ПУБЛИКАЦИИ

2018

Статьи в рецензируемых журналах

1. Vladimir Popov, Mikhail Ilnitsky, Valentin Antonov, Vladimir Vdovin, Ida Tyschenko, Andrey Miakonkikh, Konstantin Rudenko. Ferroelectric properties of HfO2 interlayers in SOI and SOS pseudo-MOSFETs. 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS). IEEE Xplore Digital Library, p. 1-4, 2018. DOI: 10.1109/ULIS.2018.8354731 https://ieeexplore.ieee.org/document/8354731/
2. И.Е. Тысченко, Г.К. Кривякин, В.А. Володин. Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiO_xN_y при отжиге под высоким давлением. ФТП, т. 52, в. 2, с. 280-284, 2018.
3. I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, A.G. Cherkov, V.P. Popov. InSb nanocrystals containing SOI structures: Preparation and properties. 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS). IEEE Xplore Digital Library, p. 1-4, 2018. DOI: 10.1109/ULIS.2018.8354773 https://ieeexplore.ieee.org/document/8354773/
4. И.Е. Тысченко, Э.Д. Жанаев, В.П. Попов. Энергия связи пластин кремния и сапфира при повышенных температурах соединения. ФТП, т. 53, №1, с. 65-69, 2019.
5. Ida Tyschenko, Michel Vergnat, Hervé Rinnert, Vladimir Popov, Vladimir Volodin, Alexander Cherkov, Mathieu Stoffel. Raman shifts and photoluminescence of the InSb nanocrystals ion beam-synthesized in buried SiO2 layers. Journal of Luminescence, Vol. 204, Pp. 656-662, 2018. - Q1 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231318304095
6. В.А. Антонов, И.А. Карташев, С.Н. Подлесный, В.П. Попов, Антонов В.А., Карташов И.А., Подлесный С.Н., Попов В.П., Шишаев А.В., Пальянов Ю.Н. ОДМР спектроскопия NV-центров окраски в искусственных алмазах. Известия РАН, серия физическая, 2018.
7. К.В. Феклистов, А.Г. Черков, В.П. Попов, Л.И. Федина. Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода и структура тонких приповерхностных слоев кремния, созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные пленки Er и SiO2. Физика и техника полупроводников, том 52, выпуск 13, с. 1589-1596, 2018, DOI: 10.21883/FTP.2018.13.46872.8601. https://journals.ioffe.ru/articles/46872
8. Kristina A. Malsagova, Tatyana O. Pleshakova, Rafael A. Galiullin, Ivan D. Shumov, Andrey F. Kozlov, Mikhail A. Ilnitskii, Alexander V. Glukhov, Vladimir A. Konev, Vladimir P. Popov, Alexander V. Latyshev, Alexander I. Archakov and Yuri D. Ivanov. Nanowire aptasensor for the detection of hepatitis C virus core antigen. Vir. Med., 2018
9. Yuri D. Ivanov, Kristina A. Malsagova, Tatyana O. Pleshakova, Rafael A. Galiullin, Andrey F. Kozlov, Ivan D. Shumov, Alexander I. Archakov, Vladimir P. Popov, Alexander V. Latyshev, Konstantin V. Rudenko, Alexander V. Glukhov. Ultra-sensitive detection of 2,4-dinitrophenol using nanowire biosensor. Journal of Nanotechnology 2018, Article ID 9549853, 6 pages, https://doi.org/10.1155/2018/9549853
10. V.P. Popov, V.A. Antonov, V.I. Vdovin, A.V. Miakonkikh, K.V. Rudenko. Ferroelectrical phase in the interface hafnia layer stabilized by biaxial stress in SOS structures. Solid-State Electronics. 2018.
11. В.П. Попов, В.А. Антонов, В.И. Вдовин. Положительный заряд в КНС-гетероструктурах с межслойным оксидом кремния. Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, вып. 10, с.1220-1227. http://journals.ioffe.ru/articles/46465 DOI:10.21883/FTP.2018.10.46465.8844. // V. P. Popov, V. A. Antonov, and V. I. Vdovin. Positive Charge in SOS Heterostructures with Interlayer Silicon Oxide. Semiconductors, Vol.52, No.10, Pp.1341-1348, 2018. https://link.springer.com/article/10.1134%2FS1063782618100160
12. B.H. Bairamov, V.V. Toporov, F.B. Bayramov, J.Holmi, H.Lipsanen, V.P. Popov, I.N. Kuprianov, Yu.N. Pal’anov, D. Braukmann, J. Debus, D.R. Yakovlev, and M. Bayer. Multiband resonant Raman scattering. Сибирский физический журнал. Том 13, № 3, с.73-76, 2018. http://www.phys.nsu.ru/vestnik/catalogue/2018/03/SJP_18T13V3_p73_p77.pdf.
13. Vladimir Popov, Mikhail Ilnitsky, Valentin Antonov, Vladimir Vdovin, Ida Tyschenko, Andrey Miakonkikh, Konstantin Rudenko. Ferroelectric properties of HfO2 interlayers in SOI and SOS pseudo-MOSFETs. In: Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on, IEEE Xplore: 07 May 2018, DOI: https://doi.org/10.1109/ULIS.2018.8354731.
14. K. A. Malsagova, T.O. Pleshakova , R.A. Galiullin, I.D. Shumov, M.A. Ilnitskii, A.V. Glukhov, V.P. Popov, A.I. Archakov, Yu.D. Ivanov. Ultrasensitive detection of HCVcoreAg by means of a nanowire aptasensor conjugated to a microwave generator. Anal. Methods, 2018, 10, 2740-2749, DOI:10.1039/C8AY00495A. http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2018/ay/c8ay00495a#!divAbstract
15. D. Braukmann, V. P. Popov, E. R. Glaser, T. A. Kennedy, M. Bayer, J. Debus. Anisotropies in the linear polarization of vacancy photoluminescence in diamond induced by crystal rotations and strong magnetic fields. Phys. Rev. B 97, 125426, 21 March 2018. Q1 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.125426 arXiv:1612.02716v2 [cond-mat.mes-hall] 13 November 2017.
16. K. A. Malsagova, T.O. Pleshakova, A.F. Kozlov, I, D. Shumov, M.A. Ilnitskii, A,V. Miakonkikh, V,P. Popov, K.V. Rudenko, A.V. Glukhov, I.N. Kupriyanov, N.D. Ivanova, A.E. Rogozhin, A.I. Archakov, and Y.D. Ivanov. Micro-Raman Spectroscopy for Monitoring of Deposition Quality of High-k Stack Protective Layer onto Nanowire FET Chips for Highly Sensitive miRNA Detection. Biosensors V. 8, N. 3, P. 72(10), 2018. https://doi.org/10.3390/bios8030072
17. Ivanov, Yu., Pleshakova, T., Malsagova, K., Kozlov, A., Kaysheva, A., Shumov, I., Galiullin, R., Kurbatov, L., Popov, V., Naumova, O., Fomin, B., Nasimov, D., Aseev, A., Alferov, A., Kushlinsky, N., Lisitsa, A., Archakov, A., 2018a. Detection of marker miRNAs in plasma using SOI-NW biosensor. Sens. Actuat. B., 261, 566–571. DOI: 10.1016/j.snb.2018.01.153. Q1 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925400518301692
18. Тарков М.С. Построение сети Хемминга на основе кроссбара с бинарными мемристорами // Прикладная дискретная математика, 2018, №40, с. 105-113.
19. Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов, И.П. Просвирин, Электронная структура вакансий кислорода в, орторомбической нецентросимметричной фазе Hf_0.5Zr_0.5O₂, Письма в ЖЭТФ, Т. 107, Вып. 1, С. 62-67, DOI: 10.7868/S0370274X18010113, 2018. URL: http://www.jetpletters.ac.ru/ps/2175/article_32603.shtml
20. В.А. Гриценко, Т.В. Перевалов, В.А. Володин, В.Н. Кручинин, А.К. Герасимова, И.П. Просвирин, Строение и электронная структура нестехиометрического обогащенного металлом ZrO_x, Письма в ЖЭТФ, Т. 108, Вып. 4, С. 230–235, 2018.
21. V.A. Voronkovskii, V.S. Aliev, A.K. Gerasimova, D.R. Islamov, Influence of HfO_x composition on hafnium oxide-based memristor electrical characteristics, Materials Research Express, V. 5, No. 1, P. 016402, DOI: 10.1088/2053-1591/aaa099, URL: http://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/aaa099, 2018.
22. T.V. Perevalov, D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, I.P. Prosvirin, Electronic structure of stoichiometric and oxygen-deficient ferroelectric Hf_0.5Zr_0.5O₂, Nanotechnology, V. 29, No. 19, P. 194001, DOI: 10.1088/1361-6528/aaacb1, 2018.
23. Т.В. Перевалов, Д.Р. Исламов, И.Г. Черных, Атомная и электронная структура собственных дефектов в Ta₂O₅: ab initio моделирование, Письма в ЖЭТФ, Т. 107, Вып. 12, С. 788–793, DOI: 10.7868/S0370274X18120056, 2018. URL: http://www.jetpletters.ac.ru/ps/2189/article_32816.shtml
24. Д. Р. Исламов, В. А. Гриценко, В. Н. Кручинин, Е. В. Иванова, М. В. Заморянская, М. С. Лебедев, Эволюция проводимости и катодолюминесценции пленок оксида гафния при изменении концентрации вакансий кислорода, ФТТ, Т. 60, Вып. 10, С. 2006–2013, DOI: 10.21883/ftt.2018.10.46532.114, 2018. URL: https://journals.ioffe.ru/articles/46532
25. Т.В. Перевалов, Моделирование атомной и электронной структуры вакансий и поливакансий кислорода в ZrO₂, ФТТ, Т. 60, Вып. 3, С. 421-425, 2018, DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45537.03D, URL: http://journals.ioffe.ru/articles/45537
26. V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, V.A. Voronkovskii, A.A. Gismatulin, V.N. Kruchinin, V.Sh. Aliev, V.A. Pustovarov, I.P. Prosvirin, Y. Roizin, Charge transport and the nature of traps in oxygen deficient tantalum oxide, ACS Applied Materials & Interfaces, V. 10, Iss. 4, P. 3769–3775, DOI: 10.1021/acsami.7b16753, 2018.
27. V.A. Gritsenko, Yu.N. Novikov, T.V. Perevalov, V.N. Kruchinin, V.Sh. Aliev, A.K. Gerasimova, S.B. Erenburg, S.V. Trubina, K.O. Kvashnina, I.P. Prosvirin, M. Lanza, Nanoscale potential fluctuations in zirconium oxide and the flash memory based on electron and hole localization, Advanced Electronic Materials, V. 4, Iss. 9, P. 1700592, DOI: 10.1002/aelm.201700592, 2018.
28. T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, A.A. Gismatulin, V.A. Voronkovskii, A.K. Gerasimova, V.Sh. Aliev, I.A. Prosvirin, Electronic structure and charge transport in nonstoichiometric tantalum oxide, Nanotechnology, V. 29, N. 26, P. 264001, DOI: 10.1088/1361-6528/aaba4c, 2018.
29. V.A. Gritsenko, V.A. Volodin, V.N. Kruchinin, T.V. Perevalov, A.K. Gerasimova, V.Sh. Aliev, I.P. Prosvirin, Nanoscale potential fluctuations in non-stoichiometrics tantalum oxide, Nanotechnology, V. 29, P. 452202, 2018.
30. В.Н. Кручинин, В.А. Володин, Т.В. Перевалов, А.К. Герасимова, В.Ш. Алиев, В.А. Гриценко, Оптические свойства нестехиометрического оксида тантала TaO_x (x < 5/2) по данным спектроэллипсометрии и комбинационного рассеяния, Оптика и спектроскопия, Т. 124, Вып. 6, С. 777–782, 2018.
31. K.V. Egorov, D.S. Kuzmichev, A.A. Sigarev, D.I. Myakota, S.S. Zarubin, P.S. Chizov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, C.S. Hwang, A.M. Markeev, Hydrogen radical enhanced atomic layer deposition of TaO_x: saturation studies and methods for oxygen deficiency control, Journal of Materials Chemistry C, V. 6, P. 9667–9674, DOI: 10.1039/c8tc00679b, 2018.
32. А.А. Карпушин, В.А. Гриценко, Электронная структура SiO_x переменного состава, Письма в ЖЭТФ, Т. 108, Вып.2, С. 114–118, 2018.
33. В.А. Володин, В.А. Гриценко, A. Chin, Локальные колебания связей кремний-кремний в нитриде кремния, Письма в ЖТФ, Т. 44, Вып. 10, С. 37–45, 2018.
34. В.A. Гриценко, Ю.Н. Новиков, A. Сhin, Ближний порядок, транспорт заряда в SiO_x: эксперимент и численное моделирование, Письма в ЖТФ, Т. 44, Вып. 12, С. 81–88, 2018.
35. С.Б. Эренбург, С.В. Трубина, К.О. Квашнина, В.Н. Кручинин, В.А. Гриценко, А.Г. Черникова, А.М. Маркеев, Ближний порядок в аморфном и кристаллическом сегнетоэлектрическом Hf_0.5Zr_0.5O₂, ЖЭТФ, Т. 153, Вып. 6, С. 982–991, 2018.