Новости
Летный образец разработан и изготовлен в Институте физики полупроводников в рамках научной программы «Роскосмоса» по заказу РКК «Энергия»
События
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.
Объявления
Во вторник 26.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»
В понедельник, 18.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик:к.ф.-м.н., доцент Сколковского института науки и технологий, руководитель Лаборатории квантовых алгоритмов машинного обучения и оптимизации Палюлин Владимир Владимирович.
«Модели двух состояний для описания диффузии экситонов в низкоразмерных полупроводниках»
В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»
Важное
 | Российская конференция и школа молодых ученых 8-12 сентября 2025 года |
Региональный конкурс предоставление грантов в форме субсидий, проводимый Российским научным фондом и Новосибирской областью «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами»
Заявки принимаются до: 02.10.2025
Подробнее о конкурсе
Поступление в образовательные организации высшего образования
ПУБЛИКАЦИИ
1979
- А.П. Ковчавцев. Туннельные токи в системе Au-SiO2-Si c окислом толщиной 16-36 А. ФТТ, 1979, т. 21, вып. 10, с. 3055 – 3060.
ПУБЛИКАЦИИ
1983
- Atanasova E.D., Kovchavtsev A.P. Interface properties of Metal/Oxide/Semiconductor Structures with ultrayhin Plasma SiO2. Thin Solid Films, 1983, 100, 131-139.
- A.A. Frantsuzov, A.P. Kovchavtsev. The Determination of Surface Potential Fluctation Values and Spatial Distribution of Traps in Insulators from the Temperature Dependence of the (Gp/ω)- ω Curves of MOS Structures. Phys. Stat. Sol. (a), 1983, 79, 503 – 511.
ПУБЛИКАЦИИ
1985
- Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Постников К.О, Бирюков С.А. Туннельная спектроскопия фононов в арсениде индия, ФТП, 1985, 19, в. 12, стр. 2187-2188.
ПУБЛИКАЦИИ
1984
- А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, В.Н. Дроздов, О.С. Липатникова. Механизм поперечной проводимости МДП-структур на основе арсенида индия при низкой температуре. Поверхность. Физика, химия, механика. 1984, 8, 68-72.
ПУБЛИКАЦИИ
1986
- Kovchavtsev A.P., Kurisev G.L., Postnicov K.O. Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy of InAs-Superthin Insulator-Au Structures. Phys.stat.sol. (a), 1986, 97, 421-425.
- Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Дроздов В.Н. Полевой дрейф ионов в МДП-структурах на основе арсенида индия. Микроэлектроника 1986, 15, в. 4, стр. 324-327.
- Гуртов В.А., Золотов М.В., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л. Объемный заряд в МДП-структурах на основе арсенида индия. Микроэлектроника, 1986, 15, в. 2, стр. 142-146.
![[Центр коллективного пользования]](/img/logo-ckp.gif){kind=logo} | ![[Контакты]](/img/contacts.gif) | ![[Служба webmail]](/img/webmail_new.gif) | ![[Библиотека]](/img/lib_new.jpg) |
![[Закупки]](/img/gos.gif) |