Новости

12.05.25
Новости
Поздравляем победителей конкурса научных работ ИФП СО РАН-2025!


06.05.25
Новости
C днем победы!


06.05.25
Новости
Физика твердого тела в студенческих докладах: особенности электронного транспорта, оптические методы исследования наноструктур, новые методы синтеза, фазовые переходы и резистивные переключения


События

26.02.25
Ученый совет
Заседание Ученого совета
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
05.02.25
Ученый совет
Заседание Ученого совета
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
20.12.24
Диссовет
Защиты диссертаций

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

15.11.24
Ученый совет
Заседание Ученого совета
В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
11.11.24
Новости
Конкурс стипендий ИФП СО РАН

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

24.09.24
Ученый совет
Заседание Ученого совета
В понедельник, 30 сентября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

13.05.25
Семинары
Институтский семинар

Во вторник, 20.05.2025 в 10-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Щеглов Дмитрий Владимирович
«АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОТЕХНОЛОГИЯХ: МЕТРОЛОГИЯ, ДИАГНОСТИКА И ЛИТОГРАФИЯ»

12.05.25
Семинары
Лабораторный семинар

Во вторник, 13.05.2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится открытый лабораторный семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
"Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при сублимации и эпитаксиальном росте"

07.04.25
Семинары
Институтский семинар

В четверг, 10.04.2025 в 15-00
состоится Институтский семинар (онлайн!)
Докладчик: Кубатаев Заур Юсупович
Структурно-динамические свойства и спектры комбинационного рассеяния света композиционных ионных систем на основе перхлоратов щелочных металлов

04.04.25
Семинары
Институтский семинар

В среду, 9.04.2025 в 10-00
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Емельянов Евгений Александрович
«Молекулярно-лучевая эпитаксия твёрдых растворов GaPxAs(1-x)(001) и InAsxSb(1-x)(001): формирование состава в подрешётке пятой группы»

Важное




Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года

КОНКУРСЫ И ГРАНТЫ

Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых»
Заявки принимаются до 22.05.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда

Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований международными научными коллективами» (совместно с Белорусским республиканским фондом фундаментальных исследований - БРФФИ)
Заявки принимаются до 26.05.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда

Другие конкурсы...
Опрос Минобрнауки России

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

ИЗБРАННЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

  1. A.А.Spirina, N.L.Shwartz, Monte Carlo simulation of planar GaAs nanowire growth, Journal of Crystal Growth, Vol. 632, p. 127631, 2024. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127631

  2. А. Г. Настовьяк, Н. Л. Шварц. Модификация формы вертикальных нанопроволок в процессе отжига, 2024, Автометрия, Vol. 60, No. 2, p. 56-65. DOI: 10.15372/AUT20240207

  3. G. Tsamo, A.G. Nastovjak, N.L. Shwartz, P.E. Hoggan, C. Robert-Goumet, A. Pimpinelli, M. Petit, A. Ranguis, E. Gardes, M. Sall, L. Bideux, G. Monier. Growth Mechanisms of GaN/GaAs Nanostructures by Droplet Epitaxy Explained by Complementary Experiments and Simulations. The Journal of Physical Chemistry C, 2024, Vol. 128, No. 12 p. 5168-5178. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c07945

  4. S.V. Mantsurova, N.L. Shwartz, Effect of silicon surface orientation on the Au droplet motion, Surfaces and Interfaces, Volume 41, 2023, 103193, ISSN 2468-0230, https://doi.org/10.1016/j.surfin.2023.103193. (WoS, Scopus)

  5. A.G. Nastovjak, D.V. Shterental, N.L. Shwartz. Simulation of GaAs nanowire annealing. Computational Materials Science 228 (2023) 112310. https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2023.112310. (WoS, Scopus)

  6. A.G. Nastovjak, D.V. Shterental, N.L. Shwartz, Monte Carlo Simulation of Alternate Pulsed Epitaxial Growth of GaAs Nanowires, 2022, physica status solidi (b) , No. n/a, p. 2100641.

  7. A.A. Spirina, N.L. Shwartz, Time evolution of GaAs(111) surface morphology and desorption rate during Langmuir evaporation: Monte Carlo simulation, Materials Science in Semiconductor Processing, 2021, V.124, P. 106025.

  8. A.A. Spirina, V.L. Alperovich, N.L. Shwartz, Langmuir evaporation of GaAs(111)A and GaAs(111)B: Monte Carlo simulation, Applied Surface Science 540 (2021) 148281 (Scopus; Web of Science).

  9. A.G. Nastovjak, N.L. Shwartz, E.A. Emelyanov, M.O. Petrushkov, A.V. Vasev, M.A. Putyato, V.V. Preobrazhenskii. Reasons of crystallite formation during the self-catalyzed GaAs nanowire growth. Semiconductors, 2020, Vol. 54, No. 14, pp. 1850–1853 DOI: 10.1134/S1063782620140213 (ВАК, Scopus; Web of Science).

  10. A. G. Nastovjak and N. L. Shwartz Examination of the crystallization process at the liquid-crystal interface during nanowire growth. Nanotechnology, 31 (2020) 354005 (Scopus; Web of Science).

  11. Емельянов Е.А., Настовьяк А.Г., Петрушков М.О., Есин М.Ю., Гаврилова Т.А., Путято М.А., Шварц Н.Л., Швец В.А., Васев А.В., Семягин Б. Р., Преображенский В. В.  Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)B и (100). Письма в ЖТФ, 2020, т. 46, №4, стр. 11-14 (ВАК, РИНЦ, WoS, Scopus).

  12. А. Г. Настовьяк, А. Г. Усенкова, Н. Л. Шварц, И. Г. Неизвестный. Роль реадсорбции в формировании вертикальных нанопроволок AIIIBV при самокаталитическом росте. Микроэлектроника, 2020, T. 49, № 3, стр. 179-185 (ВАК, РИНЦ, Scopus)

  13. Spirina A. A., Shwartz N. L. Influence of gallium and arsenic deposition rates on the GaAs planar nanowire morphology. Journal of Physics: Conference Series, 1482, p 12007, 2020.

  14. Спирина А. А., Шварц Н. Л. Влияние температуры на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование). Физика и техника полупроводников, т. 54, №2, с. 160-164, 2020. DOI: 10.21883/FTP.2020.02.48911.9270

  15. A. G. Nastovjak, A. G. Usenkova, N. L. Shwartz, and I. G. Neizvestny. Examination of self-catalyzed III–V Nanowire growth by Monte Carlo simulation. Semiconductors, 2019, v. 53, No. 16, pp. 62-65.

  16. Spirina A. A., Neizvestny I. G., Shwartz N. L. Initial stages of planar GaAs nanowire growth – Monte Carlo simulation. Semiconductors, v. 53, №16, p. 81-84, 2019. Doi 10.1134/S1063782619120297

  17. A. Spirina, N. Shwartz, Metal droplet formation and motion during the III-V semiconductor evaporation, Materials Science in Semiconductor Processing, 100, 319-325 (2019).

  18. А.А. Spirina, A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Monte Carlo simulation of Ga droplet movement during the GaAs Langmuir evaporation. Semiconductors (ФТП) 2018, 52, № 16, 2133-2137.

  19. Spirina, A. A.; Nastovjak, A. G. & Shwartz, N. L. Influence of GaAs substrate properties on the congruent evaporation temperature. Journal of Physics: Conference Series, 2018, 993, 012011.

  20. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev. Thermal Smoothing and Roughening of GaAs Surfaces: Experiment and Monte Carlo Simulation, Semiconductors (FTP), 2018, v. 52, p. 618-621.

  21. A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz. Concentric GaAs nanorings growth modelling. ФТП, 2018, 52, в.3, 520. Semiconductors, 2018, 52, 639-644.

  22. N.L. Shwartz, M.A. Vasilenko, A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny. Concentric GaAs nanorings formation by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation. Computational Materials Science 141C (2018) pp. 91-100.

  23. Suprunets A.G., Vasilenko M.A., Shwartz N.L. Self-catalyzed GaAs and InAs nanowires growth (Monte Carlo simulation), Journal of Physics: Conference Series. 2016. V. 690. p. 012011.

  24. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Anisotropy in Ostwald ripening and step-terraced surface formation on GaAs(001): experiment and Monte Carlo simulation, Appl. Surf. Sci., 2015, v. 359, p. 372-379.

  25. M.A. Vasilenko, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Formation of GaAs nanostructures by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation. Comput. Mater. Sci. 102 (2015) 286-292.

  26. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov, A.V. Latyshev. Monte Carlo simulation of GaAs(0 0 1) surface smoothing in equilibrium conditions. Applied Surface Science, 333 (2015) 141–146.

  27. М.В. Князева А.Г. Настовьяк, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц. Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост. ФТП, 2015, 49, 63-70.

  28. Карпов А.Н., Зверев А.В., Настовьяк А.Г., Усенков С.В., Шварц Н.Л. Решеточная модель Монте-Карло для изучения процессов формирования наноструктур. Вычислительные методы и программирование, 2014, т. 15, вып. 3, стр. 388-399.

  29. E.A. Mikhant’ev, I.G. Neizvestny, S.V. Usenkov, N.L. Shwartz. Monte Carlo Simulation of the Effect of Silicon Monoxide on Silicon-Nanocluster Formation. Semiconductors, 2014, V. 48, No. 7, pp. 891-898.

  30. E.A. Mikhantiev, I.G. Neizvestny, S.V. Usenkov, N.L. Shwartz. Silicon monoxide role in silicon nanocluster formation during Si-rich oxide layer annealing – Monte Carlo simulation. Computational Materials Science, 90, 99 – 105, 2014.

  31. Е.А. Михантьев, И.Г. Неизвестный, С.В. Усенков, Н.Л. Шварц. Влияние монооксида кремния на процесс формирования кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло) ФТП, 2014, том 48, вып. 7, стр. 917-925.

  32. A.G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, and N. L. Shwartz. Peculiarities of axial and radial Ge–Si heterojunction formation in nanowires: Monte Carlo simulation. Pure Appl. Chem., v. 84, n. 12, p. 2619-2628 (2012).

  33. А.Г. Настовьяк, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц. Моделирование роста нитевидных нанокристаллов кремния с гетеропереходами Ge-Si. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2011, № 9, С. 1–9.

  34. Е.А. Михантьев, И.Г. Неизвестный, С.В. Усенков, Н.Л. Шварц. Изучение процесса формирования нанокластеров кремния при отжиге SiOx слоёв с помощью моделирования. Автометрия, 2011,Т.47, №5, С.88-97.

  35. A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Effect of growth conditions and catalyst material on nanowhisker morphology: Monte Carlo simulation. Solid State Phenomena, 2010, Vols. 156-158, p. 235-240.

  36. A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz. Possibilities of Monte Carlo Simulation for Examination of Nanowhisker Growth. Pure Appl. Chem., 2010, Vol. 82, No. 11, pp. 2017-2025.

[Центр коллективного пользования][Контакты][Служба webmail][Библиотека] [Закупки]