Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе соединений А₂В₆

ПАТЕНТЫ

1. Варавин В.В., Предеин А.В., Ремесник В.Г., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Сидоров Ю.Г., Способ изготовления фоточувствительной структуры. Заявка № 2008135861, 2008.

2. Н.А. Валишева, Н.Б. Кузьмин, А.Р. Новоселов, И.Г. Косулина. «Способ формирования контактного столба многоконтактного гибридного соединения».Заявка № 2009119989/28(027561) от 26.05.2009г.

3. Новоселов А.Р., Кузьмин Н.Б., Валишева Н.А., Косулина И.Г. «Способ формирования контактного столба многоконтактного гибридного соединения». Патент на изобретение №2392690, приоритет от 26.05.2009

4. Патент на изобретение: "Фоточувствительная к инфракрасному излучению структура и способ ее изготовления", № 2396635, Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Якушев М.В., Васильев В.В., владелец: Томский государственный университет, ИФП СО РАН, 10.08.2010 (приоритет 11.08.2009).

5. Предеин А.В., Васильев В.В., подана заявка на изобретение. Способ измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда в полупроводниках и тестовая структура для его осуществления, номер заявки № 2012 124 443 , дата поступления (приоритет) 13.06.2012г.

6. А.Р. Новоселов. Заявка № 2012140639/28(065595) на изобретение "Способ формирования граней чипа для мозаичных фотоприемных модулей", автор Новоселов А. Р., дата подачи - 21.09.2012г.