Эквидистантные атомные ступени на поверхности Si(111): (а) топографическое изображение, (b) фазовый контраст, (c) профиль поверхности вдоль линии перпендикулярной ступеням, (d) гистограмма распределения точек по высоте (расстояние между пиками соответствует высоте ступеней 0,31 нм).

Эшелонированная поверхность Si(111): (а) эшелоны и отдельные ступени между эшелонами (фазовый контраст), (б) атомно-гладкие террасы, разделённые ступенями моноатомной высоты 0,31 нм (топографическое изображение области, обозначенной штриховой линией на рис. (а)), (в) гистограмма распределения точек по высоте от изображения на рис.(б).

Спиралевидная атомная ступень на поверхности кремния (111), сформировавшаяся при отжиге в результате выхода винтовой дислокации на поверхность, с островками моноатомной глубины, образовавшимися в результате травления кислородом.

Островки из неупорядоченных атомов кремния (светлый контраст на рис.(б)) высотой 0,08нм (в), формирующиеся на поверхности Si(111) между доменами сверхструктуры (7х7) (тёмный контраст на рис.(б)) при быстром охлаждении (порядка 400°С/с) от высоких температур (более 900°С). (D.A. Nasimov, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, S.S. Kosolobov, L.I. Fedina, S.A. Tyis, and A.V. Latyshev “AFM and STM studies of quenched Si(111) surface” // Physics of Low Dimensional Structures, 3/4 (2003) p. 157-166.)

Междоменные границы сверхструктуры (7×7) на ступенчатой поверхности кремния (111) декорированные островками кремния при осаждении 0,2 МС атомов кремния при 550°С.

Слой титана толщиной порядка 5 нм, напылённый на ступенчатую поверхность кремния с высокой точностью реплицирует рельеф ступенчатой подложки.

ДНК (высотой несколько нм) на атомно-гладкой поверхности кремния.

Локальное зондовое окисление поверхности металлов и полупроводников.

Механическое «царапание» поверхности зондом микроскопа.