События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет дополнительный приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

Во вторник 26.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»

В понедельник, 18.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик:к.ф.-м.н., доцент Сколковского института науки и технологий, руководитель Лаборатории квантовых алгоритмов машинного обучения и оптимизации Палюлин Владимир Владимирович.
«Модели двух состояний для описания диффузии экситонов в низкоразмерных полупроводниках»

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Региональный конкурс предоставление грантов в форме субсидий, проводимый Российским научным фондом и Новосибирской областью «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами»
Заявки принимаются до: 02.10.2025
Подробнее о конкурсе

Другие конкурсы...


Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе соединений А2В6

ПАТЕНТЫ

  1. Варавин В.В., Предеин А.В., Ремесник В.Г., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Сидоров Ю.Г., Способ изготовления фоточувствительной структуры. Заявка № 2008135861, 2008.

  2. Н.А. Валишева, Н.Б. Кузьмин, А.Р. Новоселов, И.Г. Косулина. «Способ формирования контактного столба многоконтактного гибридного соединения».Заявка № 2009119989/28(027561) от 26.05.2009г.

  3. Новоселов А.Р., Кузьмин Н.Б., Валишева Н.А., Косулина И.Г. «Способ формирования контактного столба многоконтактного гибридного соединения». Патент на изобретение №2392690, приоритет от 26.05.2009

  4. Патент на изобретение: "Фоточувствительная к инфракрасному излучению структура и способ ее изготовления", № 2396635, Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Якушев М.В., Васильев В.В., владелец: Томский государственный университет, ИФП СО РАН, 10.08.2010 (приоритет 11.08.2009).

  5. Предеин А.В., Васильев В.В., подана заявка на изобретение. Способ измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда в полупроводниках и тестовая структура для его осуществления, номер заявки № 2012 124 443 , дата поступления (приоритет) 13.06.2012г.

  6. А.Р. Новоселов. Заявка № 2012140639/28(065595) на изобретение "Способ формирования граней чипа для мозаичных фотоприемных модулей", автор Новоселов А. Р., дата подачи - 21.09.2012г.