Сверхвысоковакуумный отражательный электронный микроскоп
СВВ ОЭМ позволяет проводить in situ эксперименты при высоких температурах, имеет высокую чувствительность к элементам структуры поверхности и обеспечивает пространственное разрешение, достаточное для визуализации индивидуальных моноатомных ступеней (высотой 0.31 нм на Si(111) и 0.14 нм на Si(001)), двумерных островков и сверхструктурных доменов при высокой температуре (например, 1300 °С). Оборудование для СВВ ОЭМ не выпускается и, согласно литературным обзорам, метод СВВ ОЭМ в наиболее полном объёме реализован в Токийском Институте Технологий (Япония) и в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Система СВВ ОЭМ включает устройство дифференциальной криогенной откачки, обеспечивающее сверхвысокий вакуум в районе образца, и позволяет нагрев и охлаждение образцов от температуры жидкого азота до температуры плавления; имеется возможность проводить осаждение на исследуемую поверхность атомов различных элементов из молекулярных пучков.
 
СВВ ОЭМ на базе ПЭМ JEM-7A (JEOL, Япония)
|
|
Результаты и изображения, полученные методом ОЭМ (из-за малого угла падения электронов на поверхность изображения сжаты по одной из осей в 30-50 раз):
 |
 |
 |
Формирование контраста на ОЭМ изображении |
||
 |
 |
 |
Моноатомные островки на поверхности Si(111) |
||
 |
 |
 |
Спиралевидная ступень, формирующаяся в месте выхода винтовой дислокации на поверхность |
Эффект торможения атомных ступеней на частицах SiC |
![[Центр коллективного пользования]](/img/logo-ckp.gif){kind=logo}
![[Контакты]](/img/contacts.gif)
![[Служба webmail]](/img/webmail_new.gif)
![[Библиотека]](/img/lib_new.jpg)
![[Закупки]](/img/gos.gif)