Уткин Дмитрий Евгеньевич

инженер

тел. 330-90-82, вн. 1294

106,108 ТК

email:

Научная деятельность: исследование взаимодействия остросфокусированного пучка электронов с резистом, изучение процессов формирования массивов из плотноупакованных наноразмерных структур в кремнии методом электронной литографии, исследование морфологии поверхностей модифицированных остросфокусированным электронным пучком методом сканирующей электронной микроскопии, нанесение металлических покрытий методом термического испарения.

Образование:
2009 г. - окончил магистратуру в Сибирской Государственной Геодезической Академии по специальности 20.02.00 (оптотехника).
2012 г. - окончил аспирантуру ИФП СО РАН по специальности 01.04.07 (физика конденсированного состояния вещества)

Трудовая деятельность: 2002 - наши дни основное место работы - Федеральное Государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова;
с 2009 г. по настоящее время в должности инженера.

Избранные публикации:

• Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 2011 International Conference and Seminar of Young Specialists on. P. (119 – 121) ISBN: 978-1-61284-793-1
• Utkin D. E., Nasimov D. A. Creation two-dimensional photonic crystals by electron-beam lithography Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 2012 International Conference and Seminar. P. (47 – 50) ISBN: 978-1-4673-2518-9
• Dmitry E. Utkin, Dmitry A. Nasimov, Alexander V. Latyshev "Two-dimensional Photonic Crystals Fabrication and Close-Packing by Electron-beam Lithography"