События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

СОТРУДНИКИ

Сарыпов Даниил Игоревич

инженер-исследователь, аспирант

тел. +7 (383) 330-81-71
Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
к. 351 ЛТК

РИНЦ Author ID: 1180285

РИНЦ SPIN-код: 3352-7080

ORCID: 0000-0003-1056-5235

Web of Science ResearcherID: JQI-5153-2023

Scopus Author ID: 57964154900

Профиль в ResearchGate

Научная деятельность:

Область научных интересов Д. И. Сарыпова связана с экспериментальным изучением электронного транспорта в полупроводниковых структурах с пониженной размерностью, в том числе в структурах с усиленным электрон-электронным взаимодействием. Особый интерес представляет собой гидродинамическое описание электронного транспорта, т. е. рассмотрение коллективного движения электронов, как течения вязкой жидкости. Такая аналогия даёт наглядную физическую картину явления и позволяет оперативно предсказывать влияние межэлектронного взаимодействия на эксперимент.

Образование:

  • 2022 г. — защитил диплом бакалавра по специальности «Физика» с отличием, Физический факультет, Новосибирский государственный университет.
  • 2024 г. — защитил диплом магистра по специальности «Физика» с отличием, Физический факультет, Новосибирский государственный университет.
  • 2024 г. – н.в. — аспирант физического факультета Новосибирского государственного университета.

Трудовая деятельность:

  • 2021 – 2024 гг. — научно-исследовательская практика в ИФП СО РАН;
  • 2024 г. – н.в. — инженер-исследователь лаб. №24, ИФП СО РАН.

Премии и награды:

  • Лауреат именной стипендии А. В. Ржанова молодым учёным ИФП СО РАН (2024-2025 гг.).
  • Диплом I степени за лучший доклад на Школе молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем – 2024».
  • Диплом I степени за лучший доклад на Международной научной студенческой конференции 2024.
  • Диплом II степени за лучший доклад на XXV Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (2023 г.).

Общественная деятельность:

  • 2019 г. — работа в студенческом стройотряде;
  • 2020 г., 2021 г. — работа в приемной комиссии НГУ.

Избранные публикации:

  1. D. I. Sarypov, D. A. Pokhabov, A. G. Pogosov, E. Yu. Zhdanov, A. A. Shevyrin, A. K. Bakarov, A. A. Shklyaev. Temperature Dependence of Electron Viscosity in Superballistic GaAs Point Contacts. Phys. Rev. Lett. 134, 026302 (2025).

  2. Д. И. Сарыпов, Д. А. Похабов, А. Г. Погосов, Е. Ю. Жданов, А. К. Бакаров. Многоямный потенциал в квантовом точечном контакте траншейного типа. Письма в ЖЭТФ 116 (6), 350 – 357 (2022).