События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

ПУБЛИКАЦИИ



2008

Работы, опубликованные в реферируемых журналах

  1. Toropetsky K.V., Tereshchenko O.E., Petukhov D.A., Terekhov A.S., New reconstruction-stoichiometric correlation for GaAs(001) surface treated by atomic hydrogen, Applied Surface Science, 2008, v. 254 (24), p. 8041-8045.
  2. Торопецкий К.В., Терещенко О.Е., Терехов А.С., Энергетический порог Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности GaAs(Cs, O), Письма ЖЭТФ, 2008, т. 88 (4), с. 597-600.
  3. Торопецкий К.В., Терещенко О.Е., Альперович В.Л., Обратимые реконструкционные переходы на поверхности GaAs(001), вызванные селективным взаимодействием с цезием и йодом, Письма ЖЭТФ, 2008, т. 87 (1), с.41-44.
  4. D. A. Orlov, V. L. Alperovich, A. S. Terekhov, Magnetically induced spin-dependent photoemission from p-GaAs(Cs,O) into vacuum. Phys. Rev. B, 2008, v. 77, 205325 (6).
  5. А.Г. Журавлев, В.Л. Альперович, Генерация и удаление адатом-индуцированных электронных состояний на поверхности Cs/GaAs(001), Письма в ЖЭТФ, том 88, вып.9, с.702-706, 2008.
  6. M. Lestinsky, E. Lindroth, D.A. Orlov, E.W. Schmidt, S. Schippers, S. Bohm, C. Brandau, F. Sprenger, A.S. Terekhov, A. Muller, and A. Wolf Screened Radiative Corrections from Hyperfine-Split Dielectronic Resonances in Lithiumlike Scandium, Phys. Rev. Lett., 2008, v. 100, 033001.
  7. S. Novotny, H. Rubinstein, H. Buhr, O. Novotný, J. Hoffmann, M.B. Mendes, D.A. Orlov, C. Krantz, M.H. Berg, M. Froese, A.S. Jaroshevich, B. Jordon-Thaden, M. Lange, M. Lestinsky, A. Petrignani, D. Shafir, D. Zajfman, D. Schwalm, and A. Wolf Anisotropy and Molecular Rotation in Resonant Low-Energy Dissociative Recombination, Phys. Rev. Lett., 2008, v. 100, 193201.

Работы, опубликованные в трудах конференций

  1. G. Beskin, V. de-Bur, S. Karpov, V. Plokhotnichenko, A. Terekhov, S. Kosolobov, H. Scheibler, N. Brosch, A. Shearer and E. Molinari. Panoramic detector with high time resolution on base of GaAs photocathode, Proc. of SPIE Vol. 7021, 2008, p.702120.
  2. B.L. Militsyn, I Burrows, R.J. Cash, B.D. Fell, L.B. Jones, J.W. McKenzie, K.J. Middleman, S.N. Kosolobov, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Design of an upgrade to the Alice photocathode electron gun, Proceedings of 11th European Particle Accelerator Conference EPAC08, Genoa, Italy, 23-27 June 2008, pp. 235-237.
  3. V. de-Bur, V. Plokhotnichenko, A. Terekhov, S. Kosolobov, H. Sсheibler, G. Beskin, S. Karpov. Position-Sensitive Detector with GaAs photocathode and high time resolution. AIP Conference Proceedings, Volume 984, 2008, pp. 186-193. Conference: The Universe at Sub-Second Timescales: High Time Resolution Astrophysics, Edinburgh, Scotland, 11-13 September 2007.
  4. A.G. Zhuravlev, V.L. Alperovich, Electronic states induced by antimony and cesium on atomically flat GaAs(001) surface. Proceedings 16th Int. Symp. Nanostructure: Physics and Technology, Vladivostok, 2008, p.173-174.