События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

ПУБЛИКАЦИИ



2007

Работы, опубликованные в реферируемых журналах

  1. V.V. Bakin, A.A. Pakhnevich, A.G. Zhuravlev, A.N. Shornikov, I.O. Akhundov, O.E. Tereshechenko, V.L. Alperovich, H.E. Scheibler and A.S. Terekhov. Semiconductor surfaces with negative electron affinity. e-J. Surf. Sci. Nanotech. Vol. 5, p.80-88 (2007).
  2. А.А. Пахневич, В.В. Бакин, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов, Эмиссия баллистических фотоэлектронов из p-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством. ФТТ, т.49, в.11, с. 1976-1980 (2007).
  3. E. W. Schmidt, D. Bernhardt, A. Mueller, S. Schippers, S. Fritzsche, J. Hoffmann, A.S. Jaroshevich, C. Krantz, M. Lestinsky, D. A. Orlov, A. Wolf, D. Lukic, D. W. Savin, Electron-ion recombination of Si IV forming Si III: Storage-ring measurement and multiconfiguration Dirac-Fock calculations, Phys. Rev. A 76, 032717 (2007).
  4. M. Lestinsky, E. Lindroth, D.A. Orlov, E.W. Schmidt, S. Schippers, S. Böhm, C. Brandau, F. Sprenger, A.S. Terekhov, A. Müller, and A. Wolf. “Screened radiative corrections from hyperfine-split dielectronic resonances in lithiumlike scandium”, Phys. Rev. Letters, 2008 (accepted for publication).
  5. О.Е. Терещенко, К.В. Торопецкий, В.Л. Альперович, Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs(001) при селективном воздействии йода и цезия, Письма ЖЭТФ 87, в.1 (2008) (принята в печать).
  6. K.V. Toropetsky, O.E. Tereshchenko, D.A. Petukhov, A.S. Terekhov, “New reconstruction-stoichiometry correlation for GaAs(001) surface treated by atomic hydrogen” Appl. Surf. Sci. 2008 (accepted for publication).

Работы, опубликованные в трудах конференций

  1. V.L. Alperovich, A.G. Zhuravlev, I.O. Akhundov, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov, Electronic states induced by cesium on atomically rough and flat GaAs(001) surface, Proceedings 15th Int. Symp. Nanostructure: Physics and Technology, Novosibirsk, 2007, p.166-167.
  2. O.E. Tereshchenko, N.N. Velker, K.V. Toropetsky, V.L. Alperovich, D. Paget, Digital etching of GaAs(001) with a monolayer precision facilitated by selective interaction of iodine and cesium with Ga-rich and As-rich surface reconstructions, Proceedings 15th Int. Symp. Nanostructure: Physics and Technology, Novosibirsk, 2007, p.191-192.
  3. D. A. Orlov, H. Fadil, M. Grieser, C. Krantz, A. S. Jaroshevich, A. S. Terekhov, A. Wolf, Progress Report MPI-K, 2007. “Low-energy electron cooler for the Cryogenic Storage Ring”, p.175.