Новости
Поздравляем Алексея Петрова!
События
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Объявления
В четверг, 09.10.2025 в 10-30
в конференц-зале ЛТК состоится
Семинар лаборатории №1: "Флуктуационный кондктанс двумерного полуметалла". Докладчик: З.Д. Квон
Во вторник 26.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»
В понедельник, 18.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик:к.ф.-м.н., доцент Сколковского института науки и технологий, руководитель Лаборатории квантовых алгоритмов машинного обучения и оптимизации Палюлин Владимир Владимирович.
«Модели двух состояний для описания диффузии экситонов в низкоразмерных полупроводниках»
В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»
Важное
Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами»
Заявки принимаются до 13.11.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда
Поступление в образовательные организации высшего образования
ПУБЛИКАЦИИ
1979
- А.П. Ковчавцев. Туннельные токи в системе Au-SiO2-Si c окислом толщиной 16-36 А. ФТТ, 1979, т. 21, вып. 10, с. 3055 – 3060.
ПУБЛИКАЦИИ
1983
- Atanasova E.D., Kovchavtsev A.P. Interface properties of Metal/Oxide/Semiconductor Structures with ultrayhin Plasma SiO2. Thin Solid Films, 1983, 100, 131-139.
- A.A. Frantsuzov, A.P. Kovchavtsev. The Determination of Surface Potential Fluctation Values and Spatial Distribution of Traps in Insulators from the Temperature Dependence of the (Gp/ω)- ω Curves of MOS Structures. Phys. Stat. Sol. (a), 1983, 79, 503 – 511.
ПУБЛИКАЦИИ
1985
- Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Постников К.О, Бирюков С.А. Туннельная спектроскопия фононов в арсениде индия, ФТП, 1985, 19, в. 12, стр. 2187-2188.
ПУБЛИКАЦИИ
1984
- А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, В.Н. Дроздов, О.С. Липатникова. Механизм поперечной проводимости МДП-структур на основе арсенида индия при низкой температуре. Поверхность. Физика, химия, механика. 1984, 8, 68-72.
ПУБЛИКАЦИИ
1986
- Kovchavtsev A.P., Kurisev G.L., Postnicov K.O. Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy of InAs-Superthin Insulator-Au Structures. Phys.stat.sol. (a), 1986, 97, 421-425.
- Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Дроздов В.Н. Полевой дрейф ионов в МДП-структурах на основе арсенида индия. Микроэлектроника 1986, 15, в. 4, стр. 324-327.
- Гуртов В.А., Золотов М.В., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л. Объемный заряд в МДП-структурах на основе арсенида индия. Микроэлектроника, 1986, 15, в. 2, стр. 142-146.
![[Центр коллективного пользования]](/img/logo-ckp.gif){kind=logo} | ![[Контакты]](/img/contacts.gif) | ![[Служба webmail]](/img/webmail_new.gif) | ![[Библиотека]](/img/lib_new.jpg) |
![[Закупки]](/img/gos.gif) |