ПУБЛИКАЦИИ

2007

- опубликованные и принятые к печати работы в рецензируемых журналах

1. Yu.B.Bolkhovityanov, A.S.Deryabin, A.K.Gutakovskii, L.V.Sokolov Sb as surfactant at plastic relaxation of GeSi/Si(001) films grown by molecular-beam epitaxy: Reduction of surface roughness value Journal of Crystal Growth, 2007, v.297, p.57-60.
2. N.G.Galkin, D.L.Goroshko, V.O.Polyarnyi, E.A.Chusovitin, W.J.Park, Y.S.Park, Y.Khang, A.K.Gutakovsky, A.V.Latyshev Silicon layers atop iron silicide nanoislands on Si(100) substrate: Island formation, silicon growth, morphology and structure Thin Solid Films, 2007, v.515, Issues 20-, p.7805-7812.
3. N.G.Galkin, D.L.Goroshko, V.O.Polyarnyi, E.A.Chusovitin, V.V.Korobtsov, V.V.Balashev, Y.Khang, L.Dozsa, A.K.Gutakovsky, A.V.Latyshev, T.S.Shamirzaev, K.S.Zhuravlev Investigation of multilayer silicon structures with buried iron silicide nanocrystallites: growth, structure and properties Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2007, v.2, N.6, p.27-29.
4. S.S.Kosolobov, Se Ahn Song, E.E.Rodyakina, A.V.Latyshev Initial stages of gold adsorption on silicon stepped surface at elevated temperatures Физика и техника полупроводников, 2007, v.41, №4, p.462-466.
5. A.I.Nikiforov, V.V.Ulyanov, R.A.Shaiduk, S.A.Teys, F.K.Gutakovsky and O.P.Pchelyakov Variation of in-plane lattice constant of Si/Ge/Si heterostructures with Ge quantum dots International Journal of Nanoscience, 2007, v.6, №2, p.1-4.
6. V.P.Sachanyuk, O.V.Parasyuk, A.O.Fedorchuk, V.V.Atuchin, N.V.Pervukhina,A.E.Plotnikov The system Ag2Se-Ho2Se3 in the 0-50 mol.% Ho2Se3 range and the crystal structure of two polymorphic forms of AgHoSe2 Materials Research Bulletin, 2007, v.42, №6, p.1091-1098.
7. S.A.Song, L.I.Fedina, H.Baik, Y.-J.Kim,Y.-M.Kim, A.K.Gutakovskii, A.V.Latyshev New compositionally-ordered GeSi nanodots fabricated with 1250 keV electrons Advanced Materials Research, 2007, v.26-28, p.1195-1198.
8. N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii, V.A.Armbrister, V.G.Kesler, P.L.Novikov, A.K.Gutakovskii, V.V.Kirienko, and J.V.Smagina, R.Groetzschel Pulsed ion-beam induced nucleation and growth of Ge nanocrystals on SiO₂ Applied Physics Letters, 2007, v.90, p.133120-1-133120-3.
9. В.Ш.Алиев, В.Н.Вотенцев, А.К.Гутаковский, С.М.Марошина, Д.В.Щеглов Исследование морфологических превращений пленок окислов ванадия при низкотемпературном восстановлении в водородной плазме электронного циклотронного резонанса Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2007, №8, стр.1-9.
10. М.В.Буданцев, А.Г.Погосов, А.Е.Плотников, А.К.Бакаров, А.И.Торопов, Ж.К.Портал Гигантский гистерезис магнетосопротивления в режиме квантового эффекта Холла Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, т.86, вып.4, стр.294-298.
11. Н.Г.Галкин, Д.Л.Горошко, В.О.Полярный, Е.А.Чусовитин, А.К.Гутаковский, А.В.Латышев, Y.Khang Формирование, кристаллическая структура и свойства кремния со встроенными нанокристаллитами дисилицида железа на подложках Si (100) Физика и техника полупроводников, 2007, т.41, вып.9, стр.1085-1092
12. А.К.Гутаковский, А.Л.Чувилин, Se Ahn Song Применение высокоразрешающей электронной микроскопии для визуализации и количественного анализа полей деформации в гетеросистемах Известия РАН. Серия физическая., 2007, т.71, №10, стр.1464-1470
13. Д.А.Козлов, З.Д.Квон, А.Е.Плотников, Д.В.Щеглов, А.В.Латышев Кондактанс короткой проволоки с резкими границами Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, т.86, стр.752-758.
14. С.С.Косолобов, А.В.Латышев Влияние вакансий на распределение атомных ступеней на поверхности кремния (111) Вестник НГУ. Серия: Физика, 2007, т.2, вып.2, стр.40-44.
15. Е.М.Труханов, А.В.Колесников, А.С.Ильин, А.Ю.Красотин, А.П.Василенко, А.С.Дерябин, М.М.Качанова, А.К.Гутаковский Роль винтовой составляющей при формировании дислокационной структуры в гетеросистемах, приготовленных на основе Ge и Si Поверхность, 2007, №5, стр.28-36.

- приглашенные доклады:

1. A.I.Nikiforov, V.V.Ulyanov, S.A.Teys, A.K.Gutakovsky, O.P.Pchelyakov Array properties of the vertical ordering of Ge nanoclusters on Si(100) surface 15th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, 2007, June 25-29.
2. A.I.Nikiforov, V.V.Ulyanov, S.A.Teys, A.K.Gutakovsky, O.P.Pchelyakov Electronic properties of Ge islands embedded in multilayer and superlattice structures International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, France, Marseille, 2007, May 20-25.
3. А.Л.Асеев, А.В.Латышев Квантовые наноструктуры: физика и технология Доклад на открытии XLV Международной студенческой конференции, Новосибирск, 2007, 10 апреля.
4. А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, О.П.Пчеляков, С.А.Тийс, А.К.Гутаковский Влияние упругих напряжений на образование нанокластеров Ge на поверхности Si(100) VIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург, 2007, 30 сентября - 5 октября.
5. А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, О.П.Пчеляков, С.А.Тийс, А.К.Гутаковский Рост вертикально-упорядоченных наностровков Ge в матрице Si методом МЛЭ IV Российская конференция "Кремний 2007", Москва, 2007, 3-6 июля.
6. 6. В.А.Ткаченко, З.Д.Квон, А.А.Быков, А.И.Торопов, А.В.Латышев,О.А.Ткаченко, Ж.К.Портал, В.А.Гайслер, А.Л.Асеев Квантовые, одноэлектронные и однофотонные наноустройства: эксперименты и моделирование III Ukrainian scientific confererence on physics of semiconductors, Ukraine, Odessa, 2007, June 17-22.