События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Во вторник, 20.05.2025 в 10-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Щеглов Дмитрий Владимирович
«АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОТЕХНОЛОГИЯХ: МЕТРОЛОГИЯ, ДИАГНОСТИКА И ЛИТОГРАФИЯ»

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

Уткин Дмитрий Евгеньевич

инженер

тел. 330-90-82, вн. 1294

106,108 ТК

email:

Научная деятельность: исследование взаимодействия остросфокусированного пучка электронов с резистом, изучение процессов формирования массивов из плотноупакованных наноразмерных структур в кремнии методом электронной литографии, исследование морфологии поверхностей модифицированных остросфокусированным электронным пучком методом сканирующей электронной микроскопии, нанесение металлических покрытий методом термического испарения.

Образование:
2009 г. - окончил магистратуру в Сибирской Государственной Геодезической Академии по специальности 20.02.00 (оптотехника).
2012 г. - окончил аспирантуру ИФП СО РАН по специальности 01.04.07 (физика конденсированного состояния вещества)

Трудовая деятельность: 2002 - наши дни основное место работы - Федеральное Государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова;
с 2009 г. по настоящее время в должности инженера.

Избранные публикации:

  • Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 2011 International Conference and Seminar of Young Specialists on. P. (119 – 121) ISBN: 978-1-61284-793-1
  • Utkin D. E., Nasimov D. A. Creation two-dimensional photonic crystals by electron-beam lithography Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 2012 International Conference and Seminar. P. (47 – 50) ISBN: 978-1-4673-2518-9
  • Dmitry E. Utkin, Dmitry A. Nasimov, Alexander V. Latyshev "Two-dimensional Photonic Crystals Fabrication and Close-Packing by Electron-beam Lithography"