Новости

События
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.
Объявления
В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»
В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."
Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"
Важное
Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций
Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее
Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН
Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее
Поступление в образовательные организации высшего образования
Государственная итоговая аттестация завершает процесс освоения имеющих государственную аккредитацию основных образовательных программ подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре.
Государственная итоговая аттестация проводится государственными экзаменационными комиссиями в целях определения соответствия результатов освоения обучающимися основных образовательных программ подготовки научно-педагогических кадров требованиям Федерального государственного образовательного стандарта.
К государственной итоговой аттестации допускаются обучающиеся, не имеющие академической задолженности и в полном объеме выполнившие учебный план или индивидуальный учебный план по соответствующим образовательным программам аспирантуры. Лица, защитившие диссертацию до окончания срока обучения в аспирантуре, в полном объеме выполнившие учебный план или индивидуальный учебный план по соответствующим образовательным программам аспирантуры, по собственному желанию и по решению Ученого совета Института также могут быть допущены к государственной итоговой аттестации.
К формам государственной итоговой аттестации по программам подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре ИФП СО РАН относятся:
- государственный экзамен, соответствующий профилю направления подготовки;
- подготовка выпускной квалификационной работы и представление научного доклада об основных результатах выпускной квалификационной работы (диссертации) (далее научный доклад).
Государственные аттестационные испытания проводятся устно и/или письменно.
Государственный экзамен проводится по одной или нескольким дисциплинам и (или) модулям образовательной программы, результаты освоения которых имеют определяющее значение для профессиональной деятельности выпускников.
Программы государственных экзаменов одобряются на Ученом совете ИФП СО РАН и утверждаются заместителем директора Института по научной работе.
Темы выпускных квалификационных работ, по результатам которых пишется сама работа и представляется научный доклад, определяются и утверждаются на заседании Ученого совета Института. Аспиранту предоставляется право выбора темы вплоть до предложения своей тематики с необходимым обоснованием целесообразности ее разработки.
Сроки проведения государственной итоговой аттестации аспирантов устанавливаются приказом директора Института не позднее, чем за 30 дней до начала приема экзамена по специальности и начала представления научных докладов.
Лицам, успешно прошедшим государственную итоговую аттестацию по программе подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре, присваивается квалификация «Исследователь. Преподаватель-исследователь», документально подтверждаемая выдаваемым Дипломом (с приложением) об окончании аспирантуры.
Нормативные документы
Федеральный закон об образовании в Российской Федерации №273 от 21.12.2012
Приказ Минобрауки №227 от 18.03.2016 об утверждении порядка проведения ГИА.
Приказ №242 о Порядке и сроке прикрепления лиц для подготовки диссертации
Локальные акты
Положение о порядке приёма в аспирантуру
Положение о подготовке кадров высшей квалификации в аспирантуре
Положение об отделе аспирантуры
Положение о научном руководителе
Положение о формировании фонда оценочных средств
Положение о порядке проведения ГИА
Положение о педагогической практике
Положение о научно-исследовательской практике аспирантов ИФП СО РАН
Положение о научных исследованиях аспирантов ИФП СО РАН
Положение об отчислении обучающихся из числа аспирантов
Положение о предоставлении академического отпуска
Положение о восстановлении лиц в число аспирантов
Порядок перевода аспирантов в ИФП СО РАН
Положение об электронной информационно-образовательной среде
Порядок заполнения, выдачи и учета дипломов об окончании аспирантуры и их дубликатов
Порядок разработки и утверждения индивидуального плана работы аспиранта.
Порядок разработки и утверждения рабочих программ дисциплин аспирантуры.
Архив
История и философия науки | д.ф.н, профессор Супрун Владимир Иванович |
Иностранный язык | старший преподаватель Давыдова Екатерина Владимировна |
Физика полупроводников | д.ф.-м.н., профессор Альперович Виталий Львович, к.ф.-м.н., доцент Ненашев Алексей Владимирович |
Физика конденсированного состояния | академик РАН, профессор Чаплик Александр Владимирович |
Физические основы нанотехнологии | чл.-корр РАН, профессор Двуреченский Анатолий Васильевич |
Радиационная физика | чл.-корр РАН, профессор Двуреченский Анатолий Васильевич |
Кристаллофизика | д.ф.-м.н., профессор Терещенко Олег Евгеньевич |
Оптические явления в полупроводниках | д.ф.-м.н., профессор Альперович Виталий Львович |
Микро- и наносистемы в технике и технологии | д.ф.-м.н., профессор Антонова Ирина Вениаминовна |
Электронные свойства низкоразмерных систем | д.ф.-м.н., профессор Квон Зе Дон |
Твердотельная фотоэлектроника | к.ф.-м.н. Шайблер Генрих Эрнстович |
Нанодиагностика | академик РАН, профессор Латышев Александр Васильевич, к.ф.-м.н., доцент Родякина Екатерина Евгеньевна |
Сверхпроводимость | к.ф.-м.н., доцент Батыев Эдуард Газизович |
Квантовый транспорт в низкоразмерных структурах | д.ф.-м.н., профессор Погосов Артур Григорьевич |