ПУБЛИКАЦИИ

1996

1. A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii, C.J.Adkins, V.A.Dravin. Current-voltage characteristics of porous amorphous Si1-x Mnx in the one-dimensional hopping regime. Phil. Mag. Letters, 1996, v.73, №1, p.17-26.
2. А.И.Якимов, В.А.Марков, А.В.Двуреченский, О.П. Пчеляков. Продольная проводимость гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками. Письма в ЖЭТФ, 1996, т.63, вып.6 с.423-426.
3. А.И.Якимов, Н.П.Степина, А.В.Двуреченский. Фотостимулированные мезоскопические флуктуации тока в микроструктурах на основе а-Si. Письма в ЖЭТФ, 1996, т.64, вып.10, с. 674-677.
4. A.V.Dvurechenskii, V.A.Zinovyev, A.F.Faizullina. Oscillation of step velocity at sputtering of Si(111) vicinal surfaces by low-energy Xe ions. Surface Science, 1996, v.347, Iss.1-2, p.111-116.
5. А.И.Якимов, Н.П.Степина, А.В.Двуреченский, Л.А.Щербакова, А.И.Никифоров. Электрические свойства фрактальных систем на основе пористого аморфного кремния. ЖЭТФ, 1996, т.110, вып.7, с.322-333.
6. А.В.Двуреченский, В.А.Зиновьев, В.А.Марков, Р.Грецшель, К.-Х. Хайниг. Эффекты импульсного воздействия ионами низких энергий при гомоэпитаксии кремния из молекулярного пучка. Письма в ЖЭТФ, 1996, т.64, вып.10, с. 690-695.
7. В.В.Супрунчик. Прыжковый транспорт в слоях кремния с низким содержанием атомов примеси. ЖЭТФ, 1996, том 110, вып.5 (11), стр. 1-8. Л.Н.Александров, П.Л.Новиков. Моделирование образования структур пористого кремния. В кн. Тонкие пленки в электронике. Москва. 1996 г., с. 265-268.
8. L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov. Kinetics of Phase Transitions in Porous Materials, Phys. Status solidi (a), 1996, v.198, N 2.