События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

ПУБЛИКАЦИИ



1989

  1. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов. Кулоновская щель и переход металл-диэлектрик в неупорядоченных полупроводниках с сильно локализованными состояниями. ЖЭТФ, 1989, т.95, № 1, с.159-169.
  2. A.V.Dvurechenskii, V.A.Dravin, A.I.Yakimov. Electrical properties of ion-doped amorphous silicon. Phys. Stat. Sol. (a), 1989, v.113, p.519-527.
  3. A.A.Karanovich, A.V.Dvurechenskii. The ESR Studies of Inhomogeneous Deformations in Neutron-Irradiated Si. Phys. Stat.Sol. (a), 1989, v.111, p.257-263.
  4. С.Н.Коляденко, А.В.Двуреченский, А.Л.Васильев. Структуры кремний-на-изоляторе, формируемые перекристаллизацией импульсным нагревом. Электронная промышленность, 1989, № 4, с.3-7.
  5. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Recrystallization of silicon-on-insulator layers in pulsed nanosecond heating (model calculations). Thin Solid Films, 1989, v.171, p.235-242.
  6. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova.Two-dimensional model of SOI Structure Crystallization by Pulsed Nanosecond Heating. Phys. Stat.Solidi (a), 1989, v.115, p.K23-K26.
  7. A.V.Dvurechenskii, A.A.Karanovich, V.V.Suprunchik. Paramagnetic defects in Si irradiated with high doses of fast electrons and neutrons. Radiat.Effects and Defects in Solids, 1989, v.111-112, № 1-2, p.91-98.
  8. Л.Н.Александров. Формирование дислокаций в слоях полупроводников при импульсном нагреве. - в кн: Свойства и структура дислокаций в полупроводниках, АН СССР, Черноголовка, 1989, с.6-12.
  9. Л.Н.Александров, А.Н.Коган, P.В.Бочкова, Н.П.Тихонова. Изучение влияния химических реакций на формирование структуры полупроводниковых пленок методом Монте-Карло. Неорганические материалы, 25 (1989) 1061-1066.
  10. L.N.Aleksandrov. Crystallization Processes and Structures of Semiconductor Films.- in: Polycrystalline Semiconductors, Eds. J.H.Werner, H.J.Moller, H.P.Strunk. Springer Proceed. Physics, v. 35, 1989, Berlin, Heidelberg, New-York, p.270-282.
  11. L.N.Aleksandrov, S.V.Babenkova, and V.A.Zinovyev. Thermoelastic Stresses in Multilayered Structures of Silicon - Insulator Types (Computational Experiment). Phys, Stat. Sol. (A), 116 (1989) K57-60.
  12. L.N.Aleksandrov, A.N.Kogan and N.P.Tikhonova. Monte Carlo Study of the Silicon Film Growth From Molecular Beams. Solid Films, 183 (1989) 345-350.
  13. L.N.Aleksandrov. Crystallization processes and structures of semicoductor films. Review of Solid State Science, 3 (1989) 203-220.