События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

В понедельник, 23 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3: "Резонансный захват медленных электронов: механизмы и методы исследования". Докладчик: Станислав Анатольевич Пшеничнюк, д.ф.-м.н., директор Института физики молекул и кристаллов РАН, Уфа.

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

ПАТЕНТЫ

  1. Патент №2665397 Способ получения водной суспензии графена для проводящих чернил, приоритет от 06.07.2017, Е.А. Якимчук, И.В. Антонова, Р.А. Соотс регистрация 29.08.2018.

  2. В.Я.Принц, В.А.Селезнев, А.В.Принц, Способ формирования биорезорбируемой клеточной матрицы для регенерации ткани, патент № 2622009 (2017)

  3. И.В.Антонова, Н.А. Небогатикова, Р.А.Соотс, Способ изготовления суспензии для 2D печати диэлектрических слоев на основе фторографена, патент №2620123 приоритет от 26.04.2016, регистрация 23 мая 2017

  4. Голод С.В., Принц В.Я. Способ изготовления киральной структуры Патент RU2 586 454 опубл. 10.06.2016

  5. А.Б. Воробьёв Светодиод и способ его изготовления Патент №2553828, 20.06.2015).

  6. В.Я.Принц, П.М.Ларионов, М.А.Садовой, Е. В. Мамонова, Биорезорбируемая полимерная клеточная матрица. Патент № 2563621, 27.04.2015.

  7. Р.А. Соотс, И.В. Антонова, С.В. Голод, В.А. Селезнев, А.И. Комонов, В.Я.Принц, Способ получения приборных графеновых структур. Патент № 2538040 бюл. № 31 от 10.11.2014. (2015)

  8. Н. А. Небогатикова, И.В.Антонова, В.Я.Принц, Способ изготовления активного слоя для элемента резистивной памяти, заявка на патент №2015101058, приоритет от 12.01.2015.

  9. В.Я. Принц, П.М. Ларионов, М.А. Садовой, Е.В. Мамонова, Биорезорбируемая полимерная клеточная матрица. Заявка на патент № 2013142296 16.09.2013.

  10. Р.А. Соотс, И.В. Антонова, С.В. Голод, В.А. Селезнев, А.И. Комонов, В.Я. Принц. Способ получения приборных графеновых структур. Заявка на патент N 2013120389 дата подачи заявки 30.04.2013.

  11. Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, В.Я. Принц, Способ формирования тонких пленок фторографена, патент, №2012142404, дата подачи заявки 04.10.2012. положительное решение.

  12. Принц В.Я, Селезнев В.А, Корнеев И.А. Способ изготовления трубчатой микро-, наноиглы в интегральном исполнении. Заявка на изобретение № 2009143436 от 25.11.2009 ИФП СО РАН, Российская федерация, патент № 2425387, зарегистр. 27.07.2011.

  13. А.В. Принц, В.Я.Принц. Способ изготовления острия лезвия или иглы. Заявка на изобретение № 2009138998 от 21.10.2009 ИФП СО РАН, Российская федерация, патент № 2423083 от 10.07.2011.

  14. В.М. Анискин, В.А. Селезнев, А.Н. Шиплюк, Способ управления пограничным слоем на поверхности летательного аппарата и устройство для его осуществления. Патент № 2384465 Бюл. №8 опубл. 20.03.2010.

  15. Принц В.Я., Мутилин С.В., Голод С.В. Способ формирования графеновых полевых эмиттеров. Заявка на изобретение № 2009141427 от 09.11.2009, решение о выдаче патента от 07.05.10 г. Патент № 2400858 опубл. 27.09.2010 Бюл. № 27.

  16. А.В. Окотруб, И.П. Асанова, Н.Ф. Юданова, А.В. Гусельникова, Л.Г. Булушева, В.Я. Принц. Способ получения углеродного слоя на непроводящей подложке, Заявка на изобретение № 2009134913 от 17.09.2009, решение о выдаче патента от 10.06.2010 г. Патент № 2403207 опубл. 10.11.2010 Бюл. № 31.

  17. Селезнев В.А., Принц В.Я., Способ изготовления датчика скорости потока газа и жидкости, Патент РФ на изобретение № 2353998 опубл. в БИ № 12 от 27.04.2009г.

  18. Антонова И.В., Соотс Р.А., Гуляев М.Б., Принц В.Я., Способ электрической пассивации поверхности полупроводника, Патент № 2341848 Бюл. 35 от 20.12.2009 приоритет от 07.06.2008.

  19. Принц В.Я., Принц А.В., Копылов А.В., Электростатический микро-нанодвигатель Патент № 2374746 Бюл. 33 от 27.11.2009 г.

  20. Наумова Е.В., Принц В.Я., Структура с киральными электромагнитными свойствами и способ ее изготовления, Патент на изобретение № 2317942 опубл. 27.02.08 в БИ № 6.

  21. Принц В.Я., Голод С.В., Принц А.В. Полая наноигла в интегральном исполнении и способ ее изготовления. Патент РФ № 2341299, 2008 г.

  22. Принц А.В., Принц В.Я., Способ изготовления квантовых структур: квантовых точек, проволок, элементов квантовых приборов, патент № 2278815, опубл. 27.06.2006 в БИ № 18.

  23. Соотс Р.А., Принц В.Я. Селективный травитель слоев AlAs, AlGaAs относительно GaAs Патент на изобретение № 2276427 опубл. 10.05.06 в БИ № 13.

  24. Принц В.Я., Принц А.В., Способ изготовления нановолокон, Патент № 2270164, опубл. 20.02.2006 в БИ №5.

  25. Принц В.Я., Принц А.В., Способ изготовления микро- и наноприборов на локальных подложках, Патент 2267832, опубл. 10.01.2006 в БИ №1.

  26. Настаушев Ю.В., Принц В.Я. Способ создания нанотрубок. Патент Российской Федерации RU 2238239 - Опубл. в Б.И., 2004, № 29.

  27. Принц А.В., Селезнев В.А., Принц В.Я. Микроигла в интегральном исполнении и способ ее изготовления, Патент 2179458 - Опубл. в Б.И., 2002, № 5.

  28. Принц В.Я., Селезнев В.А., Принц А.В. Способ изготовления защитной маски для нанолитографии. Патент 2112300 - Опубл. в Б.И., 1998, №15.

  29. Принц В.Я. Неразрушающий способ контроля качества многослойных полупроводниковых структур на полуизолирующих подложках. Патент 2094908 - Опубл. в Б.И., 1997, №30.

  30. Горохов Е.Б., Носков А.Г., Принц В.Я. Способ изготовления субмикронных и нанометровых элементов приборов. Патент 2094902. - Опубл в БИ., 1997, №30.

  31. Принц В.Я., Панаев И.А. Неразрушающий способ определения подвижности носителей заряда в полупроводниковых структурах на полуизолирующих подложках и устройство для его осуществления. Патент 2097872. - Опубл. в Б.И., 1997, №33.

  32. В.Я. Принц, П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин. Полупроводниковый прибор Патент 1306407 (Россия) - Опубл. в Б.И., №11, 1995.

  33. В.Я. Принц. Матричный фотоприемник Патент 1463083 (Россия) - Опубл. в Б.И., № 14, 1995.

  34. Принц В.Я. Способ отбраковки полупроводниковых структур на полуизолирующих подложках по степени проявления эффекта обратного управления. Патент 2006984. - Опубл. в Б.И., 1994, №2.

  35. А.с. 805873 (СССР). Способ контроля ловушек неосновных носителей заряда в полупроводниках./ В.Я. Принц. - Опубл. в БИ., № 30, 1983.

  36. А.с. 843642 (СССР). Способ контроля глубоких уровней в полупроводниках и устройство для его реализации./ В.Я. Принц, О.М. Орлов. - Опубл. в БИ., 1982, N 12.

  37. А.с. 710007 (СССР). Способ измерения распределения носителей заряда в полупроводниках./ О.М. Орлов, В.Я. Принц, Э.М. Скок. - Опубл. в БИ., 1980, N 2.

  38. А.с. 573782 (СССР). Способ контроля полупроводниковых материалов и устройство для его осуществления. В.Я. Принц, О.М. Орлов, Э.М. Скок. - Опубл. в Б.И., 1977, N 35.