Новости

21.10.25
Новости
Молодой ученый ИФП СО РАН стал победителем конкурса на присуждение премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН


Поздравляем Алексея Петрова!
16.10.25
Новости
«Космическая» установка для роста полупроводников готовится к выходу за пределы МКС


«Роскосмос» проведет сегодня открытую онлайн-трансляцию вывода установки
10.10.25
Новости
В Новосибирске создали лабораторный прототип сенсора для диагностики болезней по выдоху


Источник: Вести-Новосибирск, Россия-1

События

15.10.25
Ученый совет
Заседание Ученого совета
В понедельник, 20 октября 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
29.05.25
Ученый совет
Заседание Ученого совета ИФП СО РАН
В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
26.02.25
Ученый совет
Заседание Ученого совета
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
05.02.25
Ученый совет
Заседание Ученого совета
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
20.12.24
Диссовет
Защиты диссертаций

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

15.11.24
Ученый совет
Заседание Ученого совета
В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

08.10.25
Семинары
Лабораторный семинар

В четверг, 09.10.2025 в 10-30
в конференц-зале ЛТК состоится
Семинар лаборатории №1: "Флуктуационный кондктанс двумерного полуметалла". Докладчик: З.Д. Квон

01.09.25
Аспирантура
Прием в аспирантуру
ИФП СО РАН объявляет дополнительный приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.
25.08.25
Семинары
Институтский семинар

Во вторник 26.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»

15.08.25
Семинары
Институтский семинар

В понедельник, 18.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик:к.ф.-м.н., доцент Сколковского института науки и технологий, руководитель Лаборатории квантовых алгоритмов машинного обучения и оптимизации Палюлин Владимир Владимирович.
«Модели двух состояний для описания диффузии экситонов в низкоразмерных полупроводниках»

20.06.25
Семинары
Институтский семинар

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

Важное




КОНКУРСЫ И ГРАНТЫ

Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами»
Заявки принимаются до 13.11.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда

Другие конкурсы...
Опрос Минобрнауки России

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

Сверхвысоковакуумный отражательный электронный микроскоп

СВВ ОЭМ позволяет проводить in situ эксперименты при высоких температурах, имеет высокую чувствительность к элементам структуры поверхности и обеспечивает пространственное разрешение, достаточное для визуализации индивидуальных моноатомных ступеней (высотой 0.31 нм на Si(111) и 0.14 нм на Si(001)), двумерных островков и сверхструктурных доменов при высокой температуре (например, 1300 °С). Оборудование для СВВ ОЭМ не выпускается и, согласно литературным обзорам, метод СВВ ОЭМ в наиболее полном объёме реализован в Токийском Институте Технологий (Япония) и в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Система СВВ ОЭМ включает устройство дифференциальной криогенной откачки, обеспечивающее сверхвысокий вакуум в районе образца, и позволяет нагрев и охлаждение образцов от температуры жидкого азота до температуры плавления; имеется возможность проводить осаждение на исследуемую поверхность атомов различных элементов из молекулярных пучков.

 

СВВ ОЭМ на базе ПЭМ JEM-7A (JEOL, Япония)

  • СВВ условия вокруг образца (Рост<10-9 Торр)
  • Резистивный нагрев (Si(111) до 1400 °C)
  • Ускоряющее напряжение до 150 кВ
  • Режим дифракции
  • Осаждение различных элементов из молекулярных пучков
  • Проведение in situ экспериментов при высоких температурах

Специалисты:с.н.с. Косолобов С.С., ТК к. 106, т. 330-90-82
аспирант Ситников С.В., ТК к. 106
аспирант Рогило Д.И., ТК к. 106
студент Петров А.С., ТК к. 106

Результаты и изображения, полученные методом ОЭМ (из-за малого угла падения электронов на поверхность изображения сжаты по одной из осей в 30-50 раз):

Формирование контраста на ОЭМ изображении

Моноатомные островки на поверхности Si(111)

Спиралевидная ступень, формирующаяся в месте выхода винтовой дислокации на поверхность

Эффект торможения атомных ступеней на частицах SiC
[Центр коллективного пользования][Контакты][Служба webmail][Библиотека] [Закупки]