Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А₃В₅

1. Проект НАТО - СНГ «Sensors for toxic species based on zinc-blende quantum-dot systems» (NATO CLG 983878) в рамках программы: NATO SCIENCE PROGRAMME
   Координатор проекта со стороны СНГ: Шамирзаев Т.С.

2. Грант РФФИ 10-02-00240 Шамирзаев Т.С. «Спиновая релаксация экситонов в непрямозонных квантовых точках первого рода»

3. Грант РФФИ 10-02-00513 Торопов А.И. «Новый подход в анализе процессов эпитаксии на поверхности (001) полупроводников А3В5»

4. Грант РФФИ 10-08-00851 Галицын Ю.Г. «Термодинамика образования массива квантовых точек в системе арсенид индия на поверхности (001) арсенида галлия»

5. Грант РФФИ 09-02-010445 Терещенко О.Е. «Адсорбат-индуцированное изменение стехиометрии и структуры поверхности полупроводников III-V»

6. Грант РФФИ -CNRS, Совместный проект с Национальным центром научных исследований Франции: инициативные PICS
   Номер проекта: 10-02-91067-НЦНИ-а Терещенко О.Е. «Оптическая регистрация спина электрона в спин-фильтрах на основе структур ферромагнетик/полупроводник» учреждение-партнер: Эколь Политекник (Франция, Палезо)

7. Грант РФФИ 09-02-00974 Журавлев К.С. «Многочастичные экситонные комплексы в вюртцитных GaN квантовых точках»

8. Программа фундаментальных исследований №27 Президиума РАН
   Проект №27_33: "Разработка полупроводниковых наноструктур с низкой плотностью квантовых точек для приборов нанофотоники" Гайслер В.А.

9. Программа фундаментальных исследований №27 Президиума РАН
   Проект №27_32 "Релаксация спина экситонов в новом классе квантовых точек: InAs/AlGaAs квантовые точки первого рода с непрямой структурой зон в пространстве квазиимпульсов", руководитель - Журавлев К.С.

10. Cовместный научный проект между российской академией наук и академией наук Венгрии “Структурные и электронные свойства низкоразмерных AlGaN/GaN структур различной полярности” Журавлев К.С.

11. Cовместный научный проект между российской академией наук и академией наук чешской республики “Исследование оптических свойств новых полупроводниковых структур с самоорганизованными квантовыми точками InAs в матрице AlAs и квантовыми точками GaN в матрице AlN” Журавлев К.С.

12. Совместный российско-белорусский исследовательский проект “Разработка и исследование наноструктур на основе нитрида галлия для телекоммуникаций” Журавлев К.С.

13. НИР № 33/216-13/770-13 шифр «Барьер» «Исследования МЛЭ технологии изготовления арсенид-галлиевых наногетероструктур с локализующими потенциальными барьерами для мощных СВЧ транзисторов с удельной мощностью не менее 1,5 Вт/мм и КПД не менее 50%». К.С. Журавлев

14. Государственный контракт № 11.519.11.6037 с Минобрнауки на выполнение научно-исследовательской работы по теме: «Исследование люминесцентных и генерационных свойств синтезированных AlGaN/AlN структур с квантовыми ямами и точками при возбуждении электронными пучками». К.С.Журавлев. Совместно с лабораторией №36

15. Государственный контракт № 13411.14000991.1.063 от «18» апреля 2013 г. с Минпромторг «Разработка модулей фотоприемных устройств, работающих в диапазоне спектра 8..10 мкм, для унифицированной платформы бронетанковой техники», шифр «Фотик-14». Совместно с лабораториями №№15, 13,14

16. Российско-украинский интеграционный проект СО РАН №24.14 «Разработка и выращивание наногетероэпитаксиальных структур на основе CdHgTe квантовых ям, чувствительных в терагерцовом диапазоне, и исследование их фотоэлектрических свойств». Совместно с лабораторией №15

17. Интеграционный проект СО РАН «Синтез AlGaN/AlN структур с квантовыми ямами и точками, исследование их люминесцентных и генерационных свойств при возбуждении электронными пучками». Совместно с лабораториями №16 и 36

18. Проект РФФИ «Синтез и исследование AlGaN/AlN структур с квантовыми точками, исследование их люминесцентных и генерационных свойств при возбуждении низковольтными интенсивными электронными пучками и разработка на их основе полупроводниковых источников излучения УФ и сине-зеленого диапазона спектра». Совместно с лабораториями №16 и 36

19. Проект №24_13. Разработка полупроводниковых наноструктур с селективно позиционированными квантовыми точками для приборов нанофотоники, Руководитель: Гайслер В.А.

20. Грант РФФИ 12-02-00226-а «Управление уровнем Ферми в объёме и на поверхности топологических изоляторов» 2012-2014гг. Руководитель: О.Е. Терещенко

21. Грант РФФИ № 13-02-92105 ЯФ (Россия-Япония) "Исследование электронной структуры новых топологических материалов с разрешением по спину", учреждение-партнер: Синхротронный центр (Хиросима, Япония) 2013-2014 гг. Руководитель: О.Е.Терещенко

22. Грант РФФИ 13-02-00073 «Квантовые точки первого рода с непрямой в пространстве квазиимпульсов структурой зоны проводимости» Руководитель: Шамирзаев Т.С.

23. Грант РФФИ 13-02-00959 «Наноструктуры на основе сурьмы, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для плазмонных и фотонных приложений». Руководитель: Торопов А.И.

24. Грант РФФИ 13-02-00985 «Атомная структура двумерного кристаллического слоя AlN на поверхностях (0001) Al₂O₃ и (111)Si и процессы его формирования». Руководитель: Мансуров В.Г.

25. Грант РФФИ 12-07-31133. МЛЭ совместимый метод создания плазмонных нано-антенн для квантовых точек с вертикальным упорядочением на основе нанокапельной эпитаксии. Руководитель: Лямкина А.А.

26. Грант Минобрнауки ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 годы" по теме «Разработка метода создания плазмонных наноантенн для квантовых излучателей с прецизионным контролем взаимодействия», соглашение 14.132.21.1712, Руководитель: Лямкина А.А.

27. Грант РФФИ № 13-02-90740 «Структура волновых функций носителей заряда в самоорганизованных квантовых точках, сформированных в гетеросистемах InAs/AlAs и GaAs/GaP», Руководитель: Абрамкин Д.С.

28. Соглашение № 14.613.21.0039 о предоставлении субсидии от 11.11.2015 г.