двуреченский)
279. 04-02-08146 В.Я.Принц "Новый класс наноструктур и нанокомпозитов для управления оптическим и рентгеновским излучением".
280. 04-02-16541 А.Л.Асеев "Исследование нанокристаллов кремния, сформированных методами электронной и зондовой нанолитографии в слоях КНИ".
281. 04-02-20069 А.Л.Асеев "Создание и исследование твердотельных наноструктур и приборов на их основе".
282. 04-02-17407 П.А.Бохан "Теоретическое и экспериментальное исследование фотоэлектронного разряда".
283. 04-02-16789 А.А.Быков "Транспорт носителей заряда в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами и микроструктурах на их основе".
284. 04-02-16910 А.Б.Воробьев "Двумерные электронные системы на цилиндрической поверхности: создание, магнитотранспортные и электронные свойства".
285. 04-02-16642 Е.Б.Горохов "Квантовые точки Ge в матрице GeO2: синтез, структура, оптические свойства".
286. 04-02-16286 А.К.Гутаковский "Электронномикроскопические исследования атомной структуры границ раздела, морфологии и механизмов формирования нанокристаллических систем".
287. 04-02-16361 И.В.Евсеев "Физические основы записи, считывания и обработкиоптической инфрмации на основе фотонного эхо и его модификаций в парах иттербия".
288. 04-02-16774 А.В.Ефанов "Исследование процессов релаксации спина экситонов в трехмерных структурах AlGaAs".
289. 04-07-90432 В.Л.Курочкин "Теоретическая разработка и экспериментальная реализация новых алгоритмов релятивистской квантовой криптографии".
290. 04-02-16693 А.В.Латышев "Атомные ступени, монослойные покрытия и нанокластеры на поверхности кремния".
291. 04-02-16138 Б.З.Ольшанецкий "Атомные процессы на чистых поверхностях элементарных полупроводников при адсорбции инородных атомов".
292. 04-02-16894 А.Г.Погосов "Увлечение электронов фононами в мезоскопических электронных и фононных проводниках".
293. 04-02-16747 Л.В.Соколов "Экспериментальное изучение процессов формирования наноструктур в гетеросистеме Ge/CaF2/Si(111) при эпитаксии из молекулярных пучков".
294. 04-02-16425 А.Б.Талочкин "Оптические резонансы в полупроводниковых квантовых точках".
295. 04-02-16639 А.С.Терехов "Исследование переноса электронов через интерфейсы AlN-GaN(Cs,O)-вакуум и создание быстродействующих однофотонных фотоприемников".
296. 04-02-17552 А.А.Черненко "Аномальный резонанс насыщенного поглощения в атомах с вырожденными уровнями и эффект светового давления".
297. 04-02-16653 Т.С.Шамирзаев "Механизмы рекомбинации и релаксации экситонов в системе квантовых точек InAs, синтезированных в широкозонных матрицах AlGaAs".
298. 04-02-16398 М.В.Энтин "Теория поляризационнозависимых и родственных им фотоэлектрических эффектов в полупроводниках".
299. 02-02-16159 Э.Г.Батыев "Свойства вигнеровской жидкости".
300. 02-02-16388 Л.С.Брагинский "Теоретическое и экспериментальное исследование электронных и оптических свойств неидеальных GaAs/AlAs структур типа II".
301. 02-03-32307 Ю.Г.Галицин "Применение топохимического подхода к проблемам зародышеобразования в гомоэпитаксии GaAs и InAs".
302. 02-02-17719 А.М.Гилинский "Механизмы формирования и рекомбинации автолокализированных экситонов в структурах с нанокристаллами Si, сформированными в матрице SiO2" .
303. 02-02-16020 А.В.Двуреченский "Электронная структура самоорганизующихся квантовых точек Ge/Si".
304. 02-02-16516 З.Д.Квон "Электрон-электронное взаимодействие и спиновые эффекты в квантовых проволоках, точках и интерферометрах".
305. 02-02-17746 А.Г.Милехин "Эффекты локализации и интерференции фононов в структурах с самоорганизованными точками германия".
306. 02-02-17726 И.Г.Неизвестный "Атомная диффузия при формировании эпитаксиальных слоев на поверхностях со сложным рельефом, включая поверхности пористых материалов".
307. 02-02-17897 В.М.Осадчий "Зависимость электронных свойств наноструктур с искривленными поверхностями от внутренних механических напряжений".
308. 02-02-16332 И.И.Рябцев "Экспериментальное моделирование логических элементов квантового компьютера на атомах в ридберговских состояниях".
309. 02-02-17695 В.А.Смирнов "Исследование механизмов формирования и свойств долгоживущей оптической поляризации, наведенной двухчастотным когерентным светом в стеклах и высокоомных кристаллах".
310. 02-02-17800 С.П.Супрун "Механизмы формирования и оптические переходы в напряженных квантовых точках германия".
311. 02-02-16593 А.И.Торопов "Физико-химические проблемы реконструкционных фазовых переходов на поверхностях GaAs и InAs".
312. 02-07-9379 В.Г.Хорошевский "Исследование и разработка инструментальных средств для моделирования, анализа и организации функционирования большемасштабных систем распределенной обработки информации".
313. 02-07-90380 В.Г. Хорошевский, В.К. Трофимов "Исследование и разработка живучей масштабируемой кластерной системы для моделирования параллельных вычислительных технологий".
314. 02-02-16377 А.В.Чаплик "Зарядовые и спиновые возбуждения в наноструктурах: влияние внешних полей".
315. 02-02-16718 О.А.Шегай "Прыжковая фотопроводимость Si/Ge/Si-структур с самоорганизующимися квантовыми точками германия".
316. 02-02-17802 В.Н.Шумский "Исследование влияния электронной подсистемы на фазовый переход в твердом растворе PbSnTe(In)".
317. 01-02-17694 В.Л.Альперович "Фазовые переходы и электронные возбуждения в слоях цезия на поверхностях полупроводников".
318. 01-02-16986 И.В.Антонова "Исследование и оптимизация свойств границ раздела кремний-двуокись кремния в структурах кремний на изоляторе".
319. 01-02-17560 А.Л.Асеев "Наноструктуры на поверхности кремния".
320. 01-02-16892 А.А.Быков "Когерентный транспорт в мезаскопических системах на основе модулированных полупроводников с высокой концентрацией носителей заряда".
321. 01-02-17438 А.К.Гутаковский "Электронномикроскопические исследования твердофазных реакций в многокомпонентных системах пониженной размерности".
322. 01-02-17578 И.В.Евсеев"Когерентные переходные процессы в оптически плотном атомарном газе".
323. 01-02-16967 К.С.Журавлев "Динамика формирования и релаксации свободных экситонов в трехмерных структурах на основе высокочистых твердых растворов алюминий-галий-мышьяк".
324. 01-02-17464 А.В.Латышев "Изучение атомных процессов на поверхности кремния при самоорганизации нанообъектов методом in situ СВВ отражательной электронной микроскопии".
325. 01-01-00790 В.А.Мелентьев "Моделирование отказоустойчивых архитектур вычислительных систем. Постановка и решение задач анализа живучисти и синтеза оптимальных вычислительных систем с отказоустойчивой архитектурой".
326. 01-02-16830 П.Л.Новиков "Эффекты самоорганизации поверхностных структур при гетероэпитаксии германия на фрактальных пористых слоях кремния".
327. 01-02-16844 Б.З.Ольшанецкий "Атомные процессы на чистых поверхностях элементарных полупроводников при адсорбции инородних атомов".
328. 01-02-17698 А.Г.Погосов "Термомагнитные свойства твердотельных электронных биллиардов".
329. 01-02-32795 С.М.Репинский "Создание и исследование гибридных функциональных материалов микросистемной техники для рецепции газов".
330. 01-02-32796 Л.Л.Свешникова "Создание и исследование мультимолекулярных систем, содержащих металлические и полупроводниковые нанокластеры".
331. 01-02-17329 Н.П.Степина "Экситоны в квантовых точках второго типа".
332. 01-02-16969 А.С.Терехов "Генерация каскада оптических фононов электроном при эмиссии из арсенида галлия с отрицательным электронным сродством".
333. 01-02-16969 Д.А.Тэннэ "Синтез и спектроскопия комбинационного рассеяния света новых полупроводниковых наноструктур с самоорганизованными квантовыми точками".
334. 01-02-17451 Л.И.Федина "Низкоразмерные структуры собственных точечных дефектов в кристаллах кремния и германия".
335. 00-02-17965 Т.И.Батурина "Квантовый транспорт в тонких сверхпроводящих пленках силицидов металлов и гибридных мезоскопических системах на их основе".
336. 00-02-17461 Ю.Б.Болховитянов "Теоретическое и экспериментальное исследование релаксационных процессов, способствующих снижению плотности пронизывающих дислокаций в напряженных эпитаксиальных слоях".
337. 00-02-17924 Ю.В.Бржазовский "Лазерная спектроскопия интерференционных явлений в холодных атомах рубидия в магнитооптической ловушке".
338. 00-03-32375 В.А.Вьюн "Акустический метод исследования молекулярных связей на поверхности твердых тел".
339. 00-02-17963 Г.А.Качурин "Влияние облучения на фотолюминесценцию и структурные превращения в кремниевых квантово-размерных частицах".
340. 00-02-17896 Ю.В.Настаушев "Магнетотранспортные свойства пространственно-модулированного двумерного электронного газа".
341. 00-02-18012 А.И.Никифоров "Исследование процессов зарождения и роста островков GeSi на атомарно-чистой поверхности окиси кремния".
342. 00-02-16764 В.Я.Принц "Формирование и свойства сложных трехмерных наноструктур".
343. 00-02-17638 О.П.Пчеляков "Исследование процессов самоорганизации и упорядочения ансамблей квантовых точек на базе гетероструктур Ge_хSi_1-х/Si".
344. 00-02-17993 Н.Н.Рубцова "Исследование динамического эффекта Штарка в атомах и молекулах методами бездопплеровской когерентной спектроскопии".
345. 00-02-17900 Л.В.Соколов "Изучение закономерностей самоформирования Ge островков и создание наноструктур в гетеросистеме Ge/CaF₂/Si".
346. 00-02-17994 Е.М.Труханов "Изучение взаимосвязи между напряженным состоянием и распределением дислокаций несоответствия в эпитаксиальных системах с твердыми растворами соединений А₃В₅ на СaF₂ и GeSi на Si".
347. 00-02-17485 А.А.Федоров "Развитие метода интерференционной топографии для изучения структуры полупроводниковых гетероструктур".
348. 00-01-00126 В.Г.Хорошевский "Методы анализа и алгоритмы организации функционирования большемасштабных распределенных систем обработки информации".
349. 00-02-17658 М.В.Энтин "Электронные состояния и кинетические явления в системах многоэлектронных квантовых точек".
350. 00-02-17885 А.И.Якимов "Электронные фазовые переходы и эффекты взаимодействия в плотных массивах квантовых точек".
351. 99-02-39051 А.В.Двуреченский (РФФИ-ГФЕН Китая) "Эффекты корреляций и размерного квантования в тунельном транспорте по массиву самоорганизующихся квантовых точек германия с управляемым заполнением".
352. 99-02-39044 В.А.Смирнов (РФФИ-ГФЕН Китая) "Исследование оптических свойств стекол и кристаллов на основе когерентного фотогальванического эффекта".