ДОКЛАДЫ НА КОНФЕРЕНЦИЯХ

2010

приглашённые

1. Гузев А.А., Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Ли И.И., Михайлов Н.Н., Панова З.В., Парм И.О., Сидоров Ю.Г. «Свойства МДП-структур на основе КРТ с широкозонными пассивирующими слоями ZnTe/CdTe», XXI международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 25-28 мая 2010, тезисы, стр. 91.
2. В.М. Базовкин, Н.А. Валишева, А.А. Гузев, В.М. Ефимов, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.И. Ли, В.Г. Половинкин, А.С. Строганов, Л.А. Мирзоева, Г.А. Маковцов, Е.В. Пролыгин. «Многомодульное линейчатое фотоприемное устройство 4х(2х192) на основе InAs МДП структур для систем теплопеленгации». XXI международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 25-28 мая 2010, тезисы, стр. 21.
3. Georgy L. Kuryshev. «TEMPERATURЕ RESOLUTIОN OF MULTIELEMENT HYBRID InAs MIS IR FPA AND THERMOGRAPH ON THEIR BASIS», сб. трудов 11-й Международной Молодежной Конференции-Семинара по микро/нано- технологиям и электронным приборам EDM’2010. Стр. 386-389.
4. Georgy L. Kuryshev. «TECHNOLOGICAL AND Physical PROBLEMS OF InAs-LINEAR IR MIS – STRUCTURES ARRAY», сб. трудов 11-й Международной Молодежной Конференции-Семинара по микро/нано- технологиям и электронным приборам EDM’2010, Стр. 383-385.
5. Д.Д. Карнаушенко, И.И. Ли, В.Г. Половинкин, Ж.В. Гуменюк-Сычевская. Инфракрасные фотоприемные устройства на основе системы: фотодиод- устройство считывания с прямой инжекцией заряда. Тезисы на “XXI международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения”, 27-30 мая 2010 г., Москва, стр. 105-106.
6. V.V. Atuchin, L.I. Isaenko, V.G. Kesler, A.Yu. Tarasova. Single crystal growth and surface chemical stability of KPb₂Br₅. The 16th International Conference on Crystal Growth and The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 8-13 August, 2010, Beijing, China. BJ2.

устные

1. Тарков М.С. Построение гамильтоновых циклов рекуррентной нейронной сетью в тороидальных графах с дефектами ребер // Труды XII Всероссийской научно-технической конференции «НЕЙРОИНФОРМАТИКА-2010», часть 2, Москва, 2010, С. 26 -34.
2. Тарков М.С. Отображение полугрупповых операций над массивами на вычислительную систему с тороидальной структурой // Тезисы докладов 8-й Российской конференции с международным участием «НОВЫЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В ИССЛЕДОВАНИИ СЛОЖНЫХ СТРУКТУР», 5-8 октября 2010 г., Томск, С. 25.
3. Тарков М.С., Тихонов Н.В. Оценивание гетерогенности изображений на основе их представления квадродеревьями // там же. С. 87.
4. Тарков М.С. Параллельный алгоритм построения гамильтоновых циклов в графе распределенной вычислительной системы рекуррентной нейронной сетью // Труды 5-й Международной конференции «Параллельные вычисления и задачи управления», Москва, 26-28 октября 2010 г. С. 607-617.
5. N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, V.N. Kruchinin, S.V. Eremeev, S.E. Kulkova, A.V. Kalinkin. Composition, atomic structure and electronic properties of fluorine passivated InAs (111)A/anodic oxide interface, Abstract of 12th annual conference YUCOMAT-2010, September, 6-10, 2010, Herceg Novi, Montenegro, p. 13.
6. Черков А.Г., Валишева Н.А., Терещенко О.Е., Гутаковский А.К., Просвирин И.П., Левцова Т.А., Исследование влияния фтора на структуру и состав анодных оксидных слоев на InAs (111), МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ РАДИОЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ» (INTERMATIC - 2010), 23–27 ноября 2010 г., Москва.
7. Тарков М.С., Дугаров Г.А. Параллельный алгоритм решения задачи коммивояжера рекуррентной нейронной сетью // Труды V Международной азиатской школы-семинара «Проблемы оптимизации сложных систем». Новосибирск: ИВМ и МГ СО РАН, 2009. С. 131-137. (опубликовано в 2010 г.)
8. Tarkov M.S., Dugarov G.A. A parallel algorithm for solving the traveling salesman problem by a recurrent neural network // Bulletin NCC, series Computer Science, 2010, issue 30. P. 89-94.
9. Tarkov M.S., Tikhonov N.V. An algorithm for evaluating the thermogram heterogeneity based on its quadtree representation // Bulletin NCC, series Computer Science, 2010, issue 30. P. 95-100.
10. В.В. Атучин, В.Г. Кеслер, М.С. Молокеев, К.С. Александров, Структурные и электронные свойства K₃WO₃F₃. XI Международная школа-семинар «Эволюция дефектных структур в конденсированных средах», 6-10 сентября 2010, Барнаул.
11. Кеслер В.Г. Изучение процесса анодного окисления InAs в плазме тлеющего разряда с использованием метода РФЭС in-situ. ХХ Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь». Новосибирск, 24-27 мая 2010 г., тезисы докладов, с. 66.
12. В.В. Атучин, В.Г. Кеслер, Л.Д. Покровский, О.Ю. Хижун. Структурные и электронные параметры поверхностей кристаллов KA(WO₄)₂ (A = Y, Gd). XII Международная школа-семинар по люминесценции и лазерной физике, 26-31 июля 2010, Хужир, Россия.
13. V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, V.G. Kesler, M.S. Molokeev, K.S. Alexandrov. Structural and electronic parameters of ferroelectric K₃WO₃F₃. The 16th International Conference on Crystal Growth and The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 8-13 August, 2010, Beijing, China, GF3.

стендовые

1. Valeriy G. Kesler, Evgeniy R. Zakirov. XPS in-situ Investigation of GaAs Oxidation in Glow Dischaharge Plasma, Proceedings of XI International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, June 30 - July 4, 2010, Erlagol, Russia. pp. 28-30.
2. Селезнёв В.А., Кеслер В.Г., Максимовский Е.А. Исследование поверхностей InAs(111)A и GaAs (001) после химической обработки в растворах HCl (HF) - изопропиловый спирт методами РФЭС, АСМ и РМА. ХХ Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь». Новосибирск, 24-27 мая 2010 г., тезисы докладов, с. 198.
3. V.V. Atuchin, L.I. Isaenko, V.G. Kesler, A.Yu. Tarasova. Single crystal growth and electronic parameters of RbPb₂Br₅. The 16th International Conference on Crystal Growth and The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 8-13 August, 2010, Beijing, China. PB 217.
4. V.V. Atuchin, O.D. Chimitova, T.A. Gavrilova, V.G. Kesler, B.G. Bazarov. Structural and electronic parameters of RbY(MoO₄)₂ microplates. The 16th International Conference on Crystal Growth and The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 8-13 August, 2010, Beijing, China. PC 113.